公开(公告)号：CN117062447A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310535437.4

申请日：2023-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  李气炘 ,  河大元

IPC: H10B51/30

Abstract: 一种存储器装置，包括：沟道区域、沟道区域上的导电电极以及沟道区域和导电电极之间的数据存储结构。数据存储结构包括堆叠结构，该堆叠结构包括在垂直于沟道区域的表面的方向上交替且重复地堆叠的二维材料层和铁电层。铁电层中的每个铁电层的厚度大于二维材料层中的每个二维材料层的厚度。

公开(公告)号：CN117062446A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202310528379.2

申请日：2023-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  李气炘 ,  河大元

IPC: H10B51/30

Abstract: 一种存储器装置可包括沟道区域、设置在沟道区域上的导电电极以及设置在沟道区域和导电电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括第一介电层和设置在第一介电层上的第二介电层，该第二介电层包括铁电区域和铁电区域上的屏障介电区域，铁电区域包括第一材料，并且屏障介电区域包括通过将第一材料氮化或氧化而形成的第二材料。

公开(公告)号：CN116806091A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310282088.X

申请日：2023-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  李气炘 ,  李相吉 ,  河大元

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件可以包括：半导体基板；包括电容器的数据存储层，设置在半导体基板上；开关元件层，在数据存储层上并包括电连接到相应电容器的晶体管；以及布线层，在开关元件层上并包括电连接到相应晶体管的位线。相应晶体管包括有源图案、字线以及在字线和有源图案之间的铁电层，该字线与有源图案交叉使得字线围绕有源图案的第一侧壁、第二侧壁和顶表面。

公开(公告)号：CN116261326A

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202211407941.8

申请日：2022-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  李炅奂 ,  李玟浚 ,  河大元

IPC: H10B12/00 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/41 ,  H01L29/423

Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；鳍结构，位于基底上；栅极结构，位于鳍结构上；第一源极/漏极，位于鳍结构的一端处；以及第二源极/漏极，位于鳍结构的另一端处，其中，栅极结构包括顺序地堆叠在鳍结构上的捕获层、阻挡层和栅电极层，第一源极/漏极掺杂有第一导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第一导电类型的掺杂剂，并且第二源极/漏极掺杂有第二导电类型的掺杂剂或者在其中包含有第二导电类型的掺杂剂，第二导电类型的掺杂剂不同于第一导电类型的掺杂剂。

公开(公告)号：CN115968194A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211006321.3

申请日：2022-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李玟浚 ,  金容锡 ,  金炫哲 ,  朴种万 ,  禹东秀 ,  李炅奂

IPC: H10B12/00 ,  H10B53/30 ,  H10B53/40

Abstract: 公开了半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括基底、在基底上在第一方向上延伸的多条源极线、与源极线交叉并且在不同于第一方向的第二方向上延伸的多条字线、与源极线和字线交叉并且在不同于第一方向和第二方向的第三方向上延伸的多条位线以及设置在源极线、字线和位线之间的交点处的多个存储器单元。第一方向、第二方向和第三方向平行于基底的顶表面。

公开(公告)号：CN114497055A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110695655.5

申请日：2021-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  洪载昊 ,  金容锡 ,  金一权 ,  徐亨源 ,  柳成原 ,  李炅奂

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11578

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一导线，在垂直于基底的顶表面的第一方向上堆叠；第二导线，在第一方向上延伸，并且与第一导线相交；以及存储器单元，分别设置在第一导线与第二导线之间的多个相交点处。存储器单元中的每个存储器单元包括平行于基底的顶表面的半导体图案、围绕半导体图案的沟道区的第一栅电极和第二栅电极以及位于半导体图案与第一栅电极和第二栅电极中的每个之间的电荷存储图案，半导体图案包括具有第一导电类型的源区、具有第二导电类型的漏区以及在源区与漏区之间的沟道区。

公开(公告)号：CN116896878A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310340749.X

申请日：2023-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉浚 ,  金容锡 ,  金炫哲 ,  柳民泰 ,  李溶珍

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括在衬底上排列的多个存储单元。所述多个存储单元中的每个可以包括在衬底上的第一晶体管和在第一晶体管上的第二晶体管。第一晶体管可以包括在第一源极区和第一漏极区之间的第一沟道区、第一栅电极、以及第一栅极绝缘层。第二晶体管可以包括：柱结构，具有依次堆叠在第一栅电极上的第二漏极区、第二沟道区和第二源极区；第二栅电极，在第二沟道区的一侧；以及第二栅极绝缘层，在第二沟道区和第二栅电极之间。第二漏极区和第二源极区可以分别具有第一导电类型杂质区和第二导电类型杂质区。

公开(公告)号：CN115942862A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210745021.0

申请日：2022-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  禹东秀 ,  李炅奂

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 可以提供一种可变电阻存储器件，包括：堆叠，包括交替地堆叠在衬底上的绝缘片和导电片，堆叠包括竖直穿透其中的竖直孔；位线，在堆叠上；导电图案，电连接到位线并且在竖直孔中竖直延伸；以及电阻变化层，在导电图案和限定竖直孔的堆叠的内侧表面之间。电阻变化层可以包括电连接到导电片的第一碳纳米管和电连接到导电图案的第二碳纳米管。

公开(公告)号：CN115497956A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210216717.4

申请日：2022-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炫哲 ,  金容锡 ,  禹东秀 ,  李炅奂

IPC: H01L27/1159 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多条第一导电线，在第一方向上延伸，并且在与第一方向相交的第二方向上彼此间隔开，第一方向和第二方向是水平方向；多个竖直半导体图案，分别设置在所述多条第一导电线上；栅电极，与所述多条第一导电线交叉，并且穿透所述多个竖直半导体图案中的每个竖直半导体图案；铁电图案，在栅电极与所述多个竖直半导体图案中的每个竖直半导体图案之间；以及栅极绝缘图案，在铁电图案与所述多个竖直半导体图案中的每个竖直半导体图案之间。

公开(公告)号：CN113972209A

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN202110389976.2

申请日：2021-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪载昊 ,  李炅奂 ,  金炫哲 ,  金熙中 ,  朴玄睦 ,  李基硕 ,  赵珉熙

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：基底；存储器单元，设置在基底上；沟道，设置在存储器单元上；字线，被沟道围绕并且沿第一水平方向延伸；栅极绝缘层，置于沟道与字线之间；以及位线，接触沟道的上端并且沿与第一水平方向交叉的第二水平方向延伸。