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公开(公告)号：CN113299228A
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202110388578.9
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种基于GaN的多功能集成半导体显示器件，所述半导体显示器件包括从上至上依次设置的蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层和像素单元；所述半导体显示器件每个像素单元均包括LED发光结构、开关驱动元器件、多量子阱光电探测器件、光波导和信号感知传感器。本发明实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN112904620A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110107547.1
申请日：2021-01-27
IPC: G02F1/1337
Abstract: 本发明提出一种双畴光配向LCD光路系统，包括：光源模组，用于提供入射方向不同的两组双畴配向光源；掩膜版模组，包括:带有透光区和非透光区的掩膜版；待配向基板，包括：两组不同配向角的配向区；所述配向角与双畴配向光源的入射方向相对应；每个所述透光区对应待配向基板的一个显示像素，每个所述显示像素包括两个不同配向角的配向区；所述掩膜版设置于待配向基板与光源模组之间，且掩膜版的透光区的中心位置在待配向基板上的投影位于同一个显示像素中两个配向区的中间。旨在解决在双畴光配向过程中掩膜版的对位误差问题以及减少曝光次数增加产能。
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公开(公告)号：CN112820844A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202110106846.3
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明涉及一种薄膜封装结构及其制备方法，所述薄膜封装结构包括从下至上依次设置的有机聚合物衬底、柔性有机光电器件和具有周期起伏纳米结构的无机与有机交叠的薄膜封装层，所述薄膜封装层由无机阻隔层与有机阻隔层交替层叠形成，所述有机阻隔层通过具有周期起伏纳米结构的模板压印形成周期起伏纳米结构，再在其上制备无机阻隔层，交叠形成薄膜封装层。所述薄膜封装结构具有高水氧阻隔性能和弯曲性能。
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公开(公告)号：CN110690328B
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN201910982153.3
申请日：2019-10-16
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件。包括μLED晶粒，波长下转换发光层，上、下驱动电极，绝缘体，光学微结构以及控制模块，所述上、下驱动电极和所述μLED晶粒无直接的电学接触，所述控制模块分别与所述上、下驱动电极电学连接，为所述上、下驱动电极提供交变驱动信号形成驱动电场，所述驱动电场控制所述μLED晶粒的电子和空穴复合并发出第一光源，经所述波长下转换发光层而转化为第二光源。本发明提出的一种基于波长下转换的无电学接触μLED发光器件中的驱动电极与μLED晶粒中p型半导体层和n型半导体层没有电学接触，能避免μLED发光器件中的芯片复杂制作工艺、以及μLED芯片与驱动芯片的键合和巨量转移工艺，有效降低μLED器件制作周期和成本。
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公开(公告)号：CN112782944A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110106865.6
申请日：2021-01-27
Abstract: 本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112782901A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110114259.9
申请日：2021-01-28
IPC: G02F1/167 , G02F1/1675 , G02F1/1685 , G06F3/041 , G06F3/047
Abstract: 本发明涉及一种自供电非易失性显示装置。包括：第一绝缘层，置于第一绝缘层上的电极层，第二透明绝缘层，以及书写工具和擦除工具，在电极层和第二绝缘层之间填充的具有非易失性双稳态特性的显示介质，在电极层和第二透明绝缘层之间填充有隔离层。利用书写工具在第二透明绝缘层表面绘制图案，从而在书写工具划过的地方形成图形化分布的静电，形成局部电场驱动具有非易失性双稳态特性的显示介质，最终显示出该图案；利用擦除工具在第二透明绝缘层表面擦涂，消除所述局部电场，从而擦除已经显示的图案。本发明可应用于画图板、展示牌、广告牌、黑板等原型以传统纸张、油墨、碳粉、粉笔等为材料的显示领域，具有可重复使用与节能环保优点。
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公开(公告)号：CN109856792B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910245208.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 福州大学
IPC: G02B26/00
Abstract: 本发明涉及一种电润湿显示装置及其驱动方法，该显示装置包括相对设置的上基板和下基板、设于下基板上的第一电极、设于上基板上的第二电极以及密封在上基板与下基板之间的油墨，其特征在于，所述上基板由上导电板构成，所述下基板由下导电板以及设于下导电板上的疏水绝缘层和电改性材料层构成，所述下导电板上侧面的角落位置上设置所述电改性材料层，其余位置上设置所述疏水绝缘层。该显示装置的驱动方法为：产生的驱动电压分为两个部分，第一部分为预置帧，施加电压使电润湿显示装置中的油墨的接触角达到阈值电压的状态，第二部分为驱动帧，施加电压显示图像内容。该装置及其驱动方法有利于提高电润湿显示装置的显示效果。
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公开(公告)号：CN111952474A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829285.5
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于有机物聚合的量子点发光二极管及其制备方法。所述量子点发光二极管，包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，所述量子点发光层为量子点与有机物混合旋涂制备。本发明量子点发光二极管制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层中有机物的聚合，有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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公开(公告)号：CN111952470A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828294.2
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件的制作方法，首先在ITO玻璃上，在经过对ITO导电玻璃的清洁和臭氧处理之后，利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备PEDOT：PSS层，而后在依次旋涂得到TFB层、CdSe量子点发光层、ZnO电子传输层以及二氧化硅电极，其中的量子点层中特别使用了经过硅烷偶联剂KH550和十八酸改性后的二氧化硅纳米颗粒进行掺杂，最终形成一种掺杂了二氧化硅的CdSe量子点及发光二极管器件。本发明薄膜通过二氧化硅纳米颗粒对CdSe掺杂，保证了在量子点的间隙之间被填充，减少了电子空穴通过该间隙进行复合的可能，在保证载流子浓度的情况下，提高了器件的性能。
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公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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