公开(公告)号：CN109698142B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN201811214795.0

申请日：2018-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张健 ,  稻田尊士 ,  河野央 ,  藤津成吾 ,  佐藤秀明 ,  小西辉明 ,  盐川俊行 ,  小仓康司 ,  吉田博司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

公开(公告)号：CN109494152B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811055905.3

申请日：2018-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土屋孝文 ,  石井佑树 ,  益富裕之 ,  藤津成吾

IPC: H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备：处理槽，其收容处理液和基板；气体喷嘴，其在处理槽内的下部喷出气体；气体供给部，其供给气体；气体供给线，其将气体喷嘴和气体供给部连接；减压部，其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液；以及控制部，其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制：控制气体供给部以停止气体的供给，并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。

公开(公告)号：CN109698142A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811214795.0

申请日：2018-10-18

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 张健 ,  稻田尊士 ,  河野央 ,  藤津成吾 ,  佐藤秀明 ,  小西辉明 ,  盐川俊行 ,  小仓康司 ,  吉田博司

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，其能够缩短蚀刻处理时间。实施方式所涉及的基板处理装置具备基板处理槽、混合部以及供给线路。基板处理槽用于利用蚀刻液进行蚀刻处理。混合部将新液与含硅化合物或含有含硅化合物的液体混合。供给线路用于向基板处理槽供给通过混合部进行混合所得的混合液。

公开(公告)号：CN109494152A

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201811055905.3

申请日：2018-09-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 土屋孝文 ,  石井佑树 ,  益富裕之 ,  藤津成吾

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67086 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/302

Abstract: 本发明提供一种对于抑制结晶的产生或去除结晶有效的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置具备：处理槽，其收容处理液和基板；气体喷嘴，其在处理槽内的下部喷出气体；气体供给部，其供给气体；气体供给线，其将气体喷嘴和气体供给部连接；减压部，其通过使气体供给线减压来向气体供给线引入处理槽内的处理液；以及控制部，其构成为在处理槽中没有收容基板的空闲期间的一部分期间执行如下的第一控制：控制气体供给部以停止气体的供给，并且控制减压部以向气体供给线引入处理液。