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公开(公告)号：CN102153132B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110139316.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法，该方法采用通过惰性气体稀释过的二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气作为反应前驱体，并以原子层淀积的方式，利用原子层淀积设备生长高密度氧化锌纳米颗粒；其中，所述的反应前驱体二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气是以脉冲方式交替通入反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗。本发明以原子层淀积技术生长高密度氧化锌纳米颗粒，工序简单，生产成本低，纳米颗粒大小可精确控制，可以获得平均直径约为5~25nm，高度为2~10nm，密度为1.0×1010~1.0×1011cm-2的氧化锌纳米颗粒，可用于太阳能电池中的光电转换材料。
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公开(公告)号：CN102153132A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110139316.5
申请日：2011-05-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明涉及一种高密度氧化锌纳米颗粒的制备方法，该方法采用通过惰性气体稀释过的二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气作为反应前驱体，并以原子层淀积的方式，利用原子层淀积设备生长高密度氧化锌纳米颗粒；其中，所述的反应前驱体二乙基锌蒸气和过氧化氢水溶液的蒸气是以脉冲方式交替通入反应腔中，二者之间用惰性气体进行吹洗。本发明以原子层淀积技术生长高密度氧化锌纳米颗粒，工序简单，生产成本低，纳米颗粒大小可精确控制，可以获得平均直径约为5~25nm，高度为2~10nm，密度为1.0×1010~1.0×1011cm-2的氧化锌纳米颗粒，可用于太阳能电池中的光电转换材料。
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公开(公告)号：CN101651131A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910195819.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/314
Abstract: 本发明属于集成电路材料技术领域，具体涉及一种低介电常数绝缘薄膜及其制备方法。本发明提出的低介电常数绝缘薄膜为SiCONF薄膜，该薄膜的主要成分是硅(Si)、碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)，薄膜厚度为20～500nm。本发明可用等离子体化学气相淀积(PECVD)方法制备上述低介电常数绝缘介质SiCONF薄膜；在化学气相淀积设备中增加等离子发生装置均可作为本发明方法的装置；用等离子体增强化学气相淀积设备产生等离子，现有的等离子射频激励源频率范围均可使用。本发明的SiCONF薄膜介电常数低，薄膜泄漏电流密度低，薄膜热稳定性高，薄膜机械性能良好，可以与现有的集成电路工艺很好地兼容。
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公开(公告)号：CN101651131B
公开(公告)日：2011-11-02
申请号：CN200910195819.7
申请日：2009-09-17
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/532 , H01L21/314
Abstract: 本发明属于集成电路材料技术领域，具体涉及一种低介电常数绝缘薄膜及其制备方法。本发明提出的低介电常数绝缘薄膜为SiCONF薄膜，该薄膜的主要成分是硅(Si)、碳(C)、氧(O)、氮(N)、氟(F)，薄膜厚度为20～500nm。本发明可用等离子体化学气相淀积(PECVD)方法制备上述低介电常数绝缘介质SiCONF薄膜；在化学气相淀积设备中增加等离子发生装置均可作为本发明方法的装置；用等离子体增强化学气相淀积设备产生等离子，现有的等离子射频激励源频率范围均可使用。本发明的SiCONF薄膜介电常数低，薄膜泄漏电流密度低，薄膜热稳定性高，薄膜机械性能良好，可以与现有的集成电路工艺很好地兼容。
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