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发明公开
一种半球万向敏感压电冲击传感器无效

公开(公告)号：CN111366290A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN202010227383.1

申请日：2020-03-27

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 唐彬 , 陶逢刚 , 刘天国 , 刘显学 , 王支荣 , 王大志 , 熊壮

IPC: G01L9/08 , G01L1/16

Abstract: 本发明涉及一种半球万向敏感压电冲击传感器。该半球万向敏感压电冲击传感器通过电射流微纳打印技术，将所述半球陶瓷厚膜打印至所述半球底座的半球表面；所述半球陶瓷厚膜与所述半球底座为一体化结构。采用本发明所提供的半球万向敏感压电冲击传感器能够简化敏感压电冲击传感器结构和信号处理流程，提高所述半球万向敏感压电冲击传感器的万向性。

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