一种纳米空气沟道晶体管

    公开(公告)号:CN113345781B

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202110571179.6

    申请日:2021-05-25

    Abstract: 为了解决现有技术中竖直型纳米空气沟道晶体管的栅极电压高的技术问题,本发明提出了一种纳米空气沟道晶体管,晶体管包括:阳极,阳极设有阳极支点;栅极,栅极的第一侧与阳极支点连接,栅极的第二侧设有栅极支点;阴极,阴极与栅极支点连接,阴极的靠近栅极的一侧设有第一凸起。当本发明中的器件工作时,可在阴极上施加负偏压,在栅极和阳极上施加正偏压。当电压达到一定程度的大小时,阴极表面上发射出的电子通过栅极中的网孔到达阳极,产生电流。通过调节栅极电压和阳极电压可以改变电流的大小。由于栅极距离阴极距离更近,栅极电压对电流大小的影响要远大于阳极电压对电流大小的影响。阴极表面的第一凸起可以促进电子发射,降低工作电压。

    薄膜转移装置及方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117894738A

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202311818956.8

    申请日:2023-12-26

    Abstract: 本发明涉及一种薄膜转移装置及方法,装置包括:包括容器、限位罩、托架和转移工装,所述限位罩固定在所述容器上,所述限位罩限定一两端开口的限位腔;所述托架包括托板,托板上设有多个贯穿所述托板的通孔和多个支撑柱,多个支撑柱上可拆卸固定有用于吸附薄膜的转移工装。本发明的薄膜转移装置及方法,基于化学腐蚀方法,无需复杂机械设备即可完成薄膜的大尺寸转移,转移效率高,可实现器件的批量制备;通过限位罩限位和托板缓冲,避免因水流导致的薄膜运动与碰撞,减小薄膜破损概率,保证转移薄膜的性能。

Patent Agency Ranking