公开(公告)号：CN119031704A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410136169.3

申请日：2024-01-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李周昊 ,  卞诚载 ,  李元锡 ,  李全一

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H01L29/45 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L29/16

Abstract: 一种半导体存储器件包括：位线，所述位线在衬底上并且在平行于所述衬底的顶表面的第一方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案连接到所述位线的顶表面并且在垂直于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；在所述沟道图案上的第一漏极图案；第一字线，所述第一字线与所述第一漏极图案的下部部分和所述沟道图案相邻；以及在所述第一漏极图案的所述第下部部分和所述第第一字线之间以及在所述沟道图案和所述第一字线之间的栅极绝缘层。所述第一漏极图案的第一材料的能带隙大于所述沟道图案的第二材料的能带隙。

公开(公告)号：CN118475114A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311566855.6

申请日：2023-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李元锡 ,  李周昊 ,  金承贤 ,  郑宇齐 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，可以包括：衬底；下导线，在衬底上；隔离绝缘层，在下导线上，并且包括沟道沟槽；沟道结构，在沟道沟槽内，并且包括第一氧化物半导体材料；界面导电图案，在沟道结构的下表面与下导线之间；栅介电层，覆盖沟道沟槽内的沟道结构；上导线，在沟道沟槽内的栅介电层上；导电接触图案，在沟道结构上；界面氧化物半导体图案，在沟道结构与导电接触图案之间，并且包括第二氧化物半导体材料；以及电容器结构，包括与导电接触图案连接的下电极。

公开(公告)号：CN116113234A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211142787.6

申请日：2022-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  裴东一 ,  李元锡 ,  金容锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件，包括：单元区和外围区；单元区中的基底绝缘层，包括相对的第一前表面和第一后表面；外围区中的第一半导体衬底，包括相对的第二前表面和第二后表面；第一前表面上的有源图案；第一导线，在有源图案的侧面上沿第一方向延伸；有源图案上的电容器结构；第二前表面上的第一电路元件；以及第二导线，在第一后表面和第二后表面上沿与第一方向交叉的第二方向延伸。有源图案在与第一方向和第二方向交叉的竖直方向上延伸，以将第二导线电连接到电容器结构。

公开(公告)号：CN115394774A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210569674.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  李基硕 ,  李元锡 ,  柳民泰 ,  朴玄睦 ,  宋宇彬 ,  柳成原

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括：导电线，在衬底上在第一方向上延伸；绝缘图案层，在衬底上并具有在第二方向上延伸的沟槽，沟槽具有扩展到导电线中的扩展部分；沟道层，在沟槽的相对的侧壁上并连接到导电线的由沟槽暴露的区域；第一栅电极和第二栅电极，在沟道层上并分别沿着沟槽的相对的侧壁；栅极绝缘层，在沟道层与第一和第二栅电极之间；掩埋绝缘层，在沟槽内在第一栅电极和第二栅电极之间；以及第一接触和第二接触，分别被掩埋在绝缘图案层中并分别连接到沟道层的上部区域。

公开(公告)号：CN119029046A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202410593504.2

申请日：2024-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞诚载 ,  宋映槿 ,  李元锡 ,  李周昊

IPC: H01L29/786 ,  H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；在衬底上的沟道图案，沟道图案具有在垂直于衬底的表面的垂直方向上延伸的侧壁和在水平方向上连接彼此面对的两个侧壁的下部的下部；栅极绝缘层图案和第一导电层图案，顺序地横向堆叠在沟道图案的内侧壁上；以及第二导电层图案，至少接触沟道图案的最上表面和上外侧壁，第二导电层图案与第一导电层图案间隔开。

公开(公告)号：CN116997180A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202310467637.0

申请日：2023-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  具炳周 ,  金根楠 ,  李元锡 ,  郑文泳 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置可包括：位线，其在第一方向上延伸；半导体图案，其位于位线上，半导体图案包括在第一方向上彼此相对的第一竖直部分和第二竖直部分以及连接第一竖直部分和第二竖直部分的水平部分；第一字线和第二字线，其位于水平部分上，分别与第一竖直部分和第二竖直部分相邻；以及栅极绝缘图案，其位于第一竖直部分和第一字线之间以及第二竖直部分和第二字线之间。水平部分的底表面可位于低于或等于位线的最上表面的高度处。

公开(公告)号：CN115942742A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210620882.6

申请日：2022-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李基硕 ,  金根楠 ,  金熙中 ,  李元锡 ,  赵珉熙

IPC: H10B12/00

Abstract: 公开了一种半导体存储器件。所述半导体存储器件可以包括：位线，所述位线在第一方向上延伸；字线，所述字线在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；沟道图案，所述沟道图案位于所述位线上，所述沟道图案包括：连接到所述位线的水平沟道部分，以及从所述水平沟道部分起在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸的垂直沟道部分；以及栅极绝缘图案，所述栅极绝缘图案位于所述字线与所述沟道图案之间。所述沟道图案的所述水平沟道部分可以被设置为平行于向所述第一方向和所述第二方向倾斜的第四方向。

公开(公告)号：CN115662991A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202210585531.6

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵珉熙 ,  柳民泰 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  朴玄睦 ,  李基硕

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H10B12/00

Abstract: 可以提供一种半导体器件，该半导体器件包括：在基板上的导电线；在导电线上的第一栅电极；在第一栅电极上通过栅极隔离绝缘层分隔开的第二栅电极；在第一栅电极的侧表面上的第一沟道层，并且第一栅极绝缘层在它们之间；在第一栅电极的另一侧表面上的第一源极/漏极区；第二沟道层，在第二栅电极的在与第一沟道层相反的一侧的另一侧表面上并且第二栅极绝缘层在它们之间；在第二沟道层上的第二源极/漏极区；以及第三源极/漏极区，在第一沟道层上以及在第二栅电极的与第一沟道层在同一侧的侧表面上。

公开(公告)号：CN120018491A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411096160.0

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞诚载 ,  金时年 ,  李元锡 ,  李周昊

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：在衬底上在第一方向上延伸的位线；在位线上在第二方向上延伸的第一绝缘图案；沟道图案，接触第一绝缘图案的侧壁和位线，并包括氧化物半导体材料；字线，在第二方向上延伸并与沟道图案间隔开；在沟道图案和字线之间的栅极绝缘图案；在字线和栅极绝缘图案上的第二绝缘图案；以及电连接到沟道图案的着落焊盘。沟道图案的在栅极绝缘图案和位线之间的第二部分可以比沟道图案的可以在栅极绝缘图案和第一绝缘图案之间的第一部分厚。第二方向可以与第一方向交叉。

公开(公告)号：CN118540937A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202311571467.7

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  汉阳大学校产学协力团

Inventor： 柳民泰 ,  崔秉德 ,  柳成原 ,  李元锡 ,  刘龙尚

IPC: H10B12/00 ,  G11C11/4091 ,  G11C11/4097 ,  G11C11/408 ,  G11C11/4074

Abstract: 一种存储器装置包括：连接至第一位线的第一存储器单元和连接至第二位线的第二存储器单元，其中第一存储器单元可包括：第一存取晶体管，其包括连接至第一位线的一端；以及第一电容器，其包括连接至第一存取晶体管的另一端的一个电极和连接至第二位线的另一电极，并且第一存取晶体管可包括氧化物半导体。