公开(公告)号：CN102376558B

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201110231962.4

申请日：2011-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤义之 ,  水野秀树 ,  早川欣延

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。

公开(公告)号：CN102810445A

公开(公告)日：2012-12-05

申请号：CN201210174846.8

申请日：2012-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤义之 ,  网仓纪彦 ,  实吉梨沙子 ,  深泽公博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  Y10T137/0368

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。

公开(公告)号：CN102810445B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201210174846.8

申请日：2012-05-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 加藤义之 ,  网仓纪彦 ,  实吉梨沙子 ,  深泽公博

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  Y10T137/0368

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置及其气体供给方法，在交替切换处理气体的供给时，这些处理气体不会混合，比过去更能抑制过渡现象。在晶片的等离子体处理中交替切换至少两种以上的处理气体（例如C4F6气体与C4F8气体）并供给处理室内时，对于供给所切换的处理气体的各个气体供给路，开启设置于其气体供给路中的质量流量控制器（MFC）的下游侧的开闭阀，在质量流量控制器反复设定规定流量和零流量，由此交替开闭各个处理气体的供给。

公开(公告)号：CN102376558A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110231962.4

申请日：2011-08-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 小笠原正宏 ,  加藤义之 ,  水野秀树 ,  早川欣延

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32449 ,  H01J2237/3341

Abstract: 本发明提供一种蚀刻气体的供给方法和蚀刻装置。该蚀刻气体的供给方法使用简易的方法对在切换气体时产生的气体流量的波动进行抑制，从而进行使气体流量稳定的控制。该蚀刻气体的供给方法包括将用于蚀刻工艺的第1蚀刻气体供给到处理容器内步骤、将用于上述蚀刻工艺的第2蚀刻气体供给到上述处理容器内的步骤，从上述第1蚀刻气体以及上述第2蚀刻气体中的一种气体切换到另一种气体时，只以微少量将作为切换前的蚀刻气体所需要且作为切换后的蚀刻气体所不需要的气体继续供给。