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公开(公告)号：CN101447490A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200810173348.5
申请日：2008-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金彰洙 , 宁洪龙 , 金俸均 , 朴弘植 , 金时烈 , 郑敞午 , 金湘甲 , 尹在亨 , 李禹根 , 裴良浩 , 尹弼相 , 郑钟铉 , 洪瑄英 , 金己园 , 李炳珍 , 李永旭 , 金钟仁 , 金炳范 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
CPC classification number: G02F1/13458 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 一种阵列基板，其中栅极线包括形成在基部基板上的第一种子层和形成在所述第一种子层上的第一金属层。第一绝缘层形成在所述基部基板上。第二绝缘层形成在所述基部基板上。在这里，线沟槽沿与所述栅极线相交叉的方向穿过所述第二绝缘层形成。数据线包括形成在所述线沟槽下的第二种子层和形成在所述线沟槽中的第二金属层。像素电极形成在所述基部基板的像素区域。因此，使用绝缘层来形成预定深度的沟槽，并且通过电镀方法形成金属层，从而能够形成具有足够厚度的金属线。本发明还提供了一种阵列基板制造方法。
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公开(公告)号：CN1884618A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610086467.8
申请日：2006-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C23F1/16 , C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10－20wt％的过氧化氢、1－5wt％的有机酸、0.1－1wt％的基于三唑的化合物、0.01－0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
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公开(公告)号：CN1896822B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2-15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02-10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN1884618B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610086467.8
申请日：2006-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/331
CPC classification number: H01L21/32134 , C09K13/08 , C23F1/18 , C23F1/26 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂、使用该蚀刻剂制造多层互连线的方法、以及使用该蚀刻剂制造薄膜晶体管(TFT)基板的方法。用于由钼/铜/氮化钼组成的多层线的蚀刻剂包括：10-20wt％的过氧化氢、1-5wt％的有机酸、0.1-1wt％的基于三唑的化合物、0.01-0.5wt％的氟化合物、以及作为剩余物的去离子水。
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公开(公告)号：CN101886266A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010183534.4
申请日：2010-05-14
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/18 , H01L21/32134 , H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 本发明披露了一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH4)2S2O8、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。这样，蚀刻剂可以具有高稳定性以保持蚀刻能力。因此，可以提高制造裕度，使得可以降低制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976044A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610140028.0
申请日：2006-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L23/522 , H01L21/84 , H01L21/768
Abstract: 一种薄膜晶体管阵列面板，包括：像素电极，形成在基板上；栅极线，形成在像素电极上；栅极绝缘薄膜，形成在栅极线上；半导体，形成在栅极绝缘薄膜上；数据线和漏电极，形成在栅极绝缘薄膜上；以及钝化层，形成在数据线和漏电极的部分上。栅极线包括与像素电极形成在相同层上并且具有相同材料的第一薄膜以及形成在第一薄膜上的第二薄膜。
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公开(公告)号：CN1904742A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610103511.1
申请日：2006-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/2855 , H01L21/31133 , H01L21/76838 , H01L21/7685 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 一种光刻胶去除剂组合物、以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法。该光刻胶去除剂组合物包括约50WT％至约70WT％的二乙二醇丁醚、约20WT％至约40WT％的烷基吡咯烷酮、约1WT％至约10WT％的有机胺化合物、约1WT％至约5WT％的氨基丙基吗啉、以及约0.01WT％至约0.5WT％的巯基化合物。
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公开(公告)号：CN1896822A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610099011.5
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1333 , C09K13/04
CPC classification number: G02F1/13439 , H01L31/022466 , H01L31/1884
Abstract: 本发明提供了一种用于透明导电氧化物层的蚀刻剂以及利用该蚀刻剂制造液晶显示器(LCD)的方法。该蚀刻剂包括2－15wt％(重量百分比)的硫酸、0.02－10wt％的碱金属的硫酸氢盐、以及余量的去离子水。
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公开(公告)号：CN102104049A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010570119.4
申请日：2010-12-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 宋溱镐 , 崔新逸 , 洪瑄英 , 金时烈 , 李基晔 , 尹在亨 , 金成烈 , 徐五成 , 裴良浩 , 郑钟铉 , 杨东周 , 金俸均 , 吴和烈 , 洪泌荀 , 金柄范 , 朴帝亨 , 丁有光 , 金钟仁 , 徐南锡
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49 , H01L23/52 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1288 , H01L29/42368 , H01L29/458 , H01L29/78669
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线；栅极绝缘层，覆盖栅极线；半导体层，设置在栅极绝缘层上；数据线和漏极，设置在半导体层上；钝化层，覆盖数据线和漏极，并具有暴露漏极的一部分的接触孔；像素电极，通过接触孔电连接到漏极。数据线和漏极均具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，且下层具有暴露的区域。栅极绝缘层可具有台阶形状。
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公开(公告)号：CN100533710C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200510099624.4
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种制造薄膜晶体管基板的方法，包括形成晶体管薄层图案，形成保护层，形成光致抗蚀剂膜，形成彼此间隔开的像素电极和导电层，剥除光致抗蚀剂图案以使用剥除溶液除去导电层并溶解导电层。这种制造薄膜晶体管基板的方法能够提高薄膜晶体管基板的制造工艺的效率。此外，剥除溶液可以重复使用。
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