-
公开(公告)号：CN1779905A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510117315.5
申请日：2005-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66 , C23F4/00
Abstract: 本发明涉及一种基板处理系统，抑制由处理气体造成的测定装置的污染。在测定装置(4)的框体(30)内设置用于形成测定室(S)的测定区域(40)。测定室(S)将晶片(W)的搬运口(33)作为一个侧面，形成为长方体形状。在测定室(S)内设置载置板(42)。光学系统(45)被设置在分隔测定室(S)的顶面的相反侧。由此，光学系统(45)和测定室(S)的通气被遮断。在测定室(S)上设置向搬运口(33)提供清洁空气的供气口(50)。将晶片(W)送入测定室(S)，对晶片(W)进行测定时，从供气口(50)向搬运口(33)提供清洁的空气，将从搬运口(33)流入测定室(S)的处理气体稀释或压回去。
-
公开(公告)号：CN101256945A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810087855.7
申请日：2004-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统(1)备有减压处理装置(10)、液体处理装置(20)、构造判别装置(30)和系统控制装置(40)。减压处理装置(10)将抗蚀剂图案作为掩模对晶片实施蚀刻处理。通过该蚀刻处理在晶片表面上附着聚合物等的不要部位。液体处理装置(20)除去附着在晶片表面上的不要部位。构造判别装置(30)用椭圆偏光等的散射测量法判别除去不要部位的晶片的表面构造。
-
公开(公告)号：CN100543955C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710167543.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 菊池俊彦
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/8422 , G01N21/55 , G01N2021/555 , G01N2021/8427
Abstract: 本发明提供能够计算基底膜的正确的光学常数，从而能够正确地对晶片的表面构造进行确定的光学常数计算方法。在晶片(W)上将各膜叠层后，对在下方成膜有有机绝缘膜(32)的氧化膜(33)的反射率进行测定，并对通过等离子体将氧化膜(33)除去后露出的有机绝缘膜(32)的反射率进行测定，根据这些反射率计算因加热处理而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数和因等离子体而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数。
-
公开(公告)号：CN100405536C
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200510117315.5
申请日：2005-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/66 , C23F4/00
Abstract: 本发明涉及一种基板处理系统，抑制由处理气体造成的测定装置的污染。在测定装置(4)的框体(30)内设置用于形成测定室(S)的测定区域(40)。测定室(S)将晶片(W)的搬运口(33)作为一个侧面，形成为长方体形状。在测定室(S)内设置载置板(42)。光学系统(45)被设置在分隔测定室(S)的顶面的相反侧。由此，光学系统(45)和测定室(S)的通气被遮断。在测定室(S)上设置向搬运口(33)提供清洁空气的供气口(50)。将晶片(W)送入测定室(S)，对晶片(W)进行测定时，从供气口(50)向搬运口(33)提供清洁的空气，将从搬运口(33)流入测定室(S)的处理气体稀释或压回去。
-
公开(公告)号：CN101179042A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710167543.2
申请日：2007-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 菊池俊彦
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01N21/8422 , G01N21/55 , G01N2021/555 , G01N2021/8427
Abstract: 本发明提供能够计算基底膜的正确的光学常数，从而能够正确地对晶片的表面构造进行确定的光学常数计算方法。在晶片(W)上将各膜叠层后，对在下方成膜有有机绝缘膜(32)的氧化膜(33)的反射率进行测定，并对通过等离子体将氧化膜(33)除去后露出的有机绝缘膜(32)的反射率进行测定，根据这些反射率计算因加热处理而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数和因等离子体而变质的有机绝缘膜(32)的光学常数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1630940A
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN03803614.2
申请日：2003-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 菊池俊彦
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/0641 , G01N21/211
Abstract: 在氧化膜(301)的下层，形成有：由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层，和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射，p偏振光成分由D层界面反射，计算各个振幅反射率Rs、Rp，计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比ψ和相位差Δ的函数的tanψ和cosΔ，得到基准数据，基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此，能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。
-
公开(公告)号：CN1574242A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410059896.7
申请日：2004-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/66 , G03F7/42 , G03F7/26 , G01B11/00
CPC classification number: G01N21/211
Abstract: 本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统(1)备有减压处理装置(10)、液体处理装置(20)、构造判别装置(30)和系统控制装置(40)。减压处理装置(10)将抗蚀剂图案作为掩模对晶片实施蚀刻处理。通过该蚀刻处理在晶片表面上附着聚合物等的不要部位。液体处理装置(20)除去附着在晶片表面上的不要部位。构造判别装置(30)用椭圆偏光等的散射测量法判别除去不要部位的晶片的表面构造。
-
公开(公告)号：CN113948363A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110771521.7
申请日：2021-07-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种抑制颗粒的产生的蚀刻处理装置、石英构件以及等离子体处理方法。一种蚀刻处理装置，其具备：载置基板的载置台；收容上述载置台的腔室；在上述腔室内生成等离子体的等离子体生成部以及配置于生成上述等离子体的空间的环状的石英构件，上述石英构件具有对在生成上述等离子体的空间中露出的表面进行覆盖的涂膜，上述涂膜由与石英不同的材料形成，且具有10nm以上且小于800nm的厚度。
-
公开(公告)号：CN101256945B
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN200810087855.7
申请日：2004-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够用散射测量法非破坏地正确评价预定处理后的被处理体的表面构造的处理方法和处理系统。处理系统(1)备有减压处理装置(10)、液体处理装置(20)、构造判别装置(30)和系统控制装置(40)。减压处理装置(10)将抗蚀剂图案作为掩模对晶片实施蚀刻处理。通过该蚀刻处理在晶片表面上附着聚合物等的不要部位。液体处理装置(20)除去附着在晶片表面上的不要部位。构造判别装置(30)用椭圆偏光等的散射测量法判别除去不要部位的晶片的表面构造。
-
公开(公告)号：CN100521135C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN03803614.2
申请日：2003-02-10
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 菊池俊彦
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01B11/0641 , G01N21/211
Abstract: 在氧化膜(301)的下层，形成有：由金属布线(302)和层间绝缘膜(303)构成的B层，和由在与金属布线(302)正交方向形成的金属布线(304)和层间绝缘膜(305)所构成的D层的多层布线。入射光中的s偏振光成分由B层界面反射，p偏振光成分由D层界面反射，计算各个振幅反射率Rs、Rp，计算作为s偏振光成分和p偏振光成分的振幅比Ψ和相位差Δ的函数的tanΨ和cosΔ，得到基准数据，基于该基准数据来求出氧化膜(301)的膜厚(tA)。由此，能够非破坏且高生产率地进行在多层布线上形成的膜的膜厚测量和截面形状测量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.024 seconds)
