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公开(公告)号：CN112786094A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911089184.2
申请日：2019-11-08
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种对存储装置执行操作的方法，其包括确定待施加于操作单元的初始操作电压和可施加于操作单元的最大操作电压；将初始操作电压至最大操作电压的操作区段分为M个子操作区段，操作电压适于基于子操作区段以预定增量从初始操作电压逐段增大，操作电压在相邻的子操作区段具有不同的预定增量和不同的脉冲宽度，M为大于1的自然数；对操作单元施加初始操作电压以执行操作；对操作执行校验；判断校验是否成功，如果为否，则基于子操作区段逐段增大操作电压、对操作单元施加增大的操作电压以执行操作、对操作执行校验，直至校验成功。本申请实施例优化了操作对高压的控制，缩短了操作时间，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107230677B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201610170806.4
申请日：2016-03-24
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H01L27/11517 , H01L27/11521
Abstract: 一种NAND闪存的数据单元阵列结构及其制造方法，在半导体衬底上形成鳍部，鳍部包含在竖向上层叠的源极层、沟道层和漏极层，或者包含源极层和漏极层，在鳍部上形成若干叠层结构，叠层结构包含覆盖鳍部顶部和两侧的隧穿介质层、覆盖隧穿介质层顶部和两侧的电荷陷阱层、覆盖电荷陷阱层顶部和两侧的栅介质层和覆盖在所述栅介质层的顶部和两侧的栅极，在鳍部的一端形成连接源极层的串源极，在鳍部的另一端形成连接漏极层的串漏极。本发明具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，解决了数据单元读取干扰的问题。数据单元使用了TFET，是一个具有双栅极的器件，开关速度快，关断电流小。数据单元的形成方法与传统FinFET工艺兼容，简化了工艺，减少了工艺成本。
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公开(公告)号：CN107229575A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610169855.6
申请日：2016-03-23
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06F12/0871 , G06F12/0877 , G06F12/121
CPC classification number: G06F12/0871 , G06F12/0877 , G06F12/121
Abstract: 一种缓存性能的评估方法及装置。所述方法包括：获取n个待访问数据的存储地址；调整待评估的缓存的各配置参数，模拟所述待评估的缓存访问各所述待访问数据，分别获得访问各所述待访问数据时，所述各配置参数在不同数值下对应的平均访存时间；将所述各配置参数在不同数值下对应的平均访存时间作为评估结果并输出。应用所述方法及装置可以提高Cache性能评估的准确性。
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公开(公告)号：CN107229574A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201610169736.0
申请日：2016-03-23
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06F12/0871 , G06F12/121
CPC classification number: G06F12/0871 , G06F12/121
Abstract: 一种缓存及其控制方法。所述缓存包括：控制单元和存储区，其中，所述存储区，包括第一子区，所述第一子区适于存储存储地址的标识信息以及对应的使用频度信息，所述第一子区所存储的存储地址的使用频度均大于预设频度；所述控制单元包括：提取子单元；地址划分子单元；第一处理子单元，适于根据所述存储地址对应的缓存块的地址信息，搜索所述第一子区；根据搜索结果判断所述存储地址在所述第一子区中是否命中；第一执行子单元，适于根据所述存储地址在所述第一子区中是否命中的判断结果，获取相应的数据并返回。应用所述缓存可以提高Cache性能评估的准确性。
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公开(公告)号：CN105719244A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410736275.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G06T5/00
Abstract: 一种图像增强处理方法及装置，所述方法包括：将当前像素点的色度信号Cb和色度信号Cr进行色轴旋转，使其旋转到以最饱和的目标色为纵轴的色彩空间中，得到旋转后的色度矢量；获取旋转后的色度矢量在所述色彩空间的调整区域中的子区域；根据预设的亮度信号Y对Cr的约束方程与Y对Cb的约束方程，以及当前像素点上的Cb和Cr，获取第一倍增因子；在所述色度矢量所处的子区域对应的预设的倍增因子映射表中，获取所述第一倍增因子所处的数值区间，并获取所述数值区间对应的第二倍增因子；将所述第二倍增因子分别与Cb和Cr相乘，得到增强后的色度信号Cb_out和增强后的色度信号Cr_out并输出。采用所述方法及装置，在YCbCr空间里进行图像增强时可以有效避免过饱和现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105635873A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410607972.7
申请日：2014-10-31
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种NFC蓝牙耳机、系统及其控制方法，所述NFC蓝牙耳机包括：蓝牙芯片；与所述蓝牙芯片耦接的NFC芯片，其中：所述蓝牙芯片，适于接收所述智能终端发送的控制指令并转发至所述NFC芯片，接收所述NFC芯片发送的应答信号并转发至所述智能终端，以及接收所述智能终端发送的操作指令并转发至所述NFC芯片；所述NFC芯片，适于在接收所述蓝牙芯片转发的控制指令时，根据所述控制指令切换成对应的工作模式，并向所述蓝牙芯片发送应答信号，以及接收所述蓝牙芯片转发的来自智能终端的操作指令，根据所述操作指令执行对应的操作。采用所述NFC蓝牙耳机、系统及其控制方法，可以使NFC蓝牙耳机的功能多样化。
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公开(公告)号：CN112331248B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN201910717282.X
申请日：2019-08-05
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
Abstract: 一种用于建立NOR存储器读电压的电荷泵电路和NOR存储器，电荷泵电路包括：低压降稳压模块，低压降稳压模块包括反馈电路，反馈电路用于维持低压降稳压模块的第一输出电压；升压模块，升压模块耦接低压降稳压模块的输出端，升压模块用于接收第一输出电压并且输出读电压；高压通路模块，高压通路模块耦接升压模块的输出端，高压通路模块用于维持读电压。本发明的技术方案能够防止读电压由于漏电流造成的电压降低，并且使得读电压与电源电压无关。
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公开(公告)号：CN111864694B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201910362227.3
申请日：2019-04-30
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H02H3/32
Abstract: 一种剩余电流保护电路，包括：互感器、保护开关、剩余电流保护控制单元、剩余电流模拟单元和自检测单元，所述自检测单元与所述保护开关所在线路连接；在自检测状态下，所述自检测单元用于控制所述剩余电流模拟单元产生模拟剩余电流，检测所述保护开关所在线路上的电平变化，切断剩余电流保护控制单元与保护开关的连接，或者控制剩余电流保护控制单元在经过保护时间后再控制保护开关所在线路导通。采用上述方案，避免剩余电流结束时产生的电动势导致剩余电流保护电路误动作。
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公开(公告)号：CN110096091B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910499414.6
申请日：2019-06-11
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: G05F1/575
Abstract: 一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，包含启动电路，主体电路和升压电路，启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg，升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管，提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性，同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。
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公开(公告)号：CN106847819B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201510882991.5
申请日：2015-12-03
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H01L27/11524
Abstract: 一种NAND闪存存储单元、NAND闪存及其形成方法。所述NAND闪存存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一鳍部；所述第一鳍部至少包括从下到上层叠的第一隔离层、第一叠层结构、第二隔离层和第二叠层结构；所述第一叠层结构包括第一源层、第一沟道层和第一漏层；所述第二叠层结构包括第二源层、第二沟道层和第二漏层。所述NAND闪存存储单元具有很好的工艺尺寸持续缩小能力，并且所述NAND闪存存储单元能够从器件结构上解决存储单元读取干扰的问题。同时，所述NAND闪存的形成方法简单，工艺成本降低。
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