公开(公告)号：CN110357606B

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN201910706283.4

申请日：2019-08-01

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  周鹏飞 ,  殷尧禹 ,  卢位 ,  钟祥熙 ,  崔宝玉 ,  魏德洲 ,  张云海

IPC: C04B35/19 ,  C04B35/195 ,  C04B41/85 ,  G01N27/12

Abstract: 本发明提供一种基于沸石基板的In2O3纳米材料制备及其应用，以价格低廉的天然沸石为原料，通过破碎磨矿、压片成型、高温烧结、打磨清洗等工序制备出具有一定强度的沸石基板，随后采用水热合成法在沸石基板上制备出花状In2O3纳米材料，并将长有In2O3纳米材料的基板制成气敏元件对其气敏特性进行考查，克服现有基板种类单一且价格昂贵等方面存在的问题，并拓展了沸石的应用途径。

公开(公告)号：CN110261445B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201910627455.9

申请日：2019-07-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  钟祥熙 ,  张津 ,  高淑玲 ,  魏德洲 ,  张云海 ,  魏可峰

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN109632894A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201910027216.X

申请日：2019-01-11

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  周鹏飞 ,  钟祥熙 ,  陈享享 ,  高淑玲 ,  魏德洲 ,  张云海 ,  魏可峰

IPC: G01N27/12

CPC classification number: G01N27/127

Abstract: 本发明一种贵金属原位共掺杂CuO基NO2气敏材料的制备及其应用，涉及CuO基纳米材料制备领域。贵金属原位共掺杂CuO纳米材料制备方法包括以下步骤：向去离子水中分别加入1.3mmol的CuSO45H2O和0.8～1mmol的柠檬酸三钠，搅拌后加入5～5.3mmol的NaOH，得溶液A；将375～1875μL浓度为0.017mol/L的氯金酸溶液和650～3250μL浓度为0.01mol/L的氯化钯溶液混合，得溶液B；将溶液B加入溶液A中，160℃条件下水热反应12h得到反应产物；冷却洗涤干燥热处理。上述方法制得的材料可制备气敏性能优越、适用于低工作温度检测的NO2气体传感器。

公开(公告)号：CN110412086B

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201910712687.4

申请日：2019-08-02

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  殷尧禹 ,  赵思凯 ,  周鹏飞 ,  李昂 ,  高淑玲 ,  魏德洲 ,  张云海 ,  魏可峰

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  G01N23/207

Abstract: 本发明公开了一种基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的异丙醇气敏元件及其制备方法，属于半导体金属氧化物气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的ZnSnO3纳米球组成，所述ZnSnO3纳米球直径为500±50nm，所述ZnSnO3纳米球为钙钛矿结构，所述气敏元件的异丙醇浓度检测范围为500ppb～500ppm。本发明操作流程简单、反应条件温和、易于控制、可批量生产。基于钙钛矿结构ZnSnO3纳米球的ppb级异丙醇气敏元件具有ppb级检测、响应恢复迅速、可逆性好、高选择性，在200℃工作温度条件下时获得对异丙醇气体的最大灵敏度，是具有良好发展前景的异丙醇气敏元件。

公开(公告)号：CN110261445A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910627455.9

申请日：2019-07-12

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  钟祥熙 ,  张津 ,  高淑玲 ,  魏德洲 ,  张云海 ,  魏可峰

IPC: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种基于非金属矿物电极衬底表面原位生长纳米In2O3的室温NO2传感器及制备方法，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。本发明以非金属矿物多孔陶瓷电极为衬底，采用直流溅射法在衬底表面溅射叉指电极，并采用水热法在其表面原位生长In2O3纳米材料，所述的In2O3纳米材料呈棒状结构，并均匀密集地分布在衬底表面，其直径为120～200nm，长度为0.5～1μm，该棒状结构是由纳米颗粒相互堆积组成的，所述的纳米颗粒为In2O3立方相晶体结构，其直径为10～30nm。该气体传感器可以在室温工作条件下，并在UV光辅助恢复下，对0.1～1ppm NO2具有快速的响应和恢复速度，且具有优异的选择性和长期稳定性，有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110243881A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910640005.3

申请日：2019-07-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  李国栋 ,  钟祥熙 ,  李昂 ,  卢瑞 ,  殷尧禹 ,  刘文刚 ,  魏德洲 ,  张云海

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种基于rGO-SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯-金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO-SnO2纳米复合材料组成，所述rGO-SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO-SnO2纳米复合材料，然后将rGO-SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。