公开(公告)号：CN1776513A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510125432.6

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  裵良浩 ,  赵范锡 ,  郑敞午

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板，该面板包括：绝缘基板；形成在所述绝缘基板上的栅极线；形成在所述栅极线上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的漏电极和具有源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相邻，其间具有间隙；以及，耦合到所述漏电极上的象素电极，其中所述栅极线、所述数据线和所述漏电极中的至少一个包括第一导电层和第二导电层，所述第一导电层包括导电氧化物，所述第二导电层包括铜(Cu)。

公开(公告)号：CN102479702A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110214106.8

申请日：2011-07-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑钟铉 ,  裵良浩 ,  宋溱镐 ,  徐五成 ,  洪瑄英 ,  吴和烈 ,  金俸均 ,  徐南锡 ,  杨东周 ,  李旺宇

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/32134 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733

Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板制造方法，包括：在栅绝缘层和栅极线上顺序形成第一硅层、第二硅层、下金属层和上金属层；在上金属层上形成第一膜图案；通过蚀刻上金属层和下金属层，形成第一下金属图案和包括突出部的第一上金属图案；通过蚀刻第一硅层和第二硅层，形成第一硅图案和第二硅图案；通过灰化第一膜图案形成第二膜图案；通过蚀刻第一上金属图案形成第二上金属图案；通过蚀刻第一下金属图案以及第一和第二硅图案，形成数据线和薄膜晶体管；以及在所得结构上形成钝化层和像素电极。

公开(公告)号：CN1897270B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200610099012.X

申请日：2006-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  郑敞午 ,  赵范锡 ,  裵良浩

IPC: H01L23/522 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L23/53238 ,  H01L27/12 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/3011 ,  Y10T29/49117 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种布线结构、一种用于制造布线的方法、一种薄膜晶体管(TFT)基板、以及一种用于制造TFT基板的方法。布线结构包括形成在基板上并且包括氮化铜的阻隔层，以及形成在阻隔层上并且包括铜或铜合金的铜导电层。

公开(公告)号：CN1869797B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200610078433.4

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申原硕 ,  裵良浩 ,  朴弘植

IPC: G02F1/136 ,  H01L27/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：在基板上形成第一信号线；在第一信号线上顺序地形成栅极绝缘层和半导体层；在栅极绝缘层和半导体层上形成第二信号线；以及形成连接至第二信号线的像素电极。第一信号线和第二信号线中的只少一条包括第一导电氧化物层、含银(Ag)导电层、以及以比第一导电氧化物层低的温度形成的第二导电氧化物层。

公开(公告)号：CN1761049B

公开(公告)日：2010-09-01

申请号：CN200510098150.1

申请日：2005-09-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  裵良浩 ,  李制勋 ,  郑敞午

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/136 ,  H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/3276 ,  Y10S438/924

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板和该TFT阵列面板的制造方法，所述TFT阵列面板具有信号线，该信号线包括由含Al金属制成的下层和由钼合金(Mo合金)制成的上层，所述钼合金包括钼(Mo)以及铌(Nb)、钒(V)和钛(Ti)中的至少一种。因此，防止了有可能在蚀刻工艺中出现的底切、悬垂和鼠咬现象，并且提供了具有电阻率低且接触特性良好的信号线的TFT阵列面板。

公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN1913146A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610112109.X

申请日：2006-08-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵范锡 ,  李制勋 ,  郑敞午 ,  裵良浩

IPC: H01L23/532 ,  H01L27/12 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 本发明提供了一种具有改进粘附力和优良导电性的薄膜导体，一种制造薄膜导体的方法，一种包括薄膜导体的薄膜晶体管(TFT)面板，以及一种制造TFT面板的方法。该薄膜导体包括：粘附层，含有氧化反应金属或硅化反应金属和银；银导电层，形成于粘附层上，以及保护层，形成于所述银导电层上，并含有氧化反应金属和银。