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公开(公告)号：CN1908813A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610030241.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 上海大学
IPC: G03F1/14
Abstract: 本发明涉及一种X射线光刻掩模版的制备方法，属光刻掩模版制造技术领域。本发明主要采用热丝化学气相沉积法沉积的金刚石薄膜作为X射线光刻掩模基膜材料，并通过改进的工艺参数和后期处理工艺，改善金刚石薄膜的性能，提高金刚石薄膜的光学透过率和表面平整度。通过对硅片的预处理、金刚石薄膜的沉积、去除部分硅片开出圆形透光宽口并形成硅支撑以及金刚石薄膜上贴附一层重金属金膜层，最终制成具有掩模暴光图形的掩模板。
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公开(公告)号：CN1874009A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610028171.0
申请日：2006-06-27
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种高性能的紫外光探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺技术领域。本发明方法采用传统的、现有的热丝化学气相淀积装置，在硅片衬底上(100)晶面上淀积金刚石薄膜，再在此金刚石薄膜层上蒸镀一定厚度的金电极，并经光刻工艺形成指宽和间距均为25微米的叉指状梳状电极，并用镁铝丝引线引出，最终制成金刚石膜紫外光探测器。此金刚石膜紫外光探测器能达到的性能指标为：暗电流＜1nA/cm2，响应时间接近10－10秒，其综合性能优于其他紫外光探测器。
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公开(公告)号：CN1623951A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410067786.5
申请日：2004-11-03
Applicant: 上海大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种氧化铝－金刚石复合材料的制造方法，属无机复合材料制造工艺技术领域。本发明的制备工艺方法，其特征在于先由金刚石微粉均匀分布于纯氧化铝陶瓷体系中并通过热压烧结制成两相共存的复合基底，然后在此复合基底上，用热丝化学气相沉积法生长金刚石薄膜，最终制成具有大面积金刚石薄膜的氧化铝－金刚石复合材料；本发明的具体步骤包括：纯氧化铝陶瓷体系的制备、添加助烧剂、合成煅烧、添加金刚石微粉、复合基底的热压烧结、化学气相沉积金刚石薄膜，最后制成本发明的新型氧化铝－金刚石复合材料。本发明的复合材料适合于制作大规模集成电路的基片材料，可用作封装管壳的基片材料。
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公开(公告)号：CN1557758A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410016260.4
申请日：2004-02-12
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明涉及一种微条气体室探测器复合基板的制造方法，它是采用射频等离子体辅助化学气相沉积法由D263玻璃上沉积类金刚石膜而制成。对光学玻璃D263预处理，放入高真空反应室中沉积，然后在氮气气氛炉中退火处理而制得复合基板。本发明通过施加偏压、增加磁场和退火处理来获得高质量类金刚石膜/D263玻璃复合基板，可克服薄膜与衬底应力大、结合力差等问题，使探测器电荷积累效应小和基板稳定性好。本发明制作工艺简单、制作周期快、成本低廉和实用性强。
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公开(公告)号：CN1415781A
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：CN02137372.8
申请日：2002-10-10
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种用作集成电路封装基板材料的制造方法，它是以氧化铝陶瓷为基材，其特征是在该基材上沉积有金刚石薄膜，而制成金刚石膜/氧化铝双层结构基板材料，其工艺方法是采用热丝化学气相沉积法在氧化铝陶瓷上生长金刚石薄膜，即以钨丝作为加热源，采用乙醇和氢气为反应物，在真空减压条件下使反应室内放置的氧化铝陶瓷基材上沉积金刚石薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103952675A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410173480.1
申请日：2014-04-28
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明为一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法，公开了一种应用于光伏产业的硫化亚铜薄膜的制备技术。所述制备方法是基于直流磁控溅射技术。该工艺以高纯度硫化亚铜为溅射靶材，使用氩气作为工作气体。该方法具有沉积速率高、膜厚可控、重复性好等特点，可以制备大面积、均匀、高质量的硫化亚铜薄膜，有望实现硫化亚铜薄膜的产业化生产。
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公开(公告)号：CN102386281B
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201110359607.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种基于ZnO/纳米金晶刚石薄膜异质结光电探测器的制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。本发明主要特点在于采用高导电率的氢终端纳米金刚石薄膜作为p型层，并在此层上制备高质量的n型ZnO薄膜，从而得到ZnO/纳米晶金刚石异质结光电探测器件。本发明所得器件对350nm的紫外光具有明显的光电响应。相对于一般的ZnO/金刚石探测器，具有更好的pn结光电响应特性。
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公开(公告)号：CN102451762B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201010526604.1
申请日：2010-11-01
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明涉及一种能利用可见光催化分解水制氢的复合型光催化剂体系的制备方法。该体系以环化聚丙烯腈为基体，以铁系氧化物为主体，复合其他金属氧化物，并以少量贵金属修饰而成。其中，铁系氧化物包括三价铁与二价铁，具有一定磁性；其他金属氧化物含以下一种或几种金属元素：镁、钙、锶、钡、铬、锰、钴、镍、铜、锌、镓、镉、铟、锡，其中，铜包括1价和2价，锡包括2价和4价；修饰的贵金属包括以下一种或几种：钌、铑、钯、银、金、铂。所得环化聚丙烯腈和贵金属修饰的多金属复合铁系氧化物通过热处理后，形成复合型光催化剂体系，用于光解水制氢，其催化活性优良，光解水产氢率可达550μmol/(g.h)。催化后，催化剂易于回收处理，稳定性好，耐用性强。
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公开(公告)号：CN101950769B
公开(公告)日：2012-02-15
申请号：CN201010215805.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdTe薄膜太阳能电池欧姆接触背电极的制造方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该背电极为CuxO/Cu复合电极，电极结构如图所示；电极制备方法是：采用磁控溅射仪在CdTe薄膜上溅射电极，溅射靶材为高纯Cu电极；溅射时先通入氩气和氧气的混合气体，采用直流磁控法溅射Cu靶从而在CdTe薄膜表面形成CuxO电极；溅射一定时间后关闭氧气气源，继续溅射，从而形成CuxO/Cu复合电极；CuxO/Cu复合电极制备后，将薄膜真空高温退火。采用该复合电极及电极制备方法可以使CdTe薄膜太阳能电池的效率得到提高，促进其应用。
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公开(公告)号：CN101887921A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010215756.X
申请日：2010-06-29
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/04 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及的是一种CdMnTe薄膜太阳能电池及其制备方法，属于无机非金属材料器件制造工艺领域。该CMT薄膜太阳能电池的结构为：透明导电玻璃/CdS/CdMnTe/背电极或透明导电玻璃/CMT电池/CuInSe2电池/背电极的叠层电池。其中CMT薄膜制备方法是：采用近空间升华法在衬底上沉积CdMnTe薄膜；薄膜沉积后，采用近空间升华设备，在氯化镉蒸汽氛围中对CMT薄膜进行高温退火。采用CMT薄膜制备太阳能电池有利于促进低成本、高稳定性和高效率叠层太阳能电池的发展。
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