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公开(公告)号：CN110310993B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201910216931.8
申请日：2019-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/24 , H10B69/00
Abstract: 提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
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公开(公告)号：CN110010689B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN201910193855.3
申请日：2014-08-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/8234 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件可包括：并列形成在衬底上的第一鳍部和第二鳍部；第一抬升式掺杂区，其形成在第一鳍部上，并具有第一掺杂浓度的杂质；第二抬升式掺杂区，其形成在第二鳍部上；以及第一桥，其将第一抬升式掺杂区和第二抬升式掺杂区彼此连接。本发明还公开了制造这种半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN109494157A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811062733.2
申请日：2018-09-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66818 , H01L21/28132 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66545 , H01L29/7848 , H01L29/78696 , H01L29/7854 , H01L29/0653 , H01L29/66795
Abstract: 一种制造半导体器件的方法和一种半导体器件，该方法包括：在衬底上形成有源图案，使得有源图案包括交替地且重复地堆叠在衬底上的牺牲图案和半导体图案；以及通过执行氧化工艺，在每个牺牲图案的两侧形成第一间隔物图案，其中第一间隔物图案对应于每个牺牲图案的氧化部分，其中牺牲图案包括包含杂质的第一半导体材料，其中半导体图案包括与第一半导体材料不同的第二半导体材料，以及其中杂质包括与第一半导体材料和第二半导体材料的半导体元素不同的元素。
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公开(公告)号：CN107546258A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710479728.0
申请日：2017-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/0669 , H01L29/1033 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 一种半导体器件包括：第一多沟道有源图案，其从衬底突出并具有第一高度；第二多沟道有源图案，其在衬底上、与衬底间隔开、并具有小于第一高度的第二高度；以及栅电极，其在衬底上、交叉第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。
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公开(公告)号：CN102468321A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110355291.2
申请日：2011-11-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C13/0002 , G11C2213/71 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种具有电阻可变元件的非易失性存储器件、相关系统及方法。一种非易失性存储器件可以包括在基板上的第一字线、在第一字线上的绝缘层和在绝缘层上的第二字线，使得绝缘层在第一字线与第二字线之间。位柱可以在关于基板的表面垂直的方向上与第一字线、绝缘层和第二字线相邻地延伸，位柱可以是导电的。此外，第一存储单元可以包括电耦接在第一字线与位柱之间的第一电阻可变元件，第二存储单元可以包括电耦接在第二字线与位柱之间的第二电阻可变元件。还讨论了相关的方法和系统。
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公开(公告)号：CN109427907B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810985594.4
申请日：2018-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/08 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供了半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底；有源图案，与衬底间隔开并在第一方向上延伸；以及栅极结构，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中有源图案的下部在第一方向上延伸并包括相对于衬底的上表面倾斜的第一下表面。
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公开(公告)号：CN116647763A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310146505.8
申请日：2023-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/51 , H04N25/59 , H04N25/766
Abstract: 一种图像传感器，包括光电转换器，被配置为响应于接收的光而将接收的光转换为电荷，并且将电荷提供给第一节点；转移晶体管，被配置为向浮置扩散节点提供第一节点的电压；复位晶体管，被配置为基于复位信号将浮置扩散节点的电压复位到驱动电压；源极跟随器晶体管，被配置为基于浮置扩散节点的电压来提供单元像素输出；选择晶体管，连接到源极跟随器晶体管，并且用选择信号选通，以向外部输出单元像素输出；以及铁电电容器，连接到浮置扩散节点，其中铁电电容器被配置为基于铁电电容器的转换增益模式来调整浮置扩散节点的转换增益，该转换增益模式是第一转换增益模式、第二转换增益模式或第三转换增益模式。
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公开(公告)号：CN115394774A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210569674.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体器件包括：导电线，在衬底上在第一方向上延伸；绝缘图案层，在衬底上并具有在第二方向上延伸的沟槽，沟槽具有扩展到导电线中的扩展部分；沟道层，在沟槽的相对的侧壁上并连接到导电线的由沟槽暴露的区域；第一栅电极和第二栅电极，在沟道层上并分别沿着沟槽的相对的侧壁；栅极绝缘层，在沟道层与第一和第二栅电极之间；掩埋绝缘层，在沟槽内在第一栅电极和第二栅电极之间；以及第一接触和第二接触，分别被掩埋在绝缘图案层中并分别连接到沟道层的上部区域。
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公开(公告)号：CN113130379A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011264983.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/765 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和器件隔离区；在衬底上形成的平板结构；氧化物半导体层，在有源区和器件隔离区中覆盖所述平板结构的顶表面并且连续地设置在衬底的顶表面上；栅极结构，设置在氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极；以及源/漏区，设置在栅极结构的两侧并形成在氧化物半导体层中，其中当从侧横截面观察时，平板结构的延伸方向和栅极结构的延伸方向彼此交叉。
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