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公开(公告)号:CN108242382A
公开(公告)日:2018-07-03
申请号:CN201711417986.2
申请日:2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , C23C16/4585 , C23C16/5096 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01J37/32715 , H01J2237/334
Abstract: 一种等离子体处理装置包括:支撑晶片的静电卡盘;设置为围绕晶片的外周表面的调节环;设置为围绕调节环的外周表面的绝缘环;以及支撑调节环的下部分和绝缘环的下部分的边缘环,边缘环与静电卡盘间隔开并且围绕静电卡盘的外周表面;其中边缘环包括在其中容纳流体的流道。
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公开(公告)号:CN117095715A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202310561642.8
申请日:2023-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C29/18
Abstract: 一种存储器装置、该存储器装置的操作方法以及包括该存储器装置的测试系统。存储器装置可包括:解码器组,其被配置为从存储器装置外部接收包括多个符号的多个码字,并且被配置为将多个码字解码为数据图案;存储器单元阵列,其被配置为从解码器组接收数据图案并且包括多个存储器单元;以及编码器,其被配置为将数据图案编码为包括多个符号的多个码字。多个码字可包括非法码字和正常码字,并且解码器组还可被配置为将多个码字中的非法码字转换为固定图案,并且编码器可被配置为将多个码字输出至存储器装置之外。
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公开(公告)号:CN117746943A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202310858922.5
申请日:2023-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408 , G11C11/4063 , G11C11/4076
Abstract: 提供了一种半导体存储器件和存储器模块。所述半导体存储器件包括接收电路、多路复用电路、译码电路和存储单元阵列。所述接收电路接收多个输入命令/地址(CA)信号,并且基于时钟信号和所述多个输入CA信号生成多个CA信号组。所述多路复用电路基于模式选择信号在第一操作模式和第二操作模式中的一种操作模式下进行操作,在所述第一操作模式下输出所述多个CA信号组作为多个选定CA信号组,以及在所述第二操作模式下通过对在所述多个CA信号组中的每一个CA信号组中包括的所述多个子CA信号进行多路复用来生成所述多个选定CA信号组。所述译码电路基于所述多个选定CA信号组生成多个输出CA信号。
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