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公开(公告)号：CN102810445B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201210174846.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。
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公开(公告)号：CN102810445A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210174846.8
申请日：2012-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32449 , C23C16/45523 , C23C16/45525 , C23C16/52 , H01J37/3244 , Y10T137/0368
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102737945A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210093432.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。
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公开(公告)号：CN118431062A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410526243.2
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110323119B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN110323119A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910231749.X
申请日：2019-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供能够减少反应生成物对载置台的载置面的附着的等离子体处理装置，其包括：载置台，具有载置作为等离子体处理的对象的被处理体的载置面；使被处理体相对于载置台的载置面升降的升降机构；和升降控制部，其在从对被处理体的等离子体处理结束至开始输送被处理体的期间，控制升降机构来将被处理体保持在载置台的载置面与被处理体隔开能够抑制反应生成物侵入的间隔的位置，在开始输送被处理体时，控制升降机构来使被处理体从被处理体被保持的位置上升。
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公开(公告)号：CN102737945B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210093432.2
申请日：2012-03-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32926 , H01J37/32532 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3299
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置、等离子体处理方法。在平行平板型的等离子体处理装置中，一边利用温度调整机构(47)将上部电极(40)调整至设定温度一边进行等离子体处理，以抑制由处理的环境气氛改变所引起的基板间的处理的均匀性的下降。包括：存储有用于进行等离子体处理的处理方案的方案存储部(56)；在输入画面中设定在开始使用新的第二电极之后的等离子体处理的累计时间或基板的处理个数和第二电极的设定温度的修正值的修正值设定部(54)；存储修正后的设定值的存储部(55)；和将写入处理方案的上部电极(40)的设定温度与上述存储部(55)内的修正值相加，基于修正后的设定温度控制温度调整机构(47)的程序。
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