-
公开(公告)号：CN117572021A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202410063805.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框，边框形成有第一容置空间；外隔离岛，外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框，外隔离岛形成有第二容置空间；内隔离岛，内隔离岛设置于第二容置空间且连接至外隔离岛；悬臂梁，悬臂梁具有两端，悬臂梁设置于第二容置空间且一端连接至内隔离岛；质量块，质量块连接至悬臂梁的另一端；其中，质量块被构造成在加速度作用下对悬臂梁产生作用力。加速度传感器包括前述的敏感结构。通过设置内、外隔离岛，形成双重隔离结构，可有效消除封装应力、温度应力等外围干扰应力对敏感部分的影响，可提高加速度测量精度和检测可靠性。
-
公开(公告)号：CN118913491A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
-
公开(公告)号：CN116387094B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310649277.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种一体式石英微开关。包括基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体，石英微开关主体包括下极板、质量块、悬臂梁和基座。质量块的一端被构造成第一悬空端，质量块的另一端连接悬臂梁的一端，悬臂梁的另一端连接基座的上端，基座的下端连接下极板的一端，下极板的另一端被构造成第二悬空端。质量块的下表面设有第一金属层，下极板的上表面设有第二金属层。当质量块的下表面的第一金属层与下极板上表面的第二金属层未接触时，石英微开关保持断开。当质量块的下表面的第一金属层与接触下极板的上表面的第二金属层接触时，石英微开关导通。该开关结构简单、加工工艺简单且可靠性高。
-
公开(公告)号：CN117607489B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410063803.5
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器的敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括框架和敏感单元，框架形成有第一容置空间，敏感单元设置于第一容置空间内。敏感单元包括质量块、第一支撑梁和第二支撑梁。质量块具有主体以及固定至主体的凸部；第一支撑梁和第二支撑梁的一端分别连接至质量块的主体的第一纵向位置和第二纵向位置；其中，质量块的纵向为质量块的敏感方向，质量块的凸部的延伸方向与第一支撑梁、第二支撑梁的延伸方向平行；质量块在加速度作用下对第一支撑梁和第二支撑梁产生作用力。有利于提高敏感结构的抗冲击能力、横向抗干扰能力。可充分利用空间位置，从而减小敏感结构的体积。
-
公开(公告)号：CN116387084A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310643365.5
申请日：2023-06-01
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种石英微开关，该开关包括由下至上通过键合连接的下极板、中间极板和上盖板。其中，中间极板包括中间基板和设置于中间基板下表面的中间电极层；中间基板包括中间边框、质量块和悬臂梁；中间电极层包括设置于质量块的下表面的质量块电极层。下极板包括下基板和设置于下基板的上表面的第二电极层；第二电极层包括导通电极层，导通电极层与质量块电极层相对设置。其中，下基板、上盖板和中间基板的材质均为熔石英；质量块被构造成可在惯性作用下在石英微开关内上下移动，当质量块电极层与导通电极层接触时，第一电极层和第二电极层导通。该开关热应力小、可靠性高，加工工艺简单。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364482A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310649193.2
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统技术领域，公开了一种一体式高冲击石英微开关。基于熔石英基片一体成型的石英微开关主体，石英微开关主体包括基座、悬臂梁、质量块、下极板、下极板悬臂梁和下极板质量块。质量块通过悬臂梁连接至基座的上端，下极板连接至基座的下端，下极板质量块通过下极板悬臂梁连接至下极板。质量块上设有第一金属层，下极板质量块上设有第二金属层。其中，质量块被构造成可在惯性作用下向下极板质量块移动，当质量块上的第一金属层与下极板质量块的第二金属层未接触时，石英微开关保持断开；当质量块上的第一金属层与下极板质量块的第二金属层接触时，石英微开关导通。该开关结构和加工工艺简单，且导通时间长、可靠性高。
-
公开(公告)号：CN119400649B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510014582.7
申请日：2025-01-06
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种具有在线检测功能的微惯性开关，该微惯性开关在第一结构层的质量块上侧以及第二结构层下侧分别设置第一极板和第二极板形成检测电容器组，通过检测检测电容器组容值从而了解第一极板和第二极板之间的间隔距离或正对面积变化，继而了解质量块在加速度作用下的运动情况，从而实现微惯性开关的动态特性测试。检测电容器组的电容信号只通过设置于第二结构层的一组或多组接线端子组引出，质量块上的第一极板不需要额外引线，简化了制造工艺。另外，由于设置于质量块上的第一极板不直接通电，在动态特性测试过程中质量块可不受干扰，因此，可以在微惯性开关正常工作过程中测试敏感结构质量块的运动特性。
-
公开(公告)号：CN118913491B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
-
公开(公告)号：CN119043536A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535155.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种压阻式传感器及其加工方法，该加工方法至少采用5层SOI硅片制备获得压阻式传感器。其中，在5层SOI硅片的第一硅层中制备压敏电阻；在5层SOI硅片的第三硅层中制备硅岛形成第三结构层；再去除第一硅层多余部分形成连接至压敏电阻的连接结构，从而形成第一结构层；至少在压敏电阻及连接结构上沉积复合层形成应力加强结构。制备获得的传感器的岛膜结构中的敏感膜厚度可控，且敏感膜厚度的一致性好，可提高传感器的灵敏度。另外，压敏电阻上覆盖应力加强结构，在保护压敏电阻的基础上还可提高压敏电阻处的应力，从而进一步提高传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN117572021B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410063805.4
申请日：2024-01-17
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种敏感结构及加速度传感器。敏感结构包括边框，边框形成有第一容置空间；外隔离岛，外隔离岛设置于第一容置空间中且固定于边框，外隔离岛形成有第二容置空间；内隔离岛，内隔离岛设置于第二容置空间且连接至外隔离岛；悬臂梁，悬臂梁具有两端，悬臂梁设置于第二容置空间且一端连接至内隔离岛；质量块，质量块连接至悬臂梁的另一端；其中，质量块被构造成在加速度作用下对悬臂梁产生作用力。加速度传感器包括前述的敏感结构。通过设置内、外隔离岛，形成双重隔离结构，可有效消除封装应力、温度应力等外围干扰应力对敏感部分的影响，可提高加速度测量精度和检测可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.036 seconds)
