公开(公告)号：CN107546258A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710479728.0

申请日：2017-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁炆承 ,  徐东灿 ,  金彻 ,  宋宇彬 ,  尹智堰 ,  李承烈

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件包括：第一多沟道有源图案，其从衬底突出并具有第一高度；第二多沟道有源图案，其在衬底上、与衬底间隔开、并具有小于第一高度的第二高度；以及栅电极，其在衬底上、交叉第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。