公开(公告)号：CN115867027A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211121926.7

申请日：2022-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 秋山浩二 ,  田村知大 ,  藁科尚士

IPC: H10B41/20 ,  H10B43/20 ,  H10B41/35 ,  H10B43/35 ,  C30B29/06 ,  C30B31/04

Abstract: 本发明提供能够控制性良好且简易地使晶粒大粒径化的导电性部件的形成方法和沟道的形成方法。首先，在基片上形成第一部分和第二部分，其中，第一部分含有构成要得到的导电性部件的第一元素和与第一元素发生共晶反应的第二元素，第二部分含有与第二元素形成金属间化合物的第三元素。接着，使第一部分成为液相状态后调整基片的温度来使第一元素的初晶晶析。接着，在将基片的温度维持为相同温度的状态下，使第二元素从第一部分扩散到第二部分，使第一部分中的第一元素的晶体相对于液相的比率增加，使第一元素的晶粒生长。接着，将第二元素向第二部分的扩散结束后的第一部分，作为具有第一元素的晶粒的导电性部件。

公开(公告)号：CN115443523A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202180029630.X

申请日：2021-04-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 上田博一 ,  岩下光秋 ,  梅下尚己 ,  饭塚洋二 ,  早川崇 ,  关口贤治 ,  秋山浩二

IPC: H01L21/304 ,  B05D3/12 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683

Abstract: 本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。

公开(公告)号：CN102703877A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201210082649.3

申请日：2012-03-26

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 两角友一朗 ,  菅原卓也 ,  秋山浩二 ,  菱屋晋吾 ,  广田俊幸 ,  清村贵利

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/02189 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66181

Abstract: 本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。