公开(公告)号：CN102080219B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201010568506.4

申请日：2010-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。

公开(公告)号：CN103632955A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310204535.6

申请日：2009-06-03

Applicant: 气体产品与化学公司 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 杨柳 ,  雷新建 ,  韩冰 ,  萧满超 ,  E·J·卡瓦基 ,  长谷部一秀 ,  松永正信 ,  米泽雅人 ,  程寒松

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/316 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45536 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3145 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明公开了在低沉积温度下形成氮化硅、氧氮化硅、氧化硅、碳掺杂的氮化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜的方法。用于沉积的含硅前体是一氯甲硅烷和一氯烷基硅烷。该方法优选通过使用等离子体增强的原子层沉积、等离子体增强的化学气相沉积和等离子体增强的循环化学气相沉积进行。

公开(公告)号：CN101713067B

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN200910179605.0

申请日：2009-09-29

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  野寺伸武 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/54 ,  C23C16/455 ,  H01L21/00

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种成膜方法及成膜装置。在立式批量型CVD装置中，成膜方法构成为反复多次循环并将每次循环形成的薄膜进行层叠。循环是交替地进行以下工序：吸附工序，其用于使原料气体吸附在被处理基板的表面上；以及反应工序，其用于使反应气体与吸附原料气体发生反应。吸附工序构成为一边保持切断反应气体的供给一边隔着停止对处理区域供给原料气体的中间子工序来进行多次对处理区域供给原料气体的供给子工序。反应工序构成为一边保持切断原料气体的供给一边对处理区域连续供给反应气体。

公开(公告)号：CN102543692A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110446839.4

申请日：2011-12-28

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 藤井干 ,  松永正信 ,  山本和弥 ,  梅泽好太

IPC: H01L21/203 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45578 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/76834

Abstract: 公开了一种用于形成氮化物膜的方法。其中公开了使用垂直炉的等离子体辅助ALD方法，并且通过重复循环直到获得期望的膜厚度来执行该方法。该循环包括引入包含待被氮化的源的源气体、吸收、吹扫、引入氮化气体并且氮化该源，并且随后吹扫。相对于引入源气体期间的第一运载气体的流量，减少引入氮化气体期间的第二运载气体的流量。特别地，作为氮化气体的NH3气体与作为第二运载气体的N2气体的流量比为50∶3或更低。

公开(公告)号：CN101325160A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810142874.5

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  梅泽好太 ,  周保华

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/0217 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用成膜方法和装置。在能够选择性地供给包括硅烷气体的第一处理气体和包括氮化气体的第二处理气体的处理区域内进行多个循环，在被处理基板上形成氮化硅膜。各循环包括：进行第一处理气体的供给，另一方面，维持遮断第二处理气体的供给的第一供给工序；和进行第二处理气体的供给，另一方面，维持遮断第一处理气体的供给第二供给工序。该方法多个重复执行以下循环：第二供给工序包括激励第二处理气体的激励期间的第一循环组和第二供给工序不包括激励第二处理气体的期间的第二循环组。

公开(公告)号：CN104947080A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510138216.9

申请日：2015-03-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 本山丰 ,  福岛讲平 ,  松永正信 ,  户根川大和 ,  铃木启介

IPC: C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45563 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/458

Abstract: 本发明提供使用气体喷嘴的成膜装置。该成膜装置包括：第1和第2原料气体喷嘴，分别在与基板之间的间隙对应的高度位置形成有朝向基板的中央部喷出原料气体的多个气体喷出孔；向反应容器内供给反应气体的反应气体供给部；第1和第2原料气体供给路径，分别与第1和第2原料气体喷嘴相连接；第1和第2罐，分别设于第1和第2原料气体供给路径的中途，以升压了的状态储存原料气体；设于第1和第2罐的上游侧和下游侧的阀；对反应容器内进行真空排气的排气口，在排列有基板的高度区域中的、排列方向上的中央的高度区域配置有第1和第2原料气体喷嘴这两者的气体喷出孔，在中央的高度区域以外配置有第1和第2原料气体喷嘴中的至少一者的气体喷出孔。

公开(公告)号：CN101413113B

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN200810176992.8

申请日：2008-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  井上久司

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源，该高频电源包括第一和第二输出端子，第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构，切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。

公开(公告)号：CN101488452B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200910005511.1

申请日：2009-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  松永正信 ,  佐藤润 ,  周保华

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/02274 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3185

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。

公开(公告)号：CN102097302A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010566113.X

申请日：2010-11-25

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  铃木启介 ,  张宰赫 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  C23C16/34

CPC classification number: H01L21/3185 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种成膜方法和成膜装置，该成膜方法使被收纳在能够保持真空的处理容器内的被处理体的温度为150～550℃，反复多次进行交替地含有第1供给工序和第2供给工序的循环，从而在上述被处理体上形成氮化硅膜。在上述第1供给工序中，向将压力设定为66.65～666.5Pa的上述处理容器内供给作为Si源的一氯硅烷气体。在上述第2供给工序中，向上述处理容器内供给作为氮化气体的含氮气体。

公开(公告)号：CN102080219A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010568506.4

申请日：2010-11-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 松永正信 ,  周保华 ,  米泽雅人 ,  长谷川雅之 ,  长谷部一秀

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546

Abstract: 本发明提供一种立式成膜装置及其使用方法。该立式成膜装置的使用方法在不存在产品用被处理体的状态的处理容器内，进行用覆膜包覆处理容器的内壁的覆膜处理，接着，在收纳有保持了产品用被处理体的状态的保持构件的处理容器内，进行在产品用被处理体上形成规定的膜的成膜处理。在覆膜处理中，将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内且均不将第1处理气体和第2处理气体等离子化就供给到处理容器内。在成膜处理中，一边利用等离子体生成系统将第1处理气体和第2处理气体中的至少一种气体等离子化而供给到处理容器内一边将第1处理气体和第2处理气体交替地供给到处理容器内。