公开(公告)号：CN111146200B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN201911064310.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄汎傭 ,  赵珉熙 ,  金会承 ,  米尔科·坎托罗 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。

公开(公告)号：CN111146200A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201911064310.9

申请日：2019-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄汎傭 ,  赵珉熙 ,  金会承 ,  米尔科·坎托罗 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  李相遇

IPC: H01L27/108

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底；衬底上的第一有源图案；与第一有源图案的沟道区相交的栅电极；覆盖第一有源图案和栅电极的第一绝缘层；穿透第一绝缘层以便电连接到第一有源图案的第一源/漏区的接触部；以及第一绝缘层上的第二有源图案。第二有源图案的沟道区与接触部在竖直方向上重叠。