公开(公告)号：CN109473249B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201811325896.5

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  唐彬 ,  刘显学 ,  苏伟 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  余丙军 ,  王月 ,  屈明山

IPC: H01F7/06 ,  H01F7/02

Abstract: 本发明公开了具备高电磁作用力的微电磁执行器，包括永磁体和微线圈，其特征在于：所述微线圈由若干个相同的矩形铜线圈并排形成平面微线圈，每两个矩形铜线圈之间的间距均相同；所述永磁体由若干磁条拼接而成，每两个相邻磁条的磁化方向均不同。在上述微线圈的设计基础上，可以将永磁体分别设计为：1）面外多极结构；2）面内多极结构；3）基于Halbach构型的结构。相比于传统设计，本发明结构简单，微线圈生长容易，而且能大大提高电磁作用力，方便适用于更多微系统中。

公开(公告)号：CN109473249A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811325896.5

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  唐彬 ,  刘显学 ,  苏伟 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  余丙军 ,  王月 ,  屈明山

IPC: H01F7/06 ,  H01F7/02

Abstract: 本发明公开了具备高电磁作用力的微电磁执行器，包括永磁体和微线圈，其特征在于：所述微线圈由若干个相同的矩形铜线圈并排形成平面微线圈，每两个矩形铜线圈之间的间距均相同；所述永磁体由若干磁条拼接而成，每两个相邻磁条的磁化方向均不同。在上述微线圈的设计基础上，可以将永磁体分别设计为：1）面外多极结构；2）面内多极结构；3）基于Halbach构型的结构。相比于传统设计，本发明结构简单，微线圈生长容易，而且能大大提高电磁作用力，方便适用于更多微系统中。

公开(公告)号：CN109585120B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201811325924.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  崔伟斌 ,  唐彬 ,  王月 ,  屈明山 ,  李严军 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  刘显学 ,  余丙军 ,  袁涛 ,  曾德群

IPC: H01F13/00

Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。

公开(公告)号：CN109585120A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811325924.3

申请日：2018-11-08

Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所

Inventor： 支钞 ,  崔伟斌 ,  唐彬 ,  王月 ,  屈明山 ,  李严军 ,  李寅鑫 ,  王支荣 ,  刘显学 ,  余丙军 ,  袁涛 ,  曾德群

IPC: H01F13/00

CPC classification number: H01F13/003

Abstract: 本发明公开了基于磁印章转写技术的永磁体磁化方法，其步骤包括：1）制备磁印章和待刻印体，所述磁印章的永磁薄膜的居里温度高于待刻印体的永磁薄膜的居里温度；2）将制备好的磁印章的下表面与待刻印体的上表面进行贴合，然后进行加热，再逐渐退火，从而将磁印章的磁性转写到待刻印体上。相比于传统方法，本发明可以轻松实现磁化过程，而且适用于任何基板，大大扩大了适用范围。