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公开(公告)号：CN102153132A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110139316.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法，该方法采用通过惰性气体稀释过的二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气作为反应前驱体，并以原子层淀积的方式，利用原子层淀积设备生长高密度氧化锌纳米颗粒；其中，所述的反应前驱体二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气是以脉冲方式交替通入反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗。本发明以原子层淀积技术生长高密度氧化锌纳米颗粒，工序简单，生产成本低，纳米颗粒大小可精确控制，可以获得平均直径约为5~25nm，高度为2~10nm，密度为1.0×1010~1.0×1011cm-2的氧化锌纳米颗粒，可用于太阳能电池中的光电转换材料。
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公开(公告)号：CN102142369A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201110000957.2
申请日：2011-01-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/334 , H01L21/283 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种改善SiC器件性能的方法。在生长栅介质层之前，先在PEALD反应腔中用氧等离子处理或者用UV灯照射的方法对SiC表面进行钝化处理，可以有效抑制C簇的形成，降低SiC界面态密度，提高SiC器件的性能。采用原子层淀积技术生长高k栅介质，可以精确地控制栅介质层的厚度，得到高保形性高质量的栅介质层，减小栅介质层上所承受的电场强度，提高栅介质层的工作寿命，保证器件工作的稳定性。
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公开(公告)号：CN102104110A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010545180.3
申请日：2010-11-16
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于非挥发存储器技术领域，具体涉及一种阻变特性优化的阻变存储器及其制备方法。本发明的阻变存储器采用原子层淀积方法生长的氧化铪与氧化铝薄膜作为功能层。并通过调节氧化铪与氧化铝薄膜不同厚度比例，以达到阻变特性最优化。其步骤是用原子层淀积方法在底电极上生长固定厚度的氧化铪薄膜，再生长不同厚度的氧化铝薄膜，得到具有不同特性的阻变存储器。本发明采用单原子级淀积生长技术，可以精确控制阻变存储器器件制备的准确度，提高工艺的精度，减少热预算。
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公开(公告)号：CN102104027A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010592833.3
申请日：2010-12-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/84 , H01L21/265
Abstract: 本发明属于半导体器件制造技术领域，具体涉及一种在单块芯片上集成碰撞电离场效应晶体管（IMOS）与隧穿场效应晶体管（TFET）的制造方法，其中通过控制第三次离子注入的剂量，不仅可以制造出相同沟道类型的TFET和与IMOS，还可以制造出不同沟道类型的TFET与IMOS直接构成反相器结构。本发明所提出的在单块芯片上集成IMOS器件和TFET器件的制造方法，不仅可以用于高速高性能集成电路制造，还可以用于低功耗集成电路制造；而且由于是在单块芯片上同时制造，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102097477A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010588482.9
申请日：2010-12-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明属于10纳米以下的半导体器件技术领域，具体涉及一种带栅极的金属-绝缘体-半导体（MIS）及金属-绝缘体-金属（MIM）器件。本发明通过在MIM或者MIS器件的侧壁上施加栅极电压来调控电场，以此调节MIM或者MIS结构中的FN隧穿电流，进而控制器件的关断与开启。本发明所提出的带栅极的MIM及MIS器件的沟道可以做的非常短，而且能够达到很低的漏电流，且功耗低，非常适用于集成电路的后端工艺及各种芯片的制造。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102054690A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010552635.4
申请日：2010-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/331 , H01L21/60
CPC classification number: H01L29/66333 , H01L21/76275 , H01L29/41741
Abstract: 本发明属于高压大功率器件技术领域，具体为一种用于制造大功率器件的半导体衬底的制造方法。该方法先对区熔硅片的正面进行离子注入，然后采用耐高温金属作为中间媒介将倒扣后的区熔硅片和高掺杂直拉硅片进行键合形成半导体衬底。键合后，区熔硅片用于制备IGBT器件，高掺杂直拉硅片作为低阻的背部接触，可以减少区熔硅片的用量，降低生产成本。同时，键合后不再需要进行背部的金属化工序，简化了加工制程，提高了生产良率。
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公开(公告)号：CN101916782A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010251137.6
申请日：2010-08-12
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L29/10 , H01L29/43 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于快速开关技术领域，具体为一种使用铁电材料的凹陷沟道型晶体管及其制造方法。本发明中，源极为窄禁带宽度，栅介质为铁电材料与氧化硅或高k材料叠层。一方面，窄禁带宽度的源极材料，使得晶体管的驱动电流上升；另一方面，凹陷型沟道的使用，抑制了漏电流的增加；同时，铁电材料的栅介质使得亚阈值电压摆幅变得更小，提高了器件的开关速度。进一步地，本发明还公开了所述半导体场效应晶体管的制造方法。
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公开(公告)号：CN101901813A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010231342.6
申请日：2010-07-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L29/10
Abstract: 本发明属于半导体存储器技术领域，具体为一种垂直结构的半导体存储器及其制造方法。本发明的存储器是垂直沟道型双金属浮栅存储器，它包括至少一个衬底区、一个漏区、一个源区、两个浮栅区和一个控制栅极，所述存储器的浮栅区用于存储电荷。本发明还公开了上述双金属浮栅存储器的制造方法。本发明采用垂直的沟道结构，在增大栅长的情况下不会占用更多的芯片面积，有利于芯片往高度集成的方向发展；用简化的方法制造出面积较小的双位存储单元，可以在相同面积的硅衬底上制造出更多的存储器单元，从而实现高密度存储。
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公开(公告)号：CN101887910A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010191659.1
申请日：2010-06-03
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/49 , H01L21/285 , H01L27/115
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , C23C16/40 , C23C16/45525 , H01L21/28079 , H01L21/28282 , H01L29/42332 , H01L29/4234 , H01L29/495
Abstract: 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种适合于闪存器件的栅叠层结构及其制备方法。该栅叠层结构以P型(100)晶向的硅片为衬底，自下而上依次为：Al2O3薄膜，作为电荷隧穿层；钌基纳米晶，作为第一种电荷俘获层；HfxAlyOz薄膜，作为第二种电荷俘获层；Al2O3薄膜，充当电荷阻挡层；上电极层。本发明中，钌基纳米晶具有很好的热稳定性，在高温下不容易扩散；HfxAlyOz薄膜具有较高的电荷陷阱密度；上电极采用金属钯，拥有较大的功函数。因此该栅叠层结构在纳米晶存储电容器中有广阔的应用前景。
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