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公开(公告)号：CN105121705A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480022520.0
申请日：2014-04-09
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/14 , C09K13/00 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/47635 , C09K13/00 , C23F1/02 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1259 , H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明提供包含铜和钼的多层膜的蚀刻中使用的液体组合物和包含铜和钼的多层膜的蚀刻的蚀刻方法、以及基板。本发明中使用如下液体组合物，其包含：(A)马来酸根离子供给源；(B)铜离子供给源；以及(C)胺化合物，其为选自由1-氨基-2-丙醇、2-(甲基氨基)乙醇、2-(乙基氨基)乙醇、2-(丁基氨基)乙醇、2-(二甲基氨基)乙醇、2-(二乙基氨基)乙醇、2-甲氧基乙基胺、3-甲氧基丙基胺、3-氨基-1-丙醇、2-氨基-2-甲基-1-丙醇、1-二甲基氨基-2-丙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、吗啉和4-(2-羟基乙基)吗啉组成的组中的至少一种，且所述液体组合物的pH值为4～9。
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公开(公告)号：CN103361644A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310123603.6
申请日：2013-04-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C09K13/00 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , G03F7/20 , G03F7/32 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。
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公开(公告)号：CN118765338A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202380022864.0
申请日：2023-02-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明涉及用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物。本发明的蚀刻用组合物是用于从具有铜布线图案和铜种子层的基板上选择性蚀刻铜种子层的蚀刻用组合物，其特征在于，包含过氧化氢(A)、硫酸(B)、唑类或其盐(C)、二醇醚类(D)、卤化物离子(E)和水(F)，过氧化氢(A)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.1～10质量％，硫酸(B)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.5～5质量％，过氧化氢(A)相对于硫酸(B)之比用摩尔比表示为2以上，卤化物离子(E)的含量以蚀刻用组合物的总量基准计为0.01～3ppm。
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公开(公告)号：CN118202306A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202280069799.2
申请日：2022-11-07
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
Abstract: 本发明提供能将抗蚀剂迅速地去除的印刷电路板的制造方法等。本发明提供一种印刷电路板的制造方法，其包括：前处理工序，使具有金属布线及配置在前述金属布线间的抗蚀剂的基板接触包含氧化剂(a)、含氮原子的螯合剂(b)、及水且pH为3～10的抗蚀剂剥离前处理液(A)；及抗蚀剂去除工序，使前述前处理工序得到的基板接触包含碱性化合物(α)、有机溶剂(β)、及水的抗蚀剂剥离液(B)而去除前述抗蚀剂。
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公开(公告)号：CN114207529A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202080054482.2
申请日：2020-07-29
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社 , 三菱瓦斯化学贸易株式会社
Abstract: 本发明提供：除铜布线外、还可对镀锡及镀锡合金进行防腐，并且可以从印刷电路板或半导体晶圆上将光致抗蚀剂去除的水性组合物及使用其的光致抗蚀剂的去除方法。本发明的水性组合物的特征在于，其包含烷醇胺(A)、氢氧化季铵(B)、糖醇(C)、极性有机溶剂(D)及水(E)，以组合物的总量基准计，烷醇胺(A)的含量为2.5～50质量％，氢氧化季铵(B)的含量为0.5～4质量％，糖醇(C)的含量为0.5～20质量％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114174557A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080054240.3
申请日：2020-07-22
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 提供：能够充分地、且以较少的工序使不锈钢的表面高效地粗糙化的组合物、不锈钢的粗糙化处理方法等。上述的课题通过用于对不锈钢的表面进行粗糙化的组合物解决，该组合物中，以前述组合物的总量基准计，包含0.1～25质量％的选自由过硫酸及过硫酸盐组成的组中的1种以上，且以前述组合物的总量基准计，包含1～30质量％的卤化物离子。
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公开(公告)号：CN113906161A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202080036980.4
申请日：2020-06-03
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 提供充分且利用少的工序有效地将不锈钢的表面进行粗糙化的水性组合物、不锈钢的粗糙化处理方法等。上述问题通过一种水性组合物解决，该水性组合物用于将不锈钢的表面进行粗糙化，其按前述水性组合物的总量基准计含有0.1～20质量％的过氧化氢、按前述水性组合物的总量基准计含有0.25～40质量％的铜离子、按前述水性组合物的总量基准计含有1～30质量％的卤化物离子。
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公开(公告)号：CN103361644B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201310123603.6
申请日：2013-04-10
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
CPC classification number: C09K13/00 , C23F1/18 , C23F1/26 , C23F1/34 , C23F1/38 , G03F7/20 , G03F7/32 , H05K3/067 , H05K2201/0338
Abstract: 本发明提供用于蚀刻包含铜和钼的多层膜的液体组合物以及使用其的蚀刻方法。一种液体组合物，其包含(A)过硫酸根离子供给源、(B)铜离子供给源以及(C)选自由氨、铵离子、胺和烷基铵离子组成的组中的至少一种氮化合物供给源，所述液体组合物的pH为3.5～9。
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公开(公告)号：CN105981136A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201580005638.7
申请日：2015-01-23
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: H01L21/304 , C09K13/08 , C11D1/22 , C11D1/29 , C11D1/34 , C11D1/40 , C11D1/62 , C11D1/75 , C11D1/90 , C11D1/92 , C11D3/04 , C11D3/24 , C11D3/39 , C23F11/04 , H01L21/308
CPC classification number: C11D11/0047 , C11D1/006 , C11D1/29 , C11D1/345 , C11D3/0073 , C11D3/3947 , C11D7/08 , C11D7/10 , C11D7/3209 , C11D7/36 , C23G1/061 , C23G1/106 , H01L21/02063 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/76814
Abstract: 根据本发明，可以提供如下液体组合物：其用于从具有氮化钛、钨和低介电常数层间绝缘膜的基板去除氮化钛而不腐蚀钨和低介电常数层间绝缘膜，该液体组合物包含：(A)氧化剂，其为选自由高锰酸钾、过二硫酸铵、过二硫酸钾和过二硫酸钠组成的组中的至少一种、(B)氟化合物、和(C)钨防腐蚀剂，且pH值为0～4，前述(C)钨防腐蚀剂包含：选自由烷基胺和其盐、氟烷基胺和其盐等组成的C1化合物组中的2种以上不同的化合物，或者包含选自前述C1化合物组中的1种以上和选自由聚氧亚烷基烷基胺、聚氧亚烷基氟烷基胺等组成的C2化合物组中的1种以上，前述(A)氧化剂中的高锰酸钾的浓度为0.001～0.1质量％，前述(B)氟化合物的浓度为0.01～1质量％。
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公开(公告)号：CN119866393A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202380065153.1
申请日：2023-09-14
Applicant: 三菱瓦斯化学株式会社
IPC: C23F1/28
Abstract: 本发明提供一种能够制造薄膜化的不锈钢的水性组合物、这种不锈钢及其制造方法、不锈钢的薄膜化处理方法等。通过使用水性组合物解决了上述课题，所述水性组合物用于将不锈钢薄膜化，其包含0.01～10质量％的过氧化氢、12.5～40质量％的卤化物离子和0～3.0质量％的铜离子。根据本发明，能够通过简易的方法实现不锈钢的薄膜化。
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