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公开(公告)号：CN117572021A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410063805.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框，边框形成有第一容置空间；外隔离岛，外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框，外隔离岛形成有第二容置空间；内隔离岛，内隔离岛设置于第二容置空间且连接至外隔离岛；悬臂梁，悬臂梁具有两端，悬臂梁设置于第二容置空间且一端连接至内隔离岛；质量块，质量块连接至悬臂梁的另一端；其中，质量块被构造成在加速度作用下对悬臂梁产生作用力。加速度传感器包括前述的敏感结构。通过设置内、外隔离岛，形成双重隔离结构，可有效消除封装应力、温度应力等外围干扰应力对敏感部分的影响，可提高加速度测量精度和检测可靠性。
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公开(公告)号：CN109585120B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201811325924.3
申请日：2018-11-08
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: H01F13/00
Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。
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公开(公告)号：CN111366290A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010227383.1
申请日：2020-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种半球万向敏感压电冲击传感器。该半球万向敏感压电冲击传感器通过电射流微纳打印技术，将所述半球陶瓷厚膜打印至所述半球底座的半球表面；所述半球陶瓷厚膜与所述半球底座为一体化结构。采用本发明所提供的半球万向敏感压电冲击传感器能够简化敏感压电冲击传感器结构和信号处理流程，提高所述半球万向敏感压电冲击传感器的万向性。
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公开(公告)号：CN108362910B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810137325.2
申请日：2018-02-10
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明公开一种开环微加速度计。该开环微加速度计的敏感结构等效电路包括上极板、下极板、可动机构和校正电容，上极板通过第一开关与电源正极相连并通过第二开关与负反馈网络连接；下极板通过第三开关与电源负极相连并通过第四开关与负反馈网络连接；校正电容的两个电容补偿阵列串联，第一电容补偿阵列的上极板通过第五开关与负反馈网络连接并通过第六开关与电源正极相连；第二电容补偿阵列的下极板通过第七开关与负反馈网络连接并通过第八开关与电源负极相连。本发明通过改变校正电容与敏感结构和后续处理电路的连接关系，可以省去输出前数字化非线性拟合补偿环节，降低硬件开销，同时避免生产时需要非线性校正导致效率低和成本高的问题。
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公开(公告)号：CN106501548A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611191423.1
申请日：2016-12-21
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125 , G01P15/18 , G01P1/00
CPC classification number: G01P15/125 , G01P1/00 , G01P15/18
Abstract: 本发明公开了一种双差分全硅结构的微加速度计及其制造方法，涉及微电子机械系统领域。本发明首先通过基底耦合的方式，使4个类似的斜梁-敏感质量块结构在外部环境的作用下都发生基本一致的形变；然后通过双差分的检测方法a=k(ΔCa-ΔCb)，将外界环境造成的扰动抑制掉，从而提高了器件的长期稳定性和温度稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105352634A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510868073.7
申请日：2015-12-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种集成压电式万向冲击传感器及其压电敏感元件的制造方法，涉及传感器技术领域。本发明包括质量块和压电敏感元件，所述压电敏感元件上设置有Z轴轴向压力敏感输出电极对、Y轴轴向压力敏感输出电极对、X轴轴向压力敏感输出电极对和质量块焊接电极；所述质量块通过质量块焊接电极焊接在压电敏感元件顶部；本发明采用新型的集成结构模型，将Z轴压缩式感应输出与X、Y轴剪切感应输出集成一体，通过后续的分区极化，实现了X、Y及Z轴的敏感输出，技术得到了较大的革新改进。
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公开(公告)号：CN103115630B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201310032828.0
申请日：2013-01-29
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01C25/00
Abstract: 本发明提供了一种批量微机械陀螺测试装置，所述测试装置包括上下两层圆台、数根圆柱形支撑柱、圆柱空腔、电路板。上层圆台包括数根“F”形测试电路板固定条，下层圆台包括数根“F”形测试电路板固定条以及安装锚点。圆柱空腔包括上下两个半空腔，其顶面和侧面分别设有通道开关、电源接口、主串口、主CAN总线接口、主模拟信号接口。电路板包括数块测试电路板和一块主电路板。测试电路板固定在上下两层圆台“F”形固定条上，上下两层圆台通过数根圆柱形支撑柱连接，圆柱空腔嵌入双层圆台中央通孔中，主电路板置于圆柱空腔内部。本发明的批量微机械陀螺测试装置适用于小批量测试微机械陀螺，适合小批量微机械陀螺生产中的性能测试和筛选场合。
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公开(公告)号：CN118913491A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN118896630A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410982862.2
申请日：2024-07-22
Applicant: 中国空气动力研究与发展中心设备设计与测试技术研究所 , 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明公开了一种基于速度及角速度解耦动态臂杆效应补偿方法，涉及石英倾角仪领域，所述方法包括：构建坐标系和安装辅助石英倾角仪，构建门状态计算模型和摆状态计算模型，在坐标系对应安装振动传感器，对计算模型标定，获得各轴方向的振动幅值，获得待处理石英倾角仪的实时滚转角和实时测量信号，根据实时滚转角的范围和各轴方向的振动幅值计算获得补偿后的俯仰角；本方法能够准确的获得石英倾角仪的振动测量误差对应的振动幅值Ax、Ay和Az，通过基于这些振动幅值进行相应的补偿计算可以获得补偿后的准确的测量结果。
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公开(公告)号：CN109239400B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201811339689.5
申请日：2018-11-12
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/097
Abstract: 本发明公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法，该一体式石英双振梁加速度计包括：一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极，质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区；振梁包括第一直梁及第二直梁，第一直梁及第二直梁并列设置，第一直梁及第二直梁的一端连接于装配区，另一端连接于质量块，金属电极设置第一直梁及第二直梁上，第一直梁及第二直梁上的金属电极的极性相反；挠性梁包括两个连接梁，两个连接梁位于振梁的两侧，挠性梁的一端连接于装配区，另一端连接于质量块。该一体式石英双振梁加速度计一体成型，相比分体式具有结构紧凑、免装配、易加工的特点，另外采用双振梁，可以避免真空封装，在使用中更加稳定可靠。
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