-
公开(公告)号：CN111952471B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K50/155
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
-
公开(公告)号：CN108190960A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810063026.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电解液溶剂热插锂剥离制备单层二硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，电解液为溶剂，在高纯氩气的保护下，将电解液中锂离子嵌入到MoS2层之间，通过离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，充分利用锂离子嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
-
公开(公告)号：CN104926155A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510281254.X
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合发光膜的制备方法，利用简单的旋涂成膜工艺技术，在ITO玻璃衬底上，分别以金属量子点核作为等离子激元增强中心，以金属量子点外包有机高分子壳作为隔离层，以CdSe半导体量子点作为光致发光中心、旋涂形成金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合发光层，再通过有机物旋涂、封装工艺，最终制备出金属/有机壳核量子点-半导体量子点复合发光膜。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单。此外，由于采用简单的一步旋涂工艺技术，实现复合膜金属/有机壳核量子点粒径及其外层有机绝缘隔离层厚度可控且分散性良好，同时能够有效提高半导体量子点光学膜的光致发光性能。
-
公开(公告)号：CN111952467A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
-
公开(公告)号：CN108190959A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810061274.X
申请日：2018-01-23
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于熔融碱金属液插入剥离制备单层硫化钼的方法，利用溶剂热法，在反应釜中，以MoS2粉末为前驱体，熔融碱金属（锂、钠、钾）为溶剂，在高纯氩气的保护下，将碱金属离子嵌入到MoS2层之间，通过缓慢加入去离子水超声、离心工艺去除未反应的MoS2，得到嵌锂的单层MoS2纳米材料，再通过加入丙酮离心清洗若干次，最后通过去离子水超声处理制备出了高纯度的单层结构的MoS2纳米材料。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单、充分利用碱金属嵌入MoS2纳米材料，从而有效提高单层硫化钼的产率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105047819A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0096 , H01L51/0512
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift-off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
-
公开(公告)号：CN104993051A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510281077.5
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。
-
公开(公告)号：CN111952467B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828201.6
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明提出一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜及发光二极管器件的制备方法。其首先利用旋涂工艺在ITO薄膜之上制备ZnO薄膜以及PEIE薄膜，随后通过旋涂混合了氧化石墨烯的钙钛矿前驱体溶液，使得在已经形成的ZnO/PEIE薄膜之上形成一层基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光层，再利用旋涂工艺在钙钛矿薄膜上制备空穴传输层，并利用蒸镀技术热蒸发氧化钼和金，最终形成一种基于氧化石墨烯钝化的钙钛矿薄膜发光二极管器件。由于这种薄膜通过氧化石墨烯对FAPbI3这种钙钛矿的掺杂混合，钝化了钙钛矿的表面缺陷，并且在一定程度上阻止其发生相变，从而使得这一类型的发光二极管具有高亮度、高外量子效率的优点。
-
公开(公告)号：CN111952475A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010829314.8
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种含有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件的制备方法，包括以下步骤：选取ITO玻璃作为发光二极管的衬底；配制ZnO前驱体溶液和PEIE溶液并在ITO玻璃上先后旋涂，制得ZnO/PEIE薄膜；配制含有银纳米颗粒的DMF溶液，将含有及不含有银纳米颗粒的DMF溶液作为溶剂溶解钙钛矿，制备钙钛矿前驱体溶液；在ZnO薄膜表面旋涂上述溶液，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿薄膜；配制空穴传输层前驱体溶液并在钙钛矿发光层表面旋涂，干燥形成空穴传输层；将氧化钼和金蒸发到样片上，制得混合有银纳米颗粒的钙钛矿发光二极管器件。该方法不仅在提高电子空穴浓度的同时提高了钙钛矿的稳定性，而且制备工艺简单，制作成本低。
-
公开(公告)号：CN111952471A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.021 seconds)
