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公开(公告)号：CN110858556B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN201910783102.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本公开涉及基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质，提供一种能够高精度地进行处理液内的特定的成分的浓度变更的技术。基板液处理装置具有贮存处理液的处理槽、对处理槽供给处理液的处理液供给部、从处理槽排出处理液的处理液排出部和控制处理液供给部和处理液排出部的控制部，控制部基于对处理槽中贮存的处理液中的特定成分的浓度进行变更的指示，来基于与特定成分的当前的浓度有关的信息、与处理槽中贮存的处理液中的每单位时间的特定成分的浓度上升量有关的信息和与指示所表示的变更后的特定成分的浓度有关的信息，计算从处理槽排出的处理液的排出量和向处理槽供给的处理液的供给量，基于该计算结果来控制处理液供给部和处理液排出部。
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公开(公告)号：CN113725121A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110559784.1
申请日：2021-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法。适当地实施利用包含磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液进行的蚀刻处理。本公开的一个方式的基板处理装置具备处理槽、混合装置、送液路径以及控制部。处理槽使基板浸渍于处理液来对基板进行处理。混合装置将磷酸水溶液与添加剂混合来生成成为处理液的原料的混合液。送液路径将混合液从混合装置送到处理槽。控制部控制各部。另外，控制部使得将混合装置中磷酸浓度变为比被供给到混合装置时的第一浓度高的第二浓度的混合液从混合装置输送到正在对基板进行浸渍处理的处理槽。
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公开(公告)号：CN111696891A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN111696891B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202010160379.8
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、混合方法和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN108511368B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201810161560.3
申请日：2018-02-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的沸腾状态的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34A)，其贮存处于沸腾状态的处理液，并且通过将基板(8)浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；浓度传感器(55B)，其检测处理液中包含的药液成分的浓度；浓度调整部(7、40、41)，其基于浓度传感器的检测浓度来向处理液添加药液成分或添加稀释液，由此将处理液中包含的药液成分的浓度调整为设定浓度；水头压力传感器(86B)，其检测处理槽内的处理液的水头压力；以及浓度设定值校正运算部(7)，其基于水头压力传感器的检测值来对提供给浓度调整部的设定浓度进行校正。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115547880A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202210719040.6
申请日：2022-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种能够高效且稳定地实施基片的蚀刻处理的基片处理装置。本发明的一个方式的基片处理装置包括处理槽和控制部。处理槽使由多个基片构成的基片批次浸渍于处理液中进行蚀刻处理。控制部控制各部。另外，控制部包括修正部，该修正部基于通过蚀刻处理从基片溶解于处理液的溶解物的处理液中的浓度，对批次的处理时间进行修正。
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公开(公告)号：CN110660708B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN201910579451.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，能够高精度地变更使基板浸在其中来对基板进行处理的处理液的成分浓度。基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液，该处理液包含第一成分和沸点比所述第一成分的沸点高的第二成分，使基板浸在该处理液中来对基板进行处理；调整液供给部，其向所述处理槽供给调整液，该调整液包含所述第一成分，用于调整所述第二成分在所述处理液中所占的浓度；以及控制部，其控制所述调整液供给部，其中，在变更所述浓度时，所述控制部基于变更后的所述浓度与变更前的所述浓度的浓度差来计算与变更后的所述浓度相当的所述处理槽中的液面高度，基于进行所述计算得到的所述液面高度来控制所述调整液向所述处理槽的供给。
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公开(公告)号：CN110660708A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910579451.8
申请日：2019-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法，能够高精度地变更使基板浸在其中来对基板进行处理的处理液的成分浓度。基板处理装置具备：处理槽，其贮存处理液，该处理液包含第一成分和沸点比所述第一成分的沸点高的第二成分，使基板浸在该处理液中来对基板进行处理；调整液供给部，其向所述处理槽供给调整液，该调整液包含所述第一成分，用于调整所述第二成分在所述处理液中所占的浓度；以及控制部，其控制所述调整液供给部，其中，在变更所述浓度时，所述控制部基于变更后的所述浓度与变更前的所述浓度的浓度差来计算与变更后的所述浓度相当的所述处理槽中的液面高度，基于进行所述计算得到的所述液面高度来控制所述调整液向所述处理槽的供给。
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公开(公告)号：CN118299300A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410453062.1
申请日：2020-03-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。本发明的一方式的基片处理装置包括处理槽、混合装置、送液路径和硅溶液供给部。处理槽用于浸渍基片来对其进行处理。混合装置将磷酸水溶液和抑制硅氧化物的析出的添加剂混合来生成混合液。送液路径从混合装置向处理槽输送混合液。硅溶液供给部与送液路径和处理槽中的至少一者连接，向从混合装置供给的混合液供给含硅化合物水溶液。由此，能够适当地实施用含有磷酸水溶液和硅溶液的蚀刻液所进行的蚀刻处理。
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公开(公告)号：CN113725119A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110556923.5
申请日：2021-05-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供一种贮存装置和贮存方法。本发明的一个方式的贮存装置包括贮存槽、加热机构和控制部。贮存槽用于贮存含有磷酸水溶液和添加剂的处理液。加热机构能够对贮存于贮存槽中的处理液进行加热。控制部执行浓度维持处理，在该浓度维持处理中，控制加热机构来调节处理液的温度，使得贮存槽中的处理液的水分蒸发量接近贮存槽中的处理液的吸湿量。根据本发明，能够适当地实施利用含有磷酸水溶液和硅溶液的处理液来进行的基片处理。
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