公开(公告)号：CN110096091A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201910499414.6

申请日：2019-06-11

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 崔冰 ,  徐灵炎 ,  沈磊 ,  赵凯 ,  刘跃智 ,  俞剑

IPC: G05F1/575

Abstract: 一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，包含启动电路，主体电路和升压电路，启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg，升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管，提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性，同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。

公开(公告)号：CN114078517A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202010809953.8

申请日：2020-08-12

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 赵凯 ,  李建忠 ,  崔冰 ,  王海华 ,  沈鸣杰 ,  俞剑 ,  徐烈伟 ,  于芳 ,  俞军

IPC: G11C11/419 ,  G11C7/24

Abstract: 一种灵敏放大器及存储器。所述灵敏放大器包括：第一锁存电路及第二锁存电路，所述第一锁存电路具有电位互补的第一输入节点及第二输入节点；所述第二锁存电路具有电位互补的第一抗翻转节点及第二抗翻转节点；其中：所述第二锁存电路，与所述第一锁存电路耦接，适于在所述第一输入节点及第二输入节点的电位互补后，当所述第一输入节点或第二输入节点出现单粒子瞬态时，通过调整所述第一抗翻转节点及第二抗翻转节点的电位，来保持另一输入节点的电位不变，并通过所述另一输入节点为出现单粒子瞬态的输入节点充电，直至恢复所述出现单粒子瞬态的输入节点的电位。应用上述方案，可以使得所述灵敏放大器能够抵抗单粒子翻转。

公开(公告)号：CN110096091B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201910499414.6

申请日：2019-06-11

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 崔冰 ,  徐灵炎 ,  沈磊 ,  赵凯 ,  刘跃智 ,  俞剑

IPC: G05F1/575

Abstract: 一种耐压亚阈值CMOS基准源电路，包含启动电路，主体电路和升压电路，启动电路用于保证主体电路的正常开启，所述的主体电路用于产生基准电压vbg，升压电路用于将基准电压vbg升高到基准参考电压vref。通过在电源电压vdd和基准电压vbg之间增加多层晶体管，提高了亚阈值CMOS基准源的耐压性，同时提高了亚阈值CMOS基准源的精度及电源电压抑制比。