公开(公告)号：CN109585120A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811325924.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  崔伟斌 ,  唐彬 ,  王月 ,  屈明山 ,  李严军 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  刘显学 ,  余丙军 ,  袁涛 ,  曾德群

IPC: H01F13/00

CPC classification number: H01F13/003

Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。

公开(公告)号：CN109585120B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201811325924.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  崔伟斌 ,  唐彬 ,  王月 ,  屈明山 ,  李严军 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  刘显学 ,  余丙军 ,  袁涛 ,  曾德群

IPC: H01F13/00

Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。