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公开(公告)号：CN107710085A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201680036925.9
申请日：2016-06-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G05B19/4065 , G05B23/02
CPC classification number: G05B23/0224 , G05B19/4065 , G05B23/0227 , G05B23/0283 , G05B2219/32234 , G05B2219/32235 , G05B2219/37252
Abstract: 本发明涉及一种用于估计电装置的损坏程度的方法。该方法包括以下步骤：-形成与被执行损坏程度估计的电装置有关的工作周期的直方图；-将所形成的直方图与直方图集的直方图或与所述直方图集的直方图组合进行比较，以确定与所形成的直方图最接近的所述直方图集的直方图或直方图组合，该直方图集的各直方图与损坏程度关联；以及-根据最接近的直方图的损坏程度或根据最接近的直方图组合的直方图的损坏程度确定该电装置的损坏程度的估计。
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公开(公告)号：CN107005143A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580063312.X
申请日：2015-11-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M1/32 , H03K17/082 , H03K17/12 , H03K17/14
CPC classification number: H02M1/32 , H01L25/07 , H01L2924/0002 , H02M1/08 , H02M2001/0009 , H02M2001/327 , H03K3/011 , H03K17/0822 , H03K17/122 , H03K17/145 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于控制由开关组成的电源模块的操作的器件，各个开关由并联连接的多个功率芯片组成，其特征在于，器件对于电源模块的各个功率芯片包括：‑温度传感器，用于感测功率芯片的温度，‑电流传感器，用于感测通过功率芯片的所述电流，‑选通中断电路，如果所感测的电流大于预定电流阈值，则该选通中断电路选通提供给功率芯片的信号，‑控制器，如果所感测的功率芯片的温度高于至少一个开关的功率芯片的平均芯片温度，则该控制器减少芯片的导通时间。
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公开(公告)号：CN111937308B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN201980020758.2
申请日：2019-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/042 , H03K17/16
Abstract: 本发明涉及用于控制向负载提供电流的半导体功率开关的从导通状态到非导通状态或从非导通状态到导通状态的切换的装置及方法，该装置接收旨在驱动半导体功率开关的输入信号。本发明：‑感测流过半导体功率开关的漏‑源电流的微分值以便获得表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑放大表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压，‑在给定时间段期间将放大后的表示感测到的漏‑源电流的微分值的电压与输入信号相加。
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公开(公告)号：CN113518926B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080018254.X
申请日：2020-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明：确定在脉宽调制的第一周期中半导体的导通状态的持续时间是否高于预定持续时间，在第二周期中半导体的导通状态期间测量向负载提供的电压，在第三周期中半导体的导通状态的持续时间的一部分期间依次禁用各个半导体的导通，并且测量向负载提供的电压，确定在第二周期期间测量的电压与在第三周期期间测量的各个电压之间的差，根据差的值对差进行排序，检查所确定的顺序是否与存储在设备的存储器中的顺序相同，并且如果顺序改变，则确定一个半导体的一个连接劣化。
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公开(公告)号：CN113632223B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202080020447.9
申请日：2020-01-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/538 , H05K1/18 , H05K3/46 , H01L25/07 , H05K1/02
Abstract: 一种电力组件，包括：至少一个多层基础结构、嵌入在至少一个多层基础结构中的至少一个功率器件、位于多层基础结构的每一侧上的内部导电层，内部导电层通过布置在多层基础结构中的连接部而连接到功率器件的相应电触点；至少一个外部导电层，其位于基础结构的每一侧上，每个外部导电层包括至少一个预钻通孔；至少一个内部电绝缘层，其位于基础结构的内部导电层和相应的外部导电层之间；至少一个孔，其布置在内部电绝缘层和外部导电层中，每个孔的一部分由预钻通孔形成，所述至少一个孔填充有导电材料以形成外部导电通孔，以将内部导电层连接到相应的外部导电层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115485959A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180030992.0
申请日：2021-02-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种半桥功率转换器的切换方法，所述半桥功率转换器包括在所述转换器的支腿中的至少一对功率开关，其提供上分支功率开关和下分支功率开关以及上分支功率开关和下分支功率开关的第一栅极控制电路和第二栅极控制电路。所述切换方法包括：在切换一对功率开关期间感测上分支和下分支中的电流导数，以提供与上功率开关和下功率开关中的功率电流的电流导数成正比的第一信号和第二信号，对第一信号和第二信号求和以提供求和后的电流导数信号，并将求和后的电流导数信号与第一栅极控制电路和第二栅极控制电路的功率开关命令信号相加，从而使求和后的导数信号调制栅极控制电路的栅极换向信号。
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公开(公告)号：CN115398623A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202180024824.0
申请日：2021-03-08
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及一种用于增加功率模块的可靠性的方法和装置，功率模块由并联连接的多个功率半导体组成，功率半导体通过金属连接来连接到功率模块的封装的外部引脚。本发明：‑根据标准在并联连接的功率半导体当中选择一个功率半导体，‑向并联连接的未选功率半导体施加相同的输入图案，‑增加所选功率半导体的温度以便在一定持续时间期间达到功率半导体的目标温度，以便实现所选功率半导体的金属连接的界面晶粒匀质化，‑在所述持续时间之后向所选功率半导体施加相同的输入图案。
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公开(公告)号：CN109155298B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201780027211.6
申请日：2017-04-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/485 , H01L23/64 , H05K1/18 , H05K1/14 , H01L23/473 , H05K1/02
Abstract: 本发明涉及功率模块，该功率模块包括：至少一个功率管芯，所述至少一个功率管芯被嵌入多层结构中，所述多层结构是至少两个子模块的组装件，各个子模块由绝缘层和导电层形成，并且所述功率模块还包括：嵌入所述多层结构中的至少一个电容器，所述至少一个电容器用于使嵌入所述多层结构中的所述至少一个功率管芯与电力供应解耦；以及所述至少一个功率管芯的至少一个驱动电路，所述至少一个驱动电路被设置在所述多层结构的表面上或者完全或部分嵌入所述多层结构中。
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公开(公告)号：CN111919296A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201980022355.1
申请日：2019-03-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/11 , H01L25/00 , H01L23/00 , H01L21/50 , H01L23/051 , H01L23/24 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种功率模块(1)，该功率模块(1)包括：‑第一基板和第二基板(10)，各个基板包括导电材料构图层(12)；‑定位在基板之间的多个预包装功率单元(20)，各个单元包括：○嵌入有至少一个功率管芯(21)的电绝缘芯(21)，以及○在电绝缘芯(21)的相对侧的两个导电材料外层(23)，所述外层分别连接到基板的各个构图层，其中，预包装功率单元的各个外层包括通过布置在电绝缘芯(21)中的连接来连接到功率管芯的相应触点(220)的接触焊盘(230)，所述接触焊盘的表面积大于与其连接的功率管芯电触点的表面积。
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公开(公告)号：CN108770363B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201780010822.X
申请日：2017-01-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 一种用于确定半导体功率模块的至少一个芯片的结的温度的方法，半导体功率模块由多个芯片组成，该多个芯片并联连接并根据模式周期在导通状态与非导通状态间切换，方法包括以下步骤：在一个切换周期的至少一部分期间禁止至少一个芯片导通；在该至少一个芯片不导通的周期的一段时间内向该至少一个芯片的栅极施加电流受限电压，产生的电压偏移具有不能够使得芯片导通的值；测量芯片的该栅极处的电压；以及根据测得的电压得到该至少一个芯片的结的温度变化或芯片的结的温度。
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