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公开(公告)号：CN117590025B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410077880.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器，其包括敏感芯片、基板、基座和基板安装座。其中，基座具有安装侧和与安装侧相对的连接侧，基座具有内腔，内腔自连接侧的端面向内延伸。基板安装座包括安装座本体和连接部，敏感芯片安装在基板上，基板固定于安装座本体上。内腔适于容纳基板安装座，基板安装座通过连接部悬挂连接至基座的连接侧。安装座本体与基座之间具有间隙，敏感芯片与基座之间被间隙隔离。能改善基座应变、冲击应力波对传感器测量精度和抗冲击能力的影响。可显著抑制基座的安装结构变形对传感器敏感单元的影响，提高加速度的测量精度；可防止敏感芯片受到异常冲击应力而失效。
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公开(公告)号：CN109254170A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201811450018.6
申请日：2018-11-30
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/097 , G01P15/09 , G01P15/08
Abstract: 本发明的实施例公开了一种一体式石英双振梁加速度计及制备方法，该一体式石英双振梁加速度计包括：一体成型的装配区、挠性梁、振梁、质量块及金属电极，质量块通过挠性梁及振梁连接于装配区；挠性梁的上表面与质量块上表面之间的距离等于挠性梁的下表面与质量块下表面之间的距离，振梁的一端连接于装配区的上表面，另一端连接于质量块的上表面。该一体式石英双振梁加速度计一体成型，相比分体式具有结构紧凑、免装配、易加工的特点，另外采用双振梁，可以避免真空封装，在使用中更加稳定可靠，挠性梁位于质量块上下表面的中间，提高器件的灵敏度，挠性梁的厚度跟振梁的厚度可以不一致，增加了设计的自由度。
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公开(公告)号：CN104020313A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410263417.7
申请日：2014-06-16
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本发明提供了一种全金属电容极板微加速度传感器。所述的传感器为三层全金属结构，包括动极板和上、下固定极板；其中，动极板包含锚点、质量块、悬臂梁、框架。其连接关系是，所述的锚点与悬臂梁固定连接；悬臂梁和质量块固定连接，构成敏感芯片的可动部分；锚点和框架固定连接；质量块与上、下固定极板之间存在间隙，间隙上、下表面均为全金属结构；所述的上固定极板与动极板锚点上表面通过键合连接；所述的下固定极板与锚点下表面通过键合连接。本发明的键合采用热压键合完成，质量块与上、下极板间的空隙可以灵活精确控制。
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公开(公告)号：CN116750976A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310651805.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，公开了一种石英摆片结构及其加工方法。该石英摆片结构包括悬臂梁、质量块、边框以及多个凸台。加工方法包括以下步骤：先湿法刻蚀多个凸台以外的区域的熔石英基片形成多个凸台；其次，根据石英摆片结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；再次，在熔石英基片上的正反两面制备熔石英刻蚀掩膜层；然后，刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片，形成悬臂梁；最后，湿法刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。加工形成的石英摆片结构，在保证悬臂梁薄且侧壁陡峭的基础上，还能大幅减小边框与质量块之间的间距，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN116374947A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310649213.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔石英基片、制备熔石英刻蚀掩膜层；光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层；去除悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片；刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片形成悬臂梁；去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层；使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。制得的熔石英悬臂梁‑质量块结构，其悬臂梁薄且侧壁陡直，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118913491A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN116374947B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310649213.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔石英基片、制备熔石英刻蚀掩膜层；光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层；去除悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片；刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片形成悬臂梁；去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层；使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。制得的熔石英悬臂梁‑质量块结构，其悬臂梁薄且侧壁陡直，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN119400649B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510014582.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种具有在线检测功能的微惯性开关，该微惯性开关在第一结构层的质量块上侧以及第二结构层下侧分别设置第一极板和第二极板形成检测电容器组，通过检测检测电容器组容值从而了解第一极板和第二极板之间的间隔距离或正对面积变化，继而了解质量块在加速度作用下的运动情况，从而实现微惯性开关的动态特性测试。检测电容器组的电容信号只通过设置于第二结构层的一组或多组接线端子组引出，质量块上的第一极板不需要额外引线，简化了制造工艺。另外，由于设置于质量块上的第一极板不直接通电，在动态特性测试过程中质量块可不受干扰，因此，可以在微惯性开关正常工作过程中测试敏感结构质量块的运动特性。
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公开(公告)号：CN118913491B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN119043536A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535155.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种压阻式传感器及其加工方法，该加工方法至少采用5层SOI硅片制备获得压阻式传感器。其中，在5层SOI硅片的第一硅层中制备压敏电阻；在5层SOI硅片的第三硅层中制备硅岛形成第三结构层；再去除第一硅层多余部分形成连接至压敏电阻的连接结构，从而形成第一结构层；至少在压敏电阻及连接结构上沉积复合层形成应力加强结构。制备获得的传感器的岛膜结构中的敏感膜厚度可控，且敏感膜厚度的一致性好，可提高传感器的灵敏度。另外，压敏电阻上覆盖应力加强结构，在保护压敏电阻的基础上还可提高压敏电阻处的应力，从而进一步提高传感器的灵敏度。
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