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公开(公告)号：CN115702338B
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202180041508.4
申请日：2021-06-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
Abstract: 异物检查基板具备检查基板、照射器以及受光器。在所述检查基板贯通形成有供处理液通过的通过部。所述照射器用于对所述处理液照射检查光。所述受光器接受由于所述处理液中的异物在所述检查光中通过而产生的散射光、或者由于所述处理液中的异物在所述检查光中通过而衰减的透射光。所述受光器包括用于将接受到的所述散射光或所述透射光转换为电信号的光电转换元件。所述照射器和所述受光器设置于所述检查基板。
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公开(公告)号：CN108376660B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201810096859.5
申请日：2018-01-31
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种基板液处理装置。防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。基板液处理装置具备盖体(71、72)，该盖体(71、72)能够在使内槽(34A)的上部开口封闭的封闭位置与使内槽的上部开口开放的开放位置之间移动。盖体具有：主体部(71A、72A)，其在该盖体位于封闭位置时覆盖内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部(71B、72B、71D、72D)，其连接到主体部。在盖体位于封闭位置时，飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
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公开(公告)号：CN111081597A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987885.1
申请日：2019-10-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
Abstract: 本发明提供基板处理装置和基板处理方法。能够更可靠地抑制微粒的产生。基板处理装置具有：基板保持旋转部，其保持基板并使其旋转；处理液供给喷嘴，其向利用所述基板保持旋转部保持的基板的周缘部供给处理液；以及气体供给喷嘴，其设于俯视时比所述周缘部靠内侧的位置，向所述基板的被供给所述处理液的处理面上呈环状供给气体，所述气体供给喷嘴自与所述处理面垂直的方向朝向相对于所述基板的旋转中心向外方倾斜的方向呈环状供给所述气体。
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公开(公告)号：CN119547185A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380053033.X
申请日：2023-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
IPC: H01L21/304
Abstract: 一个实施方式所涉及的基板处理方法包括以下工序：将通过被供给处理液而进行了液处理的基板搬入真空腔室的工序；以及真空烘烤工序，在将所述真空腔室内设为比常压低的预先决定的处理压力的状态下，以预先决定的处理温度来加热所述基板，由此去除由于所述液处理而附着于所述基板的表面的附着物，其中，所述处理温度是比大气压下的所述附着物的沸点低的温度。
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公开(公告)号：CN111446150B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119547184A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202380052931.3
申请日：2023-07-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304
Abstract: 基板处理装置的一个实施方式具备：基板的搬入搬出块；干式清洗块，其具备减压搬送装置和在减压气氛下进行基板的干式清洗的多个处理单元；以及加载互锁块，在该加载互锁块设置有将常压气氛的搬入搬出块与减压气氛的干式清洗块连接的至少一个加载互锁单元，其中，在干式清洗块中，作为多个处理单元，具有：至少一个真空烘烤单元，其通过在减压气氛下对基板进行加热，来去除附着于基板的表面的附着物；以及至少一个气体簇清洗单元，其在减压气氛下对基板的表面照射气体簇来去除附着于基板的表面的附着物。
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公开(公告)号：CN116438633A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202180073335.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
IPC: H01L21/306
Abstract: 本公开说明一种基板处理装置、基板处理方法以及计算机可读取的记录介质，能够高精度地测定形成于基板的表面的膜的厚度。基板处理装置具备：旋转保持部，其构成为保持基板并使所述基板旋转；药液供给部，其构成为在旋转保持部使基板旋转期间向基板的表面供给蚀刻液；冲洗液供给部，其构成为在旋转保持部使基板旋转期间向基板的表面供给冲洗液；测定部，其构成为在测定头位于基板的表面附近的状态下测定膜的厚度；驱动部，其构成为在测定部进行测定期间，使测定头相对于基板的表面沿水平方向相对移动；以及辅助供给部，其构成为在测定部进行测定期间，向测定头与基板的表面之间的间隙供给冲洗液，使间隙充满冲洗液。
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公开(公告)号：CN1852778B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200480011898.7
申请日：2004-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
CPC classification number: B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于将清洗液喷洒在基底上的装置和方法，其中所述清洗液通过一个喷嘴阵列基本喷洒在靠近基底的中心处并且通过第二喷嘴阵列喷洒在穿越所述基底的径向范围。因此，所述装置包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流速。
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公开(公告)号：CN1852778A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200480011898.7
申请日：2004-07-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 小杉仁
CPC classification number: B08B3/02 , Y10S134/902
Abstract: 一种用于将清洗液喷洒在基底上的装置和方法，其中所述清洗液通过一个喷嘴阵列基本喷洒在靠近基底的中心处并且通过第二喷嘴阵列喷洒在穿越所述基底的径向范围。因此，所述装置包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流速。
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公开(公告)号：CN111446150A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010051108.9
申请日：2020-01-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/67 , H01L21/687 , B05B9/03 , B05B13/02
Abstract: 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。防止或至少大幅抑制在自分别的喷嘴同时向基板上供给第1处理液和第2处理液时由第1处理液和第2处理液的相互干扰引起的液体飞溅和/或形成于基板上的处理液的液膜厚度的不均匀。由第1处理液形成的第1液柱和由第2处理液形成的第2液柱满足下述关系。作为第1液柱的中心轴线的第1中心轴线和作为第2液柱的中心轴线的第2中心轴线中的至少第2中心轴线相对于基板的旋转轴线倾斜。在沿着旋转轴线的方向观察时，通过由包含基板的表面在内的水平平面剖切第1液柱和第2液柱而得到的第1断面和第2断面至少局部重叠。在沿着所述旋转轴线的方向观察时，第1中心轴线上的任意的点位于第2中心轴线上。
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