公开(公告)号：CN106847777A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710037515.2

申请日：2017-01-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  宋海洋 ,  李胜 ,  戴志刚 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L23/49

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/49175

Abstract: 一种具有高热可靠性的功率模块，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有下表面覆铜，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面覆铜上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜上连接有功率芯片，所述功率芯片通过焊线组件与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，其特征在于，所述焊线组件由相互平行的焊线构成，每条焊线都具有多个焊点且不同焊线的端部焊点以及处在同一相对位置的中部焊点在功率芯片上呈交错排列；焊线组件使用高电导率金属材料铝Al，铜Cu，银Ag或金Au。

公开(公告)号：CN107910357A

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201711007210.3

申请日：2017-10-24

Applicant: 东南大学

Inventor： 刘斯扬 ,  戴志刚 ,  吴其祥 ,  叶然 ,  徐志远 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 一种低导通电阻功率半导体器件，其特征在于，在P型体区内横向设有凹槽且所述凹槽向N型漂移区延伸、经过高压N型区后进入N型漂移区，最终止于浅槽隔离区的边界，在P型体区的表面以及凹槽的底部和侧壁依次注硼、注磷、生长二氧化硅层1和二氧化硅层2，并分别由此形成P型源区、N源型区，隔离氧化层和栅氧化层，在P型源区的表面及N型源区的一部分表面上设有源极金属接触，在栅氧化层的表面设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极的中间部分向下延伸至凹槽底部的栅氧化层的上表面，所述隔离氧化层将源极金属接触和多晶硅栅极隔开。本发明结构与传统的功率半导体器件相比，在保持较高的击穿电压的同时，能得到极低的导通电阻，并具有较高的可靠性。