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公开(公告)号：CN106257623B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201610437677.0
申请日：2016-06-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明的课题在于提高工艺的生产量。一个实施例中的气体供给系统具有构成气体供给系统的多个构成部件和用于配置多个构成部件的基座(212)。在多个构成部件中，一部分构成部件配置于基座(212)的一个面(212a)，另一部分构成部件配置于作为基座(212)的一个面(212a)的背面的另一个面(212b)。在一个实施例中，多个构成部件例如是流量控制器(FD)和二次侧阀(FV2)，二次侧阀(FV2)配置于配置有流量控制器(FD)的基座(212)的面(212a)的背侧的面(212b)。
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公开(公告)号：CN102810445A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210174846.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN101329998B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200810128029.2
申请日：2005-02-04
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455
CPC classification number: H01L21/67167 , C23C16/455 , C23C16/45561
Abstract: 本发明提供一种半导体处理装置(1)，包括连接到公用搬运室(8)上的、用于对被处理基板(W)实施处理的多个处理室(2)。附设用于向各处理室(2)供给规定气体的气体供给系统(40)。气体供给系统(40)具有连接到规定气体源上的初级侧连接单元(23)和流量控制单元(13)。初级侧连接单元(23)配置在对应的处理室(2)的下侧。流量控制单元(13)配设到从初级侧连接单元(23)向对应的处理室(2)内供给气体的气体管道上。流量控制单元(13)被配置成至少一部分要重叠到初级侧连接单元(23)的上侧。
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公开(公告)号：CN112216587B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202010636740.X
申请日：2020-07-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种能够计算处理装置的与流量控制器有关的性能的性能计算方法和处理装置。性能计算方法获取多个流量控制器的出厂检查数据。性能计算方法基于获取到的出厂检查数据和表示流量控制器的性能的每个项目的第一系数，来计算通过偏差值表示每个流量控制器的性能的第一性能值。性能计算方法基于计算出的第一性能值和表示使用流量控制器的处理装置的性能的每个项目的第二系数，来计算通过偏差值表示处理装置的性能的第二性能值。
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公开(公告)号：CN117438353A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310852781.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够削减基片处理系统的设置面积的基片输送系统和输送模块。基片输送系统包括装载锁定模块、大气输送模块、第一装载口和第二装载口。大气输送模块具有第一侧壁、第二侧壁和第三侧壁。第一侧壁沿着第一方向延伸，与装载锁定模块连接。第二侧壁沿着与第一方向正交的第二方向延伸。第三侧壁位于第二侧壁的相反侧。第一装载口从第二侧壁沿着第一方向向外侧延伸。第二装载口从第三侧壁沿着第一方向向外侧延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114464550A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111273349.9
申请日：2021-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供能够利用隔热部件适当地对相邻设置的第1基片处理室与第2基片处理室之间进行隔热、并且能够适当地抑制基片处理时的该隔热部件的消耗的基片处理系统。本发明的基片处理系统包括：具有第1基片输送口的第1腔室；具有第2基片输送口的第2腔室，其能够实施基片处理；连接部件，其用于将所述第1基片输送口和所述第2基片输送口彼此连通；在从截面看时沿着所述第2基片输送口设置的隔热部，其用于将所述第1腔室与所述第2腔室之间热隔断；和设置在所述隔热部与所述第2基片输送口之间的防护部件，其用于防止所述第2腔室中的基片处理时的所述隔热部的消耗。
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公开(公告)号：CN113823547A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110643230.X
申请日：2021-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供能够减少所占空间的收纳装置、基片处理系统和消耗部件的输送方法。收纳装置包括载置台、传感器、旋转部、收纳部和升降部。载置台载置消耗部件。传感器检测消耗部件的方向。旋转部基于由传感器检测出的消耗部件的方向，使消耗部件向规定的方向旋转。收纳部位于载置台的下部，收纳消耗部件。升降部使收纳部升降。
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公开(公告)号：CN113451173A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110276490.8
申请日：2021-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种气体检查方法、基板处理方法以及基板处理系统，能够适当地对将气体供给部中的次级阀开启时的动作进行检查，所述气体供给部用于向基板处理装置的处理容器内供给气体。气体检查方法包括以下工序：输入将次级阀开启的信号；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力P；使用次级压力计来测定从输入将次级阀开启的信号起经过了期间t的时间点的、流量控制器的节流孔的下游侧的压力的标准偏差σ；将压力P与压力的阈值P0进行比较，并将压力的标准偏差σ与压力的标准偏差的阈值σ0进行比较，用以判定次级阀的开度是否正常。
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公开(公告)号：CN113394143A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110224166.1
申请日：2021-03-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677
Abstract: 本发明提供一种基片输送系统、真空基片输送模块和基片输送方法。基片输送系统包括基片处理模块、大气基片输送模块、第1真空基片输送模块、第2真空基片输送模块、负载锁定模块和真空基片输送机械臂。第1真空基片输送模块与大气基片输送模块和基片处理模块相邻地配置，具有第1输送空间。第2真空基片输送模块配置在第1真空基片输送模块之上或之下，具有与第1输送空间连通的第2输送空间，且具有俯视时比第1真空基片输送模块小的外形尺寸。负载锁定模块配置在大气基片输送模块与第2真空基片输送模块之间。真空基片输送机械臂配置在第1输送空间内或者第2输送空间内，能够输送基片。根据本发明，能够削减基片处理系统的设置面积。
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公开(公告)号：CN111094911A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004524.9
申请日：2019-05-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01F25/00
Abstract: 一种流量测量方法具备以下步骤：测量填充在第一流路和第二流路中的气体的第一压力；在测量出所述第一压力后，且在经由流量控制器向所述第一流路和所述第二流路供给气体后，测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第二压力及温度；在所述第一流路与所述第二流路之间未连接的状态下从所述第二流路对气体进行排气后，测量填充在所述第二流路中的气体的第三压力；在测量出所述第三压力后，在所述第一流路与所述第二流路连接的状态下，测量填充在所述第一流路和所述第二流路中的气体的第四压力；基于所述第一压力、所述第二压力、所述第三压力、所述第四压力以及所述温度，计算供给到所述第一流路和所述第二流路的气体的量。
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