公开(公告)号：CN111180330A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911089883.7

申请日：2019-11-08

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻田尊士 ,  百武宏展 ,  河野央

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种即使是高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够高精度地蚀刻氮化硅膜的基板处理方法、基板处理装置以及存储介质。本公开的一个方式的基板处理方法包括通过磷酸处理液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻的蚀刻工序。在蚀刻工序中，在从开始时间点起到经过第一时间间隔为止的期间，使磷酸处理液中的硅浓度为蚀刻氧化硅膜的第一硅浓度。

公开(公告)号：CN109686681A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811222568.2

申请日：2018-10-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 大野宏树 ,  稻田尊士 ,  河野央

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/66

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备处理部和控制部。处理部使基板浸在包含磷酸和含硅化合物的处理液中来进行蚀刻处理。控制部以如下方式控制处理液，该方式是：在蚀刻处理的第一处理时间，利用第一磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理，在第一处理时间之后的第二处理时间，利用比第一磷酸浓度低的第二规定磷酸浓度及比第一硅浓度低的第二规定硅浓度的处理液或者第二规定磷酸浓度及第一硅浓度的处理液对基板进行处理。

公开(公告)号：CN109585337A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811139670.6

申请日：2018-09-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 佐藤秀明 ,  大野宏树 ,  西脇良典 ,  稻田尊士 ,  河野央

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，能够提高对氮化硅膜进行蚀刻的选择性并且抑制硅氧化物的析出。实施方式所涉及的基板处理装置具备SiO2析出防止剂供给部和控制部。SiO2析出防止剂供给部供给要混合到在基板处理槽中进行蚀刻处理的磷酸处理液中的SiO2析出防止剂。控制部基于磷酸处理液的温度来设定磷酸处理液中含有的SiO2析出防止剂的浓度，并且控制SiO2析出防止剂的供给量，使得成为所设定的SiO2析出防止剂的浓度。

公开(公告)号：CN106920743B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201611185615.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸本洋 ,  河野央 ,  清濑浩巳 ,  中森光则 ,  光冈一行

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。

公开(公告)号：CN110265325A

公开(公告)日：2019-09-20

申请号：CN201910477249.4

申请日：2015-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 相原明德 ,  吉田祐希 ,  河野央 ,  山下刚秀 ,  菅野至 ,  望田宪嗣 ,  岛基之

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明涉及基板处理系统、基板清洗方法。[课题]能够得到高的微粒去除性能。[解决方案]本实施方式的基板处理系统具备保持基板的保持部和去除液供给部。所述基板形成有处理膜，所述处理膜包含有机溶剂、和含有氟原子且可溶于有机溶剂的聚合物。去除液供给部对基板上的处理膜供给用于去除处理膜的去除液。

公开(公告)号：CN109698143A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811219721.6

申请日：2018-10-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 稻田尊士 ,  河野央 ,  大野宏树

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。实施方式的基片处理装置包括基片处理槽和控制部。基片处理槽通过将基片浸渍在磷酸处理液中，来进行蚀刻处理。控制部随着蚀刻处理的进展，控制用于对磷酸处理液进行温度调节的温度调节部，来降低磷酸处理液的温度。本发明能够抑制硅氧化物析出。

公开(公告)号：CN109698142A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811214795.0

申请日：2018-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张健 ,  稻田尊士 ,  河野央 ,  藤津成吾 ,  佐藤秀明 ,  小西辉明 ,  盐川俊行 ,  小仓康司 ,  吉田博司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

公开(公告)号：CN106920743A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611185615.1

申请日：2016-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 丸本洋 ,  河野央 ,  清濑浩巳 ,  中森光则 ,  光冈一行

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02082 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67075 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/30 ,  H01L21/67023

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及基板处理系统，能够使倒塌的图案复原。基板处理方法包括：向在表面形成了具有多个凸部(2)的图案的基板供给处理液的液处理工序；将存在于所述基板的表面的所述处理液除去、使基板干燥的干燥工序；在所述干燥工序之后、使彼此相邻的所述凸部的粘连部(2a)分离开的分离工序。

公开(公告)号：CN105023863A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510217206.4

申请日：2015-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 井户泰幸 ,  新藤尚树 ,  折居武彦 ,  江头佳祐 ,  八谷洋介 ,  大石幸太郎 ,  河野央 ,  下村伸一郎

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供能够降低因喷嘴内的水解劣化而导致的甲硅烷基化液的废弃量的基板液处理装置和基板液处理方法。通过向喷嘴(43)内的甲硅烷基化液流路(431)供给阻隔流体，从而利用在比位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液靠近喷出口(434)的一侧存在的阻隔流体将位于甲硅烷基化液流路内的甲硅烷基化液与喷出口的外部的气氛阻隔开。

公开(公告)号：CN118762990A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410684647.4

申请日：2020-02-04

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 平山司 ,  稻田尊士 ,  百武宏展 ,  高山和也 ,  河野央

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：第一蚀刻工序，通过蚀刻液来蚀刻高层叠有氧化硅膜和氮化硅膜的基板中的氮化硅膜的一部分；加工工序，在第一蚀刻工序之后，通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工，来蚀刻氧化硅膜的前端部或在第一蚀刻工序中在氧化硅膜上形成的硅氧化物；以及第二蚀刻工序，在加工工序之后，通过蚀刻液来蚀刻基板中的氮化硅膜中的、在第一蚀刻工序中未蚀刻的部分，图案形状加工液对于氮化硅膜没有蚀刻能力或者蚀刻能力低，图案形状加工液是磷酸浓度高的磷酸处理液，实施第一蚀刻工序直至由氧化硅膜形成的图案的前端部露出为止，加工工序对露出的前端部进行加工。