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公开(公告)号：CN118913491A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN116374947B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310649213.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔石英基片、制备熔石英刻蚀掩膜层；光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层；去除悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片；刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片形成悬臂梁；去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层；使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。制得的熔石英悬臂梁‑质量块结构，其悬臂梁薄且侧壁陡直，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN116750976A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310651805.1
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，公开了一种石英摆片结构及其加工方法。该石英摆片结构包括悬臂梁、质量块、边框以及多个凸台。加工方法包括以下步骤：先湿法刻蚀多个凸台以外的区域的熔石英基片形成多个凸台；其次，根据石英摆片结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；再次，在熔石英基片上的正反两面制备熔石英刻蚀掩膜层；然后，刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片，形成悬臂梁；最后，湿法刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。加工形成的石英摆片结构，在保证悬臂梁薄且侧壁陡峭的基础上，还能大幅减小边框与质量块之间的间距，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN116374947A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310649213.6
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明涉及微电子机械系统微加工技术领域，本发明公开一种熔石英悬臂梁‑质量块结构及其加工方法。加工方法包括以下步骤：根据悬臂梁‑质量块结构的图形，采用超快激光切割加工熔石英基片，在熔石英基片上形成上下贯穿的切割通道；清洗熔石英基片、制备熔石英刻蚀掩膜层；光刻悬臂梁区域露出熔石英刻蚀掩膜层；去除悬臂梁区域的熔石英刻蚀掩膜层露出熔石英基片；刻蚀悬臂梁区域的熔石英基片形成悬臂梁；去除熔石英基片上剩余的光刻胶及熔石英刻蚀掩膜层；使用刻蚀液刻蚀熔石英基片，分离质量块与边框。制得的熔石英悬臂梁‑质量块结构，其悬臂梁薄且侧壁陡直，可满足质量块与边框之间的间隙高深宽的加工需求。
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公开(公告)号：CN117590025B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410077880.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器，其包括敏感芯片、基板、基座和基板安装座。其中，基座具有安装侧和与安装侧相对的连接侧，基座具有内腔，内腔自连接侧的端面向内延伸。基板安装座包括安装座本体和连接部，敏感芯片安装在基板上，基板固定于安装座本体上。内腔适于容纳基板安装座，基板安装座通过连接部悬挂连接至基座的连接侧。安装座本体与基座之间具有间隙，敏感芯片与基座之间被间隙隔离。能改善基座应变、冲击应力波对传感器测量精度和抗冲击能力的影响。可显著抑制基座的安装结构变形对传感器敏感单元的影响，提高加速度的测量精度；可防止敏感芯片受到异常冲击应力而失效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119043536B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411535155.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种压阻式传感器及其加工方法，该加工方法至少采用5层SOI硅片制备获得压阻式传感器。其中，在5层SOI硅片的第一硅层中制备压敏电阻；在5层SOI硅片的第三硅层中制备硅岛形成第三结构层；再去除第一硅层多余部分形成连接至压敏电阻的连接结构，从而形成第一结构层；至少在压敏电阻及连接结构上沉积复合层形成应力加强结构。制备获得的传感器的岛膜结构中的敏感膜厚度可控，且敏感膜厚度的一致性好，可提高传感器的灵敏度。另外，压敏电阻上覆盖应力加强结构，在保护压敏电阻的基础上还可提高压敏电阻处的应力，从而进一步提高传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117590025A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202410077880.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明属于加速度传感器技术领域。本发明提供一种压阻式加速度传感器，其包括敏感芯片、基板、基座和基板安装座。其中，基座具有安装侧和与安装侧相对的连接侧，基座具有内腔，内腔自连接侧的端面向内延伸。基板安装座包括安装座本体和连接部，敏感芯片安装在基板上，基板固定于安装座本体上。内腔适于容纳基板安装座，基板安装座通过连接部悬挂连接至基座的连接侧。安装座本体与基座之间具有间隙，敏感芯片与基座之间被间隙隔离。能改善基座应变、冲击应力波对传感器测量精度和抗冲击能力的影响。可显著抑制基座的安装结构变形对传感器敏感单元的影响，提高加速度的测量精度；可防止敏感芯片受到异常冲击应力而失效。
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公开(公告)号：CN116519976A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310306799.6
申请日：2023-03-27
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01P15/125
Abstract: 本申请提供一种石英微加速度计，包括两个边极板和中间极板，边极板上设置有边部键合区、电容区和边部电气隔离区以及电容引线密封区；中间极板设置于两个边极板之间；中间极板上设置有中间键合区、质量块、挠性梁、中间电极引线区、边部电极引线区；边部键合区和中间键合区对应设置；电容区和质量块对应设置；电容引线密封区与边部电极引线区的位置相对应设置。根据本申请的加速度计，能够有效进行气密性封装。
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公开(公告)号：CN118913491B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411417001.6
申请日：2024-10-11
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
Abstract: 本发明属于微电子机械系统领域，提供一种压阻式压力传感器及其制备方法。传感器采用5层SOI硅片100和普通硅片200制成。制备方法包括步骤：S02：在5层SOI硅片的第一结构层上刻蚀形成岛状结构；S02：使普通硅片的上下表面氧化形成氧化膜，在双面光刻后，双面同时刻蚀形成通孔；S03：将5层SOI硅片的的第一结构层与普通硅片键合连接；S04：去除5层SOI硅片的衬底层和第二埋氧层；S05：在5层SOI硅片的第二结构层上制作压敏电阻。其加工工艺简单，芯片利用率高，成本低，同时适用于加工低量程和中高量程的压力传感器。本发明的压阻式压力传感器，灵敏度高，耐高温性能好。
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公开(公告)号：CN119043536A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411535155.5
申请日：2024-10-31
Applicant: 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及传感器技术领域，公开了一种压阻式传感器及其加工方法，该加工方法至少采用5层SOI硅片制备获得压阻式传感器。其中，在5层SOI硅片的第一硅层中制备压敏电阻；在5层SOI硅片的第三硅层中制备硅岛形成第三结构层；再去除第一硅层多余部分形成连接至压敏电阻的连接结构，从而形成第一结构层；至少在压敏电阻及连接结构上沉积复合层形成应力加强结构。制备获得的传感器的岛膜结构中的敏感膜厚度可控，且敏感膜厚度的一致性好，可提高传感器的灵敏度。另外，压敏电阻上覆盖应力加强结构，在保护压敏电阻的基础上还可提高压敏电阻处的应力，从而进一步提高传感器的灵敏度。
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