等离子体处理装置
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117476425A

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202310559036.2

    申请日:2023-05-17

    Abstract: 一种等离子体处理装置包括:晶片支撑固定件,在腔室中,并且被配置为支撑晶片;上电极,在腔室中,并且与晶片支撑固定件间隔开;磁体组件,被配置为将磁场施加到腔室中,磁体组件包括布置为环形形状的多个第一磁体和多个第二磁体,以及从腔室的中心轴到多个第一磁体中的每个第一磁体和到多个第二磁体中的每个第二磁体的水平距离小于晶片的半径。

    等离子体处理装置
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108242382B

    公开(公告)日:2022-10-21

    申请号:CN201711417986.2

    申请日:2017-12-25

    Abstract: 一种等离子体处理装置包括:支撑晶片的静电卡盘;设置为围绕晶片的外周表面的调节环;设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环;以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环,边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面;其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。

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