-
公开(公告)号：CN108885988B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201780020430.1
申请日：2017-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种能够留下基片的凹部内的覆膜，精度良好地蚀刻凹部外的覆膜的基片液处理方法(基片液处理装置、存储介质)。在使形成有覆膜的基片的表面与用于除去上述覆膜的蚀刻液接触来进行蚀刻处理的基片液处理方法中，其中，上述覆膜覆盖凹部的内部和凹部的外部，上述基片液处理方法包括：第一覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第一温度以使得成为第一蚀刻速率，在第一处理时间中除去上述凹部外部的上述覆膜；和第二覆膜除去步骤，其使上述蚀刻液成为第二温度以使得成为比上述第一蚀刻速率低的第二蚀刻速率，在第二处理时间中留下上述凹部内部的上述覆膜并除去上述凹部外部的上述覆膜。
-
公开(公告)号：CN109698142B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
-
公开(公告)号：CN105845602B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201610065467.3
申请日：2016-01-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液体处理装置和基板液体处理方法。该基板液体处理装置具有：贮存用于对基板(8)进行处理的处理液的处理液贮存部(38)；供给处理液的处理液供给部(39)；使处理液贮存部的内部的处理液循环的处理液循环部(40)；使处理液排出的处理液排出部(41)；浓度传感器(61)，其设置于处理液排出部，测量处理液中的基板处理产物的浓度；以及控制处理液供给部的控制部(7)，其中，控制部通过处理液循环部使处理液循环，使循环的处理液在规定的定时间歇性地或者在规定时间内连续地从处理液排出部排出，从处理液供给部供给新的处理液，通过浓度传感器在规定的定时测量所排出的处理液中的基板处理产物的浓度。
-
公开(公告)号：CN105983549B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610156601.0
申请日：2016-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 佐藤秀明
IPC: B08B3/10
Abstract: 本发明提供基板液处理装置以及基板液处理方法。防止因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶。在本发明中，基板液处理装置具有：处理液流路(浓度测量流路)，其供用于对基板进行处理的处理液流动；清洗流体供给部，其用于将用于对处理液流路的至少一部分进行清洗的清洗流体向处理液流路供给；加热器，其对处理液进行加热，控制部，其对清洗流体供给部以及加热器进行控制，控制部以如下方式控制：利用加热器将处理液加热到比因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶的温度高的温度，之后将加热后的处理液向处理液流路的因处理液和清洗流体之间的反应而产生结晶的温度的处理液所滞留的部分供给，之后从清洗流体供给部向处理液流路供给清洗流体。
-
公开(公告)号：CN108428645A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810150054.4
申请日：2018-02-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086 , H01L21/31111 , H01L21/67017 , H01L21/67034 , H01L21/67057 , H01L21/67173 , H01L21/67207 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 一种更精确地控制处理槽内的处理液的温度的基板液处理装置。基板液处理装置具备：处理槽(34)，其贮存处理液，并且通过将基板浸于所贮存的处理液中来进行基板的处理；循环线(50)，其与处理槽连接；泵(51)，其设置于循环线，用于形成从处理槽出来经过循环线后返回到处理槽的所述处理液的流动；以及加热器(52)，其设置于循环线，加热处理液。设置有设置于包括处理槽和循环线的循环系统内的彼此不同的位置的至少两个温度传感器(81、82、83)。控制器(90、100)基于这至少两个温度传感器的检测温度来控制加热器的发热量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969257B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210311001.9
申请日：2012-08-28
Applicant: 仓敷纺织株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/67086 , G01N21/3577 , H01L21/31111 , H01L21/67248 , H01L21/67253
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置，由于可直接检测处理液的浓度，所以能够进行独立的浓度控制，且由于不易产生因透镜温度变化引起的测定误差，因此能够高精度地进行基板的药液处理。一种在由磷酸和稀释液混合而成的处理液中浸渍基板而进行处理的基板处理装置，具备通过测定处理液的吸光特性而检测处理液浓度的浓度检测单元，浓度检测单元具备：透光部，将处理液导入内部并使之在内部流通；发光部，向透光部照射规定波长的光；受光部，通过透光部接收来自发光部的光；第一透镜，将由发光部发出的光汇聚于透光部；第二透镜，将通过透光部的光汇聚于受光部；和冷却机构，冷却第一透镜和第二透镜中的至少任一个。
-
公开(公告)号：CN108695208B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201810292833.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种对于防止用于向处理液供给气体的喷嘴的堵塞有效的基板液处理装置。基板液处理装置(A1)具备：处理槽(41)，其容纳处理液(43)和基板(8)；气体喷嘴(70)，其在处理槽(41)内的下部喷出气体；以及气体供给部(89)，其向气体喷嘴(70)供给气体，其中，气体喷嘴(70)具有：管状的主体(71)，其以沿着处理槽(41)的底面的方式进行配置；以及喷出孔(77)，其形成为贯通主体(71)的内表面(73)与外表面(74)之间，并且开口面积随着从内表面(73)侧朝向外表面(74)侧而变小。
-
公开(公告)号：CN110010528A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910293356.1
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 提供基板液体处理装置和基板液体处理方法。在将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理的基板液体处理装置中，能够使用处理液对基板良好地进行处理。在本发明中，将处理液贮存于处理液贮存部，向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的药剂的第二水溶液并且从上述处理液贮存部排出上述处理液来更新贮存于上述处理液贮存部的上述处理液，此时，向上述处理液贮存部供给规定量的上述第二水溶液，并且从上述处理液贮存部排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液。
-
公开(公告)号：CN104821285B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510048353.3
申请日：2015-01-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 提供基板液体处理装置和基板液体处理方法。在将规定浓度的药剂的第一水溶液用作处理液来对基板进行液体处理的基板液体处理装置中，能够使用处理液对基板良好地进行处理。在本发明中，将处理液贮存于处理液贮存部，向上述处理液贮存部供给浓度与上述处理液的浓度不同的药剂的第二水溶液并且从上述处理液贮存部排出上述处理液来更新贮存于上述处理液贮存部的上述处理液，此时，向上述处理液贮存部供给规定量的上述第二水溶液，并且从上述处理液贮存部排出含有与供给至上述处理液贮存部的上述水溶液中含有的上述药剂的量相同量的药剂的上述处理液。
-
公开(公告)号：CN109698142A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811214795.0
申请日：2018-10-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
49
records
(took 0.031 seconds)
