公开(公告)号：CN105537793A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610029389.1

申请日：2016-01-15

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  魏家行 ,  王宁 ,  宋海洋 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: B23K35/24 ,  B23K35/28 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L2224/32225 ,  B23K35/24 ,  B23K35/28 ,  H01L23/367

Abstract: 本发明公开了一种功率模块焊接用焊片，包括金属网状骨架，在金属网状骨架的网眼空间内填充有钎焊材料。因为金属网状骨架的液相线温度远大于钎焊温度，在回流焊的过程中，钎焊材料先熔融成液体状态，98％～99％的钎焊材料熔融之后会注满网眼空间，金属网状骨架为液体状态的钎焊材料提供附着边界，二者形成类平面的结构。焊片上的芯片在每个区域受力均匀，不容易发生切向方向和法向方向上的位移，功率芯片上每个区域到其下方底板的散热路径长度都是一致的，热阻也随之更加均匀化，能够避免功率芯片局部区域温度过高的情况。

公开(公告)号：CN105374814A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510663114.9

申请日：2015-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  张春伟 ,  袁永胜 ,  刘超 ,  叶然 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L27/02 ,  H01L27/0259

Abstract: 一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的上部设有第一低压N型阱、第一低压P型阱，在第一低压N型阱内设有N型阴区，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在N型外延层的上表面上设有场氧化层且所述场氧化层位于N型阴区与P型阳区之间，在N型阴区、场氧化层及P型阳区的上表面设有钝化层，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在第一低压N型阱内设有P型注入效率调节阱，所述的N型阴区位于P型注入效率调节阱内。本发明在不改变原来版图面积的基础上，提高了电流泄放能力，降低了闩锁风险，增强了器件的ESD鲁棒性。

公开(公告)号：CN111426927B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201811583501.1

申请日：2018-12-24

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 刘斯扬 ,  李智超 ,  叶然 ,  卢丽 ,  孙伟锋 ,  苏巍 ,  马书嫏 ,  华晓春 ,  顾力晖 ,  林峰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件动态电学应力施加装置，包括：信号发生器、光耦保护模块、栅脉冲驱动模块、高压控制模块和所述n个被测功率半导体器件，其中，所述信号发生器、所述光耦保护模块、所述栅脉冲驱动模块依次串接至所述n个被测功率半导体器件栅极，所述高压控制模块与所述n个被测功率半导体器件漏极相连，所述n个被测功率半导体器件源级接地。本发明还涉及一种功率半导体器件动态电学应力测试方法。本发明能够同时完成对一个或多个被测功率半导体器件进行动态电学应力的施加，通过光耦保护模块实现了信号发生器与高压电路的光电隔离，方便对被测功率半导体器件退化参数的监测，提高了动态电学应力条件下热载流子可靠性测试的效率。

公开(公告)号：CN112993021A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911310548.5

申请日：2019-12-18

Applicant: 东南大学 ,  无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 魏家行 ,  王琪朝 ,  肖魁 ,  王德进 ,  卢丽 ,  杨玲 ,  叶然 ,  刘斯扬 ,  孙伟锋 ,  时龙兴

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：沟槽栅极，包括沟槽内的下部和沟槽外的上部，下部在导电沟道宽度方向上的长度小于上部，下部伸入体区且小于体区的深度；绝缘结构，设于漏极区和沟槽栅极之间并向下伸入漂移区，绝缘结构的深度小于漂移区，绝缘结构在漂移区内的深度大于场氧层在漂移区内的深度，绝缘结构在导电沟道宽度方向上的长度小于漂移区，绝缘结构两侧的表面形成有场氧层，上部延伸至场氧层上。本发明的导电沟道为在漂移区和体区中围绕绝缘结构和沟槽栅极设置的立体化结构。因此器件导通时的电流通路得到了扩展，能够大幅降低导通电阻。且绝缘结构可以有效提高器件的耐压性能，并起到辅助耗尽的作用。

公开(公告)号：CN108807541A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810537122.2

申请日：2018-05-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  陈虹廷 ,  叶然 ,  吴海波 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 一种具有交错叉指式浅槽隔离结构的横向半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区和三个浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区上还设有U形栅氧化层且所述栅氧化层的U形开口朝向漏端并且两端分别延伸至P型体区的上方和浅槽隔离区的上方，在栅氧化层的上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上表面分别设有漏极金属接触、源极金属接触和体区金属接触，其特征在于，所述的浅槽隔离区在漂移区内呈交错叉指式排列。本发明结构能够在击穿电压不变的基础上，获得较低的导通电阻。

公开(公告)号：CN106356313A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610972493.4

申请日：2016-11-04

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  杨翰琪 ,  薛颖 ,  叶然 ,  魏家行 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L21/66 ,  G01R31/26

CPC classification number: H01L22/30 ,  G01R31/2601 ,  G01R31/2608 ,  H01L22/14

Abstract: 一种横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法及5端口器件，横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法特征为，包括沟道区、鸟嘴区、多晶硅栅场板区及场板末端区电荷泵电流的测试，进行测试时，先在同一晶圆上目标器件旁边制造5端口器件，对辅助5端口器件进行系统搭建并设置测试条件，最后进行电荷泵电流测试操作；一种用于横向绝缘栅双极型晶体管界面态的测试方法的5端口器件，其特征为，包括一个电荷泵电子提供区和一个电荷泵专用测试电极，所述电荷泵电子提供区和阳极P+区并排处于N型缓冲区的上部，且单独与电荷泵专用测试电极相连；本发明可以解决传统方法不能测试横向绝缘栅双极型晶体管多晶硅栅场板区及场板末端区的界面损伤的问题。

公开(公告)号：CN104022111A

公开(公告)日：2014-09-03

申请号：CN201410269632.8

申请日：2014-06-17

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  叶然 ,  王剑峰 ,  孙陈超 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L27/02

Abstract: 一种具有双向防护能力的静电放电保护结构，包括P型衬底，N型阱区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区，第一N型重掺杂区、第二N型重掺杂区、第三N型重掺杂区和第四N型重掺杂区，第一场氧化层、第二场氧化层、第三场氧化层、第四场氧化层和栅氧化层，栅多晶硅层，第一金属层，第二金属层，第三金属层，第四金属层，第五金属层，金属层二。本发明结构在正负方向上都具有耐压能力，保证了该结构不会影响内部电路的正常工作，且遇到静电放电脉冲时能够提供正负两个方向的静电放电电流泄放路径，达到静电放电保护的目的，可以用于需要双向静电放电保护的集成电路。

公开(公告)号：CN106024905B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201610614208.1

申请日：2016-07-29

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  薛颖 ,  叶然 ,  陈欣 ,  刘斯扬 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692

Abstract: 一种低导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底的上方设有高压N型区，在高压N型区的上方设有N型漂移区和P型体区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区，在P型体区内设有N型源区和P型区，在高压N型区的上方设有栅氧化层且所述栅氧化层的两端分别延伸至P型体区和第一浅槽隔离区的上方，在栅氧化层上方设有多晶硅栅场板，在N型漏区、N型源区和P型区的上设有金属接触。其特征在于，所述浅槽隔离区包括间隔、对称排列的第一浅槽隔离区和第二浅槽隔离区，所述第二浅槽隔离区两端内缩且短于所述第一浅槽隔离区。本发明可以在击穿电压几乎不变的基础上，获得极低的导通电阻。

公开(公告)号：CN107910357A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711007210.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  戴志刚 ,  吴其祥 ,  叶然 ,  徐志远 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种低导通电阻功率半导体器件，其特征在于，在P型体区内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区延伸、经过高压N型区后进入N型漂移区，最终止于浅槽隔离区的边界，在P型体区的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1和二氧化硅层2，并分别由此形成P型源区、N源型区，隔离氧化层和栅氧化层，在P型源区的表面及N型源区的一部分表面上设有源极金属接触，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的中间部分向下延伸至凹槽底部的栅氧化层的上表面，所述隔离氧化层将源极金属接触和多晶硅栅极隔开。本发明结构与传统的功率半导体器件相比，在保持较高的击穿电压的同时，能得到极低的导通电阻，并具有较高的可靠性。

公开(公告)号：CN106298901A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610886226.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  方云超 ,  杨翰琪 ,  李胜 ,  叶然 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/7394

Abstract: 一种高热载流子可靠性的横向绝缘栅双极型晶体管，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的内部设有N型缓冲阱和P型体区，在N型缓冲阱内设有P型阳区，在P型体区中设有N型阴区和P型体接触区，在N型外延层的表面设有栅氧化层和场氧化层，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅，在场氧化层的右上表面设有多晶硅，其特征在于P型阳区由成行排列的块状P型区构成，在N型缓冲区内设有浮空N型接触区，P型阳区设在浮空N型接触区内且每个块状P型区被浮空N型接触区三面包围；所述场氧化层的另一端向P型阳区延伸并止于所述浮空N型接触区。本发明能降低寄生PNP晶体管的发射效率，降低开态阶段和开关阶段的热载流子损伤，提高了器件的可靠性。