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公开(公告)号：CN1966772A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200510114837.X
申请日：2005-11-17
Applicant: LG.菲利浦LCD株式会社 , 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
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公开(公告)号：CN101886266B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102939407A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201180014543.3
申请日：2011-02-17
CPC classification number: C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/28088 , H01L21/32134 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H05K3/067
Abstract: 本发明的示例性实施方式提供了金属线蚀刻剂。根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包含过硫酸铵、有机酸、铵盐、含氟化合物、二醇类化合物和唑类化合物。
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公开(公告)号：CN100470345C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200510112849.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al-Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al-Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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公开(公告)号：CN101030047A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200710086162.1
申请日：2007-03-05
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂剥离废液再生方法和再生装置，所述再生方法和再生装置特别适于经济性较好地对使用含有各种专门的胺化合物的剥离液的剥离工序时以及使用各种抗蚀剂和剥离液时所产生的抗蚀剂剥离废液进行再生。本发明的再生装置适用于该再生方法。本发明的抗蚀剂剥离废液的再生方法是对含有水、抗蚀剂、胺化合物、有机溶剂的抗蚀剂剥离废液进行再生的方法，该方法的特征在于，其含有：(a)添加酸的工序，所述酸与抗蚀剂剥离废液的胺化合物发生反应而使得胺化合物形成在有机溶剂蒸馏时不被蒸馏的胺－酸化合物；和(b)对上述(a)工序的反应产物进行分别蒸馏而仅获取有机溶剂的工序。
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公开(公告)号：CN1971351A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200610146763.2
申请日：2006-11-22
Applicant: 东进世美肯株式会社
Abstract: 本发明提供一种透明导电膜蚀刻组合物，该蚀刻组合物用于在制造薄膜晶体管液晶显示装置等时对透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，而不会对构成TFT的栅极配线材料即Mo/Al－Nd双重膜和作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜造成影响，所形成的透明导电膜的轮廓优异，蚀刻速度快，具有节约LCD制造成本和提高工序收率的效果。本发明的透明导电膜蚀刻组合物的特征在于，其含有：0.1重量％～5重量％的a)能够在水溶液中解离出Cl－的含氯化合物；0.1重量％～5重量％的b)能够在水溶液中解离出NO3－的化合物；以及c)余量的水。
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公开(公告)号：CN1760743A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510112849.9
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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公开(公告)号：CN104838040A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201380064446.4
申请日：2013-12-04
Applicant: 东进世美肯株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/38 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L29/45 , H01L29/458
Abstract: 本发明公开一种能够同时蚀刻铜膜和氧化铟锡膜的双重膜或铜膜和金属膜的双重膜的蚀刻液组合物及利用了该组合物的蚀刻方法。上述蚀刻液组合物包含：5至20重量％的过氧化氢；0.1至5重量％的磺酸化合物；0.1至2重量％的羰基类有机酸化合物；0.1至0.4重量％的氟化合物；0.01至3重量％的唑类化合物；以及，其余重量％的水。
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公开(公告)号：CN101070596A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710102300.0
申请日：2007-05-10
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: C23F1/16 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
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公开(公告)号：CN1760742A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510112840.8
申请日：2005-10-14
Applicant: 东进世美肯株式会社
IPC: G02F1/1368 , G03F7/32
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别是涉及包含磷酸、硝酸、醋酸、[H+]离子浓度调节剂以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物仅通过湿式工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对构成薄膜晶体管液晶显示器的TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
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