公开(公告)号：CN1964067A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610138550.5

申请日：2006-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李制勋 ,  金时烈 ,  金度贤 ,  金炳范 ,  郑敞午 ,  李埈泳 ,  裵良浩 ,  康盛旭

IPC: H01L29/43 ,  H01L29/786 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L29/458 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908 ,  Y10T428/12903

Abstract: 本发明公开了一种含有能够被蚀刻的铜以具有可靠轮廓的导电结构，其中，铜层不被腐蚀或氧化，该导电结构包括形成于绝缘或半导体基板上的屏障层以及随后的铜层、阻挡层和覆盖层。铜层包含铜或铜合金。屏障层包含钼(Mo)、氮化钼(MoN)、或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb或MoZr中的至少一种)。阻挡层包含氮化铜、氧化铜或氮氧化铜。覆盖层包含钼、氮化钼(MoN)或钼合金(包括MoW、MoTi、MoNb和MoZr中的至少一种)。

公开(公告)号：CN101487960A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910001897.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宁洪龙 ,  郑敞午 ,  李制勋 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  朴弘植 ,  尹珠爱 ,  金炳范 ,  李炳珍

IPC: G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  G03F1/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 一种显示基板，所述显示基板包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极、信号线和焊盘部件。绝缘基板具有显示区和包围显示区的外围区域。薄膜晶体管在绝缘基板的显示区中。像素电极在绝缘基板的显示区中并电连接到薄膜晶体管。信号线在绝缘基板上并从外围区域向显示区延伸。焊盘部/件在外围区域中并电连接到信号线。焊盘部件形成于绝缘基板的沟槽中，并且包括延伸进绝缘基板中的区域。因此，信号线可以固定连接到绝缘基板。

公开(公告)号：CN101447490A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810173348.5

申请日：2008-11-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金彰洙 ,  宁洪龙 ,  金俸均 ,  朴弘植 ,  金时烈 ,  郑敞午 ,  金湘甲 ,  尹在亨 ,  李禹根 ,  裴良浩 ,  尹弼相 ,  郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  金己园 ,  李炳珍 ,  李永旭 ,  金钟仁 ,  金炳范 ,  徐南锡

IPC: H01L27/12 ,  H01L23/522 ,  H01L21/84 ,  H01L21/768

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。