公开(公告)号：CN101661525A

公开(公告)日：2010-03-03

申请号：CN200910170609.2

申请日：2009-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都炅兑 ,  崔晶然 ,  李奉炫 ,  金颖焕 ,  元孝植 ,  金郁

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。

公开(公告)号：CN110908488B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN201910840793.0

申请日：2019-09-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容焕 ,  金郁 ,  申仁燮

IPC: G06F1/28 ,  G06F15/78 ,  G01R19/00

Abstract: 提供了电压下降监测电路及片上系统。在一个实施例中，电压下降监测电路包括环形振荡器电路块，其被配置为产生多个振荡信号，并且被配置为基于第一控制信号输出来自多个振荡信号之一的所选择的振荡信号。第一控制信号基于功能电路块的电源电压。电压下降监测电路还包括计数器和下降检测器，计数器被配置为基于所选择的振荡信号产生计数值，下降检测器被配置为基于计数值和至少一个阈值检测功能电路块的电源电压的下降。

公开(公告)号：CN104853387B

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201510087581.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金郁 ,  金孝俊 ,  赵重根

IPC: H04W36/00

Abstract: 提供一种载波聚合(CA)的基站(BS)的方法。该方法包括确定移动站(MS)是否同时地使用与第一载波频率相关联的第一小区以及与第二载波频率相关联的第二小区；以及，使用针对与切换有关的事件中的每个设置的多个测量配置集合当中的、与所述确定的结果相对应的测量配置集合，来控制所述MS的切换。

公开(公告)号：CN109672441A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811153614.8

申请日：2018-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金容焕 ,  金郁 ,  金智娟

IPC: H03L7/07 ,  H03L7/099

Abstract: 具有工艺、电压和温度(PVT)变化的半导体系统中的时钟生成和控制。半导体器件可以包括至少第一环形振荡器和第二环形振荡器，每个分别设置在最靠近运算电路的第一逻辑电路和第二逻辑电路的位置处，且生成第一振荡信号和第二振荡信号。检测电路配置为对第一振荡信号和第二振荡信号执行预定逻辑运算以生成第一时钟信号。校准电路配置为从检测电路接收第一时钟信号并且对第一环形振荡器和第二环形振荡器中的每一个执行延迟控制以生成用于操作运算电路的第二时钟信号。

公开(公告)号：CN103576717B

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201310316370.1

申请日：2013-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨沃 ,  金郁 ,  西门浚 ,  吴忠基 ,  全宰汉 ,  都炅兑 ,  崔晶然 ,  元孝植 ,  金基涉

IPC: G05D23/20

CPC classification number: G06F1/3206 ,  G05D23/1919 ,  G06F1/20 ,  G06F1/324 ,  Y02D10/126

Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。

公开(公告)号：CN101661525B

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN200910170609.2

申请日：2009-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都炅兑 ,  崔晶然 ,  李奉炫 ,  金颖焕 ,  元孝植 ,  金郁

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5036

Abstract: 本发明提供一种估计半导体装置中的泄漏电流的方法。在估计半导体装置的泄漏电流的方法中，通过网格模型将包括多个单元的芯片划分为段。空间相关性被确定为涉及每个单元中的泄漏电流的工艺参数之间的空间相关性。通过算术地运算实际泄漏特性函数来产生单元的虚拟单元泄漏特性函数。通过算术地运算段中的每个单元的虚拟单元泄漏特性函数来产生段泄漏特性函数。然后，通过以统计学方式运算芯片中的每个段的段泄漏特性函数来产生全芯片泄漏特性函数。因此，可以显著地减小用于产生全芯片泄漏特性函数的Wilkinson的方法的计算负荷。

公开(公告)号：CN103576717A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310316370.1

申请日：2013-07-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金亨沃 ,  金郁 ,  西门浚 ,  吴忠基 ,  全宰汉 ,  都炅兑 ,  崔晶然 ,  元孝植 ,  金基涉

IPC: G05D23/20

CPC classification number: G06F1/3206 ,  G05D23/1919 ,  G06F1/20 ,  G06F1/324 ,  Y02D10/126

Abstract: 提出了一种半导体器件的温度控制方法。该温度控制方法包括：检测半导体器件的温度；当检测的温度高于第一温度水平时激活反向体偏置操作，在所述反向体偏置操作中对施加至半导体器件的功能模块的体偏置电压进行调节；以及当检测的温度高于与第一温度水平不同的第二温度水平时，激活热节流操作，在所述热节流操作中对提供给半导体器件的功能模块的驱动时钟频率以及施加至半导体器件的功能模块的驱动电压中的至少一个进行调节。