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公开(公告)号：CN107578995A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710533807.5
申请日：2017-07-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/285 , H01L21/67 , H01L21/8242
Abstract: 一种制造半导体装置的方法及半导体装置制造设备。制造半导体装置的方法包含将抑制气体、源气体、反应气体及包含惰性气体的吹扫气体馈送至安置有衬底的处理腔室中。所述抑制气体抑制所述源气体物理吸附至所述衬底上。由此在所述衬底上形成薄膜。根据本发明的制造半导体装置的方法的实例可以在衬底上形成具有基本上均一的厚度的保形薄膜。
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公开(公告)号：CN107946174B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201710946191.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/033
Abstract: 公开形成硅层的方法、形成图案的方法和使用其制造半导体器件的方法。形成图案的方法包括在基底上形成蚀刻对象层；在所述蚀刻对象层上形成牺牲图案，所述牺牲图案包括含碳材料；将硅‑硫化合物或者含硫气体提供到所述牺牲图案上以形成晶种层；将硅前体提供到所述晶种层上以形成含硅的掩模图案；和使用所述掩模图案将所述蚀刻对象层至少部分地蚀刻。
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公开(公告)号：CN111471068A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201911395054.1
申请日：2019-12-30
Abstract: 提供了锡化合物、用于形成含锡层的锡前体化合物以及使用该锡前体化合物形成薄层的方法，所述锡化合物由式1表示，其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地是氢、具有1至4个碳原子的直链烷基或具有3或4个碳原子的支链烷基。[式1]
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公开(公告)号：CN110931468A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64 , H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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公开(公告)号：CN110272438A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910053529.2
申请日：2019-01-21
IPC: C07F5/00 , C07F7/10 , H01L21/288 , H01L21/336 , C23C16/455 , C23C16/30 , C23C16/40
Abstract: 公开了镧化合物、合成薄膜的方法以及制造集成电路器件的方法，所述化合物由以下式1表示，其中，在式1中，R1是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基，R2和R3各自独立地是氢原子或者C1-C5直链或支链烷基，R2和R3中的至少一个是C3-C5支链烷基，并且R4是氢原子或者C1-C4直链或支链烷基。[式1]
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107871654A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710757944.7
申请日：2017-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L27/11568
CPC classification number: H01L21/02222 , C23C16/045 , C23C16/345 , C23C16/45553 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/76831 , H01L29/40117 , H01L21/02301 , H01L21/28194 , H01L27/11568
Abstract: 一种形成介电膜的方法包括：在腔室中提供衬底；以及使用原子层沉积(ALD)方法在所述衬底上形成氮化硅膜，在所述原子层沉积方法中，将第一气体及第二气体引入到所述腔室中，第一气体包含含有六氯二硅氮烷(HCDZ)的硅前体，第二气体含有氮成分。
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公开(公告)号：CN106977540A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201610994787.7
申请日：2016-11-09
IPC: C07F9/00 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 钽化合物、制造集成电路器件的方法、和集成电路器件，所述钽化合物由以下通式(I)表示，其中R1、R3和R4各自独立地为C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C4‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基；和R2为氢原子，C1‑C10取代或未取代的直链或支化的烷基、烯基、或炔基，或C6‑C20取代或未取代的芳族或脂环族烃基。
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公开(公告)号：CN110931468B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN201910822831.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种集成电路器件，其包括：下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构，该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括：第一电介质层，包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表面的多个晶粒；以及第二电介质层，包括第二电介质材料并在低于第二表面的水平处围绕第一电介质层的所述多个晶粒中的每个晶粒的侧壁的一部分。第二电介质材料包括具有比第一电介质材料的带隙能量高的带隙能量的材料。
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公开(公告)号：CN113402544A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110210695.6
申请日：2021-02-25
IPC: C07F9/09 , C07F9/00 , C23C16/18 , C23C16/455
Abstract: 公开了有机金属加成化合物以及制造集成电路(IC)器件的方法，该有机金属加成化合物由通式(I)表示：通式(I)在通式(I)中，R1、R2和R3各自独立地为C1至C5烷基，R1、R2和R3中的至少一个为其中至少一个氢原子被氟原子取代的C1至C5烷基，M为铌原子、钽原子或钒原子，X为卤素原子，m为3至5的整数，并且n为1或2。
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公开(公告)号：CN111943978A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010407574.6
申请日：2020-05-14
Abstract: 本文中描述了金属化合物和使用其制造半导体器件的方法。所述金属化合物包括化学式1的材料，其中M为Nb或Ta；R为取代或未取代的C3-C10烷基；和X1、X2、X3、X4和X5各自独立地选自F、Cl、Br和I。[化学式1]
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