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公开(公告)号：CN112992904A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011460967.X
申请日：2020-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 一种三维半导体器件，包括：第一沟道图案，其位于衬底上并与衬底间隔开，第一沟道图案具有第一端和第二端以及在第一端与第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，第一端和第二端在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，第一侧壁和第二侧壁在与衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，第二方向与第一方向相交；位线，其与第一沟道图案的第一端接触，位线在与衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸；以及第一栅电极，其与第一沟道图案的第一侧壁相邻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110689913B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN201810730072.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括以字线和位线布置的多个存储器单元；电压产生器，产生施加到字线之中的选择的字线的编程电压脉冲、施加到字线之中的与选择的字线相邻的第一未选择的字线的第一通过电压以及施加到字线之中的不与选择的字线相邻的第二未选择的字线的第二通过电压；以及控制逻辑，迭代地增大编程电压脉冲并且根据编程电压脉冲的增大的迭代来不同地增大第一通过电压和第二通过电压。
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公开(公告)号：CN110689913A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201810730072.X
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括以字线和位线布置的多个存储器单元；电压产生器，产生施加到字线之中的选择的字线的编程电压脉冲、施加到字线之中的与选择的字线相邻的第一未选择的字线的第一通过电压以及施加到字线之中的不与选择的字线相邻的第二未选择的字线的第二通过电压；以及控制逻辑，迭代地增大编程电压脉冲并且根据编程电压脉冲的增大的迭代来不同地增大第一通过电压和第二通过电压。
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公开(公告)号：CN101819819B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201010126221.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储设备的编程方法，包括：将本地电压施加到第一未选择字线；在将本地电压施加到第一未选择字线后，将本地电压施加到第二未选择字线；并且在本地电压被施加到第二未选择字线后，将通过电压施加到第一未选择字线。这里还提供了相关的设备和系统。
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公开(公告)号：CN113130379A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202011264983.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/765 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括有源区和器件隔离区；在衬底上形成的平板结构；氧化物半导体层，在有源区和器件隔离区中覆盖所述平板结构的顶表面并且连续地设置在衬底的顶表面上；栅极结构，设置在氧化物半导体层上并且包括栅极介电层和栅电极；以及源/漏区，设置在栅极结构的两侧并形成在氧化物半导体层中，其中当从侧横截面观察时，平板结构的延伸方向和栅极结构的延伸方向彼此交叉。
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公开(公告)号：CN101819819A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010126221.5
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3418 , G11C16/3427
Abstract: 提供了一种非易失性存储设备的编程方法，包括：将本地电压施加到第一未选择字线；在将本地电压施加到第一未选择字线后，将本地电压施加到第二未选择字线；并且在本地电压被施加到第二未选择字线后，将通过电压施加到第一未选择字线。这里还提供了相关的设备和系统。
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