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公开(公告)号:CN113169062A
公开(公告)日:2021-07-23
申请号:CN201980077095.8
申请日:2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法,包括:在处理容器的内部布置基板的工序;从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序;使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序;以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞,从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号:CN103094164B
公开(公告)日:2017-05-17
申请号:CN201210435430.7
申请日:2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , G03F7/70691 , H01L21/02043 , H01L21/67046 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67225 , H01L21/67242 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67706 , H01L21/67748 , H01L21/6875 , H01L22/20
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。涂敷显影处理系统的交接站(5)具有:将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面在其被搬入到曝光装置之前检查该晶片能否在曝光装置中进行曝光的晶片检查单元(142)、具有在各单元(141、142)之间搬送基板的臂的晶片搬送装置(120、130)和控制晶片搬送装置(120、130)的动作的晶片搬送控制部。晶片搬送控制部控制晶片搬送装置(120、130),使得当检查的结果被判断为,晶片的状态是通过由清洗单元(141)再清洗成为能够曝光的状态时,再次将该晶片搬送到清洗单元(141)。
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公开(公告)号:CN113169062B
公开(公告)日:2024-07-19
申请号:CN201980077095.8
申请日:2019-11-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 一种基板清洗方法,包括:在处理容器的内部布置基板的工序;从布置在所述处理容器的内部的气体喷嘴的喷射口喷射气体的工序;使通过来自所述气体喷嘴的气体的喷射而产生的垂直冲击波与所述基板的主表面碰撞的工序;以及通过使所述垂直冲击波与所述基板的所述主表面碰撞,从而将附着在所述基板的所述主表面上的颗粒去除的工序。
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公开(公告)号:CN117238796A
公开(公告)日:2023-12-15
申请号:CN202310655477.2
申请日:2023-06-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供提高超临界干燥后的基片的清洁度的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括液处理装置、超临界干燥装置、第一装载锁定装置、干式清洗装置和控制装置。液处理装置在基片的表面形成液膜。超临界干燥装置通过将液膜替换为超临界流体来干燥基片。第一装载锁定装置在基片的输送路径的中途,将基片的周边气氛从常压气氛和减压气氛中的一者切换为另一者。干式清洗装置在减压下对基片的表面进行干式清洗。控制装置依次实施由液处理装置进行的液膜的形成、由超临界干燥装置进行的基片的干燥、由第一装载锁定装置进行的基片的周边气氛的切换和由干式清洗装置进行的基片的干式清洗。
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公开(公告)号:CN107256838B
公开(公告)日:2020-11-27
申请号:CN201710256275.5
申请日:2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。基板处理系统具有在曝光前进行基板的背面清洗的功能,能够提高基板处理的成品率。涂敷显影处理系统的交接站(5)具有:在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的清洗单元(100);在晶片搬入到曝光装置之前,对于清洗后的晶片的背面检查该晶片能否进行曝光的检查单元(101);暂时收纳由检查单元(101)检查后的晶片的缓冲单元(111);和晶片搬送机构(120,130),其包括在各单元(100,101,111)之间搬送晶片的臂。
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公开(公告)号:CN107256838A
公开(公告)日:2017-10-17
申请号:CN201710256275.5
申请日:2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种基板处理系统和基板搬送方法。基板处理系统具有在曝光前进行基板的背面清洗的功能,能够提高基板处理的成品率。涂敷显影处理系统的交接站(5)具有:在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的清洗单元(100);在晶片搬入到曝光装置之前,对于清洗后的晶片的背面检查该晶片能否进行曝光的检查单元(101);暂时收纳由检查单元(101)检查后的晶片的缓冲单元(111);和晶片搬送机构(120,130),其包括在各单元(100,101,111)之间搬送晶片的臂。
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公开(公告)号:CN103094160B
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201210436221.4
申请日:2012-11-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/677
CPC classification number: H01L21/67046 , H01L21/67173 , H01L21/67178 , H01L21/6719 , H01L21/67213 , H01L21/67253 , H01L21/67748 , H01L21/6875
Abstract: 本发明提供基板处理系统和基板搬送方法。在具有处理站(3)和交接站(5)的涂敷显影处理系统中,交接站(5)具有:在将晶片搬入到曝光装置之前至少清洗晶片的背面的晶片清洗单元(141)、至少对清洗后的晶片的背面,在搬入到曝光装置之前检查能否进行该晶片的曝光的晶片检查单元(101)、具有在清洗单元(141)和检查单元(142)之间搬送晶片的臂的晶片搬送装置(120)。清洗单元(141)和检查单元(142)在交接站(5)的正面侧,在上下方向设置有多层,晶片搬送装置(120)设置于与清洗单元(141)和检查单元(142)相邻的区域。
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公开(公告)号:CN102233989B
公开(公告)日:2014-07-23
申请号:CN201110079737.3
申请日:2011-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B05B9/03 , B05B15/30 , Y10T137/314 , Y10T137/8593 , Y10T137/86332
Abstract: 本发明提供一种能够防止处理液残留在容器主体的处理液供给机构。该处理液供给机构包括:固定筒部,自盖部向容器主体的上方突出,在其周面上形成有螺纹;移动筒部,与该固定筒部同轴地螺合设置于该固定筒部的内侧或外侧;处理液供给管,相对于由固定筒部和移动筒部构成的筒部沿轴向移动自如地贯通该筒部和上述盖部的同时,轴向的位置相对于移动筒部被固定;旋转操作部,具有与移动筒部同轴设置的环状部。在上述移动筒部及上述环状部分别设置有卡合部及被卡合部,在旋转上述旋转操作部时,卡合部及被卡合部相互卡合而移动筒部旋转,当施加于移动筒部的转矩变大时,卡合被解除。由此使处理液供给管的下端抵接于容器主体的底部而被固定。
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公开(公告)号:CN119547184A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202380052931.3
申请日:2023-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置的一个实施方式具备:基板的搬入搬出块;干式清洗块,其具备减压搬送装置和在减压气氛下进行基板的干式清洗的多个处理单元;以及加载互锁块,在该加载互锁块设置有将常压气氛的搬入搬出块与减压气氛的干式清洗块连接的至少一个加载互锁单元,其中,在干式清洗块中,作为多个处理单元,具有:至少一个真空烘烤单元,其通过在减压气氛下对基板进行加热,来去除附着于基板的表面的附着物;以及至少一个气体簇清洗单元,其在减压气氛下对基板的表面照射气体簇来去除附着于基板的表面的附着物。
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公开(公告)号:CN109482381B
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN201811057063.5
申请日:2018-09-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本公开涉及供给异物更少的处理液的处理液供给装置以及基板处理系统。抗蚀液供给装置(200)经由配设了用于去除抗蚀液中的异物的过滤器(206)以及用于送出抗蚀液的泵(207)的供给路径(202),向涂布喷嘴(142)供给抗蚀液。在作为隔管泵的泵(207)以及过滤器(206)的上游侧配有设开闭阀(205),在泵(207)以及过滤器(206)的下游侧配设有回吸阀(208)。控制部(U)进行使来自泵(207)的抗蚀液的送出停止的控制,以及进行在通过回吸阀(208)的动作使来自涂布喷嘴(142)的抗蚀液的喷出中断之后、将开闭阀(205)关闭以使所述喷出完全停止的控制。
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