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公开(公告)号：CN1327493C
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200410095596.4
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1314826C
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN02810599.0
申请日：2002-05-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C4/02 , C23C26/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32477 , C23C4/02
Abstract: 在利用等离子体蚀刻处理对被处理物进行微细加工的等离子体处理容器内配置的等离子体处理容器内部件，作为前处理，利用使用等离子体放电的阳极氧化处理在该处理容器内部件的基材(101)的表面形成氧化处理层(111)后，在该氧化处理层(111)之上，形成热喷涂层(121)。
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公开(公告)号：CN1630041A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN200410095596.4
申请日：2001-05-16
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/00 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32458
Abstract: 本发明提供一种处理装置部件的装配机构，具备可以使构成处理室的顶板部的上部电极组件和电极组件升降的升降机构，其特征在于：上部电极单元由上部组件和下部组件可分离、合体地构成，下部组件具有圆柱状电极组件和可嵌合于圆柱状电极组件的周围的环状构件，在圆柱状电极组件的外周面或环状构件的内周面的任一方上形成多个突起，而在任意另外一方上形成与突起相对应的多条槽，槽是由为了应使圆柱状电极组件和环状构件进行嵌合将突起导向嵌合方向而向嵌合方向延伸的第1槽、和为了应使一旦嵌合的圆柱状电极组件和环状组件相对旋转对突起进行导向而向旋转方向延伸的第2槽构成，而且，第2槽随着加深向嵌合方向倾斜。
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公开(公告)号：CN1557018A
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02818626.5
申请日：2002-09-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C03C15/02 , C03B29/025 , C03C19/00 , Y02P40/57
Abstract: 本发明提供一种抑制了使用初期的微粒产生和其后的碎屑产生的等离子体处理装置用石英部件的加工方法、等离子体处理装置用石英部件和安装有该石英部件的等离子体处理装置。利用例如粒度为320～400#的磨料进行表面加工，除去在进行金刚石研磨以后在用作屏蔽环和聚焦环等的等离子体处理装置用石英部件151上产生的许多裂纹155。然后，再用小粒径的磨料进行表面加工，在维持能够附着并保持堆积物的凹凸的同时，去除破碎层163。
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公开(公告)号：CN1507652A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809527.8
申请日：2002-04-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/4405 , C23C16/4404
Abstract: 形成包覆膜的包覆剂(51)由环化橡胶－双叠氮化物等主要成分和感光剂组成的抗蚀剂构成，通过将从处理室(22)内取出的处理室内部件(50)浸渍在丙酮等剥离液中，可在剥离附着的包覆膜的同时，从处理室内部件(50)上分离堆积在处理室内部件(50)上形成的包覆剂(51)的包覆膜上的堆积物(52)。
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公开(公告)号：CN111799145B
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202010217971.7
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C04B35/56 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件仅由碳化钨相构成，并且包含选自由Fe原子、Co原子及Ni原子构成的组中的至少一种原子，这些原子的含量的合计为30～3300原子ppm。
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公开(公告)号：CN111799146B
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202010217975.5
申请日：2020-03-25
Applicant: 日本钨合金株式会社 , 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置用部件、具备该部件的等离子体处理装置及烧结体的使用方法。等离子体处理装置用部件具有碳化钨相及副相，该副相包含选自由相I、相II、相III、相IV及相V构成的组中的至少一种，相I为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳化物相，相II为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的氮化物相，相III为将除W以外的元素周期表的第四族、第五族及第六族元素中的至少一种作为构成元素的碳氮化物相，相IV为碳相，相V为由WxMyCz的式表示的复合碳化物相，碳化钨相的含有比例为99体积％以上，副相的含有比例为1体积％以下，孔隙率为2体积％以下。
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公开(公告)号：CN116598180A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310067277.5
申请日：2023-02-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种防止异常放电的等离子体处理装置。等离子体处理装置包括：等离子体处理腔室；基片支承部，其设置于上述等离子体处理腔室内，用于保持基片；和与上述基片支承部相对的喷淋头，上述喷淋头具有喷淋板，上述喷淋板形成有释放气体的气体流路，并包括：具有凹部的基材；和插入并被接合于上述凹部的埋入部件，上述气体流路包括：形成于上述基材并与上述凹部连通的第一流路；形成于上述埋入部件的第二流路；以及连通路，其形成于上述基材和上述埋入部件中的至少一者，将上述第一流路与上述第二流路连通。
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公开(公告)号：CN110983227B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201911269195.9
申请日：2017-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 福吉米株式会社
Abstract: 本发明涉及喷镀用材料和带喷镀膜的构件。提供能够形成耐等离子体侵蚀性进一步提高了的致密的喷镀膜的喷镀用材料。利用本发明公开的技术，制成下述喷镀用材料，其包含稀土元素(RE)、氧(O)和卤素元素(X)作为构成元素，并且包含稀土元素卤氧化物(RE‑O‑X)与稀土元素卤化物(REX3)的混晶。
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公开(公告)号：CN113948363A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110771521.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制颗粒的产生的蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容上述载置台的腔室；在上述腔室内生成等离子体的等离子体生成部以及配置于生成上述等离子体的空间的环状的石英构件，上述石英构件具有对在生成上述等离子体的空间中露出的表面进行覆盖的涂膜，上述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。
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