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公开(公告)号：CN111952471B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K50/155
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN111952468B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010828202.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K50/115 , H10K71/12
Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111952467B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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公开(公告)号：CN111952471A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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公开(公告)号：CN111952468A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828202.0
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于量子点反溶剂去除发光层中有机物量子点发光二极管及其制备方法，包括：衬底以及设置在所述衬底上的：空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述量子点发光层通过量子点与有机物混合旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在量子点层上旋涂量子点反溶剂去除部分有机物，使得量子点与功能层接触良好的同时有效阻挡了电子传输层和空穴传输层的直接接触，减小了漏电流，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生。可使量子点发光二极管的寿命以及性能大大提高。
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公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
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公开(公告)号：CN111952476A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829320.3
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种CdSe量子点发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；旋涂PEDOT：PSS溶液，退火干燥形成薄膜；配置空穴传输层前驱体溶液，并旋涂在PEDOT：PSS混合溶液膜层上，形成空穴传输层；配置CdSe量子点溶液并旋涂在空穴传输层上，形成CdSe量子点发光中心层；配置氧化石墨烯的乙二醇溶液并旋涂在量子点发光中心层上；配置ZnO溶液并旋涂在氧化石墨烯膜层上，形成氧化锌的电子传输层；将银蒸镀到样片上，形成银电极，制得使用氧化石墨烯平衡载流子注入的CdSe量子点发光二极管。该方法不仅在降低量子点层缺陷的同时提高了器件的性能，而且制备工艺简单，制作成本低。
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