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公开(公告)号：CN210956673U
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN202020117568.2
申请日：2020-01-17
Applicant: 珠海零边界集成电路有限公司 , 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L25/18 , H01L23/367 , H02M7/5387 , H02M1/42 , H02M7/06
Abstract: 本实用新型涉及电子电路技术领域，公开了一种功率模块及电子设备，该功率模块包括由多块板体拼接而成的具有立体结构的基体，其中，基体具有多个面，且至少两个面对应的板体上设有功能芯片，相互对应、且位于不同板体上的功能芯片之间通过引线键合；该电子设备设有上述功率模块。该功率模块及电子设备中基体均为多个板体拼接而成的立体结构，且至少基体两个面对应的板体上设有功能芯片，将功率模块中的功能芯片设置在了立体结构的基体的至少两个面上，相比于功能芯片的平面封装，在相同体积下，能够封装更大面积的功能芯片，功率模块的电流密度更大。
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公开(公告)号：CN210925990U
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201922293224.7
申请日：2019-12-18
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/48
Abstract: 本实用新型涉及半导体连接设备技术领域，特别地涉及一种半导体器件。本实用新型提供的半导体器件，所述半导体器件包括导电连接件以及与所述导电连接件连接的绝缘导热件。由于绝缘导热件具有较高的导热率以及绝缘性，可在使用过程中，保证不导电的情况下，更好地实现散热，使得连接件等器件产生的热量及时排出，进一步增强半导体器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN210403715U
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201921744581.4
申请日：2019-10-17
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/495
Abstract: 本申请提供了一种引线框架，包括基体及第一引脚、第二引脚和第三引脚，第二引脚和基体的连接区与第一引脚和基体的连接区的距离小于第二引脚和基体的连接区与第三引脚与基体的连接区的距离，第三引脚与基体的连接区朝向第二引脚与基体的连接区的方向延伸，使得第三引脚与基体的连接区的面积大于第二引脚与基体的连接区的面积。本申请的引线框架增大了第三引脚与基体连接区的过电流能力。同时，该引线框架增大了塑封材料与引线框架的粘接面积，提高了密着性能，改善了封装分层现象。
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公开(公告)号：CN210200738U
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201921418921.4
申请日：2019-08-28
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , G01K7/16 , G01K1/14
Abstract: 本实用新型涉及检测的技术领域，公开一种半导体功率器件，包括：衬底、形成于衬底内的结构层、形成于衬底一侧表面的金属连接层；其中：衬底包括沿衬底厚度方向排列的P型层和位于P型层背离金属连接层一侧的N型层以形成P-N结，衬底形成有开口位于P型层背离N型层一侧表面的电阻沟槽；金属连接层包括测温电阻引出端；结构层包括测温电阻，测温电阻位于电阻沟槽内，测温电阻朝向金属连接层的一端与测温电阻引出端连接、且远离金属连接层的一端伸入至N型层内，且测温电阻与P型层和N型层之间绝缘，能够解决现有技术中对功率器件工作时温度不准确的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209804655U
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201920706780.X
申请日：2019-05-16
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L27/02
Abstract: 本实用新型公开了一种半导体晶圆及具有其的电子装置；半导体晶圆包括依次连接的芯片层、晶圆层和金属层；所述芯片层包括多个间隔布设在所述晶圆层上的芯片，相邻两个所述芯片形成划片道；所述划片道上间隔设置有多个凹槽。根据本实用新型提供的半导体晶圆，在晶圆层与芯片形成的划片道上设有多个凹槽，通过凹槽将划片道分隔成若干待切割区域，由于凹槽的存在，阻止了切割应力过多分散，提高切割效率，而且防止了切割过程中晶圆片出现非期待性的裂片，进而提高了晶圆产出良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN209658160U
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201920647522.9
申请日：2019-05-07
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L21/50
Abstract: 本实用新型涉及电子技术领域，公开了一种功率模块，该功率模块包括基板、设置于基板一侧的功率芯片组、设置于基板另一侧的散热器以及设置于功率芯片组背离基板一侧的散热桥；功率芯片组包括至少两个功率芯片；散热桥包括散热桥导电层以及散热桥导热层，散热桥导电层与每个功率芯片第一面上的电极电连接，散热桥导热层包括正投影覆盖基板的中间区域以及与中间区域连接且伸出基板的边缘区域，中间区域位于散热桥导电层背离功率芯片组的一侧，边缘区域形成有朝向基板所在平面弯折的弯折结构，弯折结构与散热器连接。该功率模块中功率芯片上的热量既能从基板上导出至散热器，又能从散热桥导出至散热器，能够利用一个散热器实现双面散热。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209526080U
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201920641003.1
申请日：2019-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 本实用新型公开了一种智能功率模块。其中，该智能功率模块包括：第一树脂层和第二树脂层，分层设置在智能功率模块的芯片和引线框架外部，用于为上述芯片提供电性保护，上述芯片至少包括：功率芯片和驱动芯片；上述功率芯片，设置在上述第一树脂层内，上述第一树脂层的外表面印刷有导电膏体；上述驱动芯片，设置在上述第二树脂层内，与上述功率芯片连接，用于对上述功率芯片进行驱动控制。本实用新型解决了传统的智能功率模块采用引线键合的方式电性连接导致杂散电感偏高，电流承载能力不足等的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN209434191U
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201822014521.9
申请日：2018-12-03
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本实用新型公开了一种沟槽型功率器件，该器件包括有若干个元胞，每个所述元胞包括：元胞沟槽、形成于所述元胞沟槽侧壁上的多晶硅层、以及填充在所述元胞沟槽内的填充金属层；其中，所述填充金属层、所述多晶硅层、以及所述元胞沟槽的内壁之间分别绝缘设置。通过在元胞沟槽的侧壁上形成多晶硅(栅)，形成多晶硅-填充金属层-多晶硅的复合结构，有利于改善器件使用过程中的Cgc反向电容，改善芯片开关特性，同时能降低开关损耗。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN208111434U
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201820608956.3
申请日：2018-04-26
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司
Inventor： 敖利波
IPC: H01L23/495 , H01L25/16 , H01L21/48
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块，用于降低功率模块的成本。所述功率模块包括：铜绝缘基板，所述铜绝缘基板包括导体层；至少两个功率器件，设置在所述导体层上，其中，所述至少两个功率器件用于控制所述功率模块的输出电流。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN212230414U
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202020729244.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 珠海格力电器股份有限公司 , 珠海零边界集成电路有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型提出了一种贴片元器件的封装结构，所述封装结构的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底面内以形成焊料储存槽。本实用新型的贴片元器件的封装结构的的引脚的焊接平面凹进所述封装结构的底平面内，使得引脚的焊接平面与周围结构形成焊料储存槽，多余的焊料可以储存或隐藏在焊料储存槽内，位于焊料储存槽周围的封装结构的底面形成为绝缘隔栅，可以有效避免引脚短路现象，降低生产过程中的不良率。本实用新型还提出了一种包括上述封装结构的贴片元器件及电子设备。
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