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公开(公告)号：CN111653502B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202010111245.7
申请日：2020-02-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽的多个基片移动至比处理液的液面靠上方处。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放位置随着多个基片的上升而上升。本发明在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN111668136B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202010118877.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN111668136A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010118877.6
申请日：2020-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和存储介质。本发明的基片处理装置包括液处理槽、移动机构、释放部和控制部。液处理槽贮存处理液。移动机构使浸渍于液处理槽中的多个基片移动至比处理液的液面靠上方的位置。释放部向多个基片的从液面露出的部分释放有机溶剂的蒸气。控制部使释放部释放有机溶剂的蒸气的释放流量随着多个基片的上升而变化。由此，在通过使有机溶剂的蒸气与附着有处理液的基片接触而使基片干燥的技术中，能够提高处理液与有机溶剂的置换效率。
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公开(公告)号：CN110010459A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811590737.8
申请日：2018-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高山和也
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够缩短处理液的补充时间的基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法将基片浸渍在含有药液和硅的处理液中以进行蚀刻处理，包括准备步骤和补充步骤。准备步骤中，根据药液的补充量和硅的补充量来设定药液的供给流量。补充步骤中，以设定的供给流量供给药液，同时使设定的补充量的硅溶解在处理液中。
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公开(公告)号：CN118762990A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410684647.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/311 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：第一蚀刻工序，通过蚀刻液来蚀刻高层叠有氧化硅膜和氮化硅膜的基板中的氮化硅膜的一部分；加工工序，在第一蚀刻工序之后，通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工，来蚀刻氧化硅膜的前端部或在第一蚀刻工序中在氧化硅膜上形成的硅氧化物；以及第二蚀刻工序，在加工工序之后，通过蚀刻液来蚀刻基板中的氮化硅膜中的、在第一蚀刻工序中未蚀刻的部分，图案形状加工液对于氮化硅膜没有蚀刻能力或者蚀刻能力低，图案形状加工液是磷酸浓度高的磷酸处理液，实施第一蚀刻工序直至由氧化硅膜形成的图案的前端部露出为止，加工工序对露出的前端部进行加工。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111383958B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201911299983.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
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公开(公告)号：CN111383958A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201911299983.2
申请日：2019-12-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基片液处理装置。本发明的一个方面的基片液处理装置包括：处理槽，其贮存用于对多个基片实施液处理的处理液；基片支承部，其在处理槽内，以多个基片各自的主面沿铅垂方向的方式支承多个基片；处理液排出部，其设置在比由基片支承部支承的多个基片靠下方处，通过将处理液排出到处理槽内来生成上升流；和在侧方空间中调节处理液的液流的整流部，其中侧方空间形成在处理槽的第1侧壁与多个基片中具有和第1侧壁相对的主面的第1基片之间。本发明对基片液处理时的基片面内的处理的均匀性有效的。
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公开(公告)号：CN111524808B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202010079765.4
申请日：2020-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3213 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种即使为高层叠有氮化硅膜和氧化硅膜的基板也能够得到氧化硅膜的良好的图案形状的基板处理方法和基板处理装置，本公开的一个方式的基板处理方法包括第一蚀刻工序、加工工序以及第二蚀刻工序。第一蚀刻工序通过蚀刻液对形成有氧化硅膜和氮化硅膜的基板进行蚀刻。加工工序在第一蚀刻工序之后通过图案形状加工液对在基板中由氧化硅膜形成的图案进行加工。第二蚀刻工序在加工工序之后通过蚀刻液对基板进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN110010459B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201811590737.8
申请日：2018-12-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 高山和也
IPC: H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够缩短处理液的补充时间的基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法将基片浸渍在含有药液和硅的处理液中以进行蚀刻处理，包括准备步骤和补充步骤。准备步骤中，根据药液的补充量和硅的补充量来设定药液的供给流量。补充步骤中，以设定的供给流量供给药液，同时使设定的补充量的硅溶解在处理液中。
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公开(公告)号：CN113782467A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110597845.3
申请日：2021-05-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。提供如下技术：将基板用拒水剂拒水化，抑制基板的凹凸图案的倒塌、另外抑制拒水剂所导致的颗粒的发生。基板处理方法包括下述(A)～(E)。(A)将附着有处理液的基板搬入至处理容器的内部。(B)对前述搬入后的前述基板供给第1有机溶剂，将附着于前述基板的前述处理液去除。(C)对去除了前述处理液的前述基板供给拒水剂，将前述基板拒水化。(D)对前述拒水化了的前述基板供给第2有机溶剂。(E)使附着于前述基板的前述第2有机溶剂挥发，将前述基板干燥。
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